元器件型号: | MTB55N06Z |
生产厂家: | MOTOROLA, INC |
描述和应用: | TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS |
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型号参数:MTB55N06Z参数 | |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | MOTOROLA INC |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.21 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED |
雪崩能效等级(Eas) | 454 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 55 A |
最大漏极电流 (ID) | 55 A |
最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 238 pF |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 136 W |
最大功率耗散 (Abs) | 136 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 165 A |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 484 ns |
最大开启时间(吨) | 368 ns |
Base Number Matches | 1 |
TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS
TMOS功率FET 55安培60伏特