MTB55N06Z [MOTOROLA]

TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS; TMOS功率FET 55安培60伏特
MTB55N06Z
元器件型号: MTB55N06Z
生产厂家: MOTOROLA, INC    MOTOROLA, INC
描述和应用:

TMOS POWER FET 55 AMPERES 60 VOLTS
TMOS功率FET 55安培60伏特

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:MTB55N06Z参数
生命周期Transferred
IHS 制造商MOTOROLA INC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.21
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, ESD PROTECTED
雪崩能效等级(Eas)454 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)55 A
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.016 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)238 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值136 W
最大功率耗散 (Abs)136 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)165 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)484 ns
最大开启时间(吨)368 ns
Base Number Matches1