MTD3055EL [MOTOROLA]
TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate); 四, TMOS功率场效应晶体管(N沟道增强型硅栅)型号: | MTD3055EL |
厂家: | MOTOROLA |
描述: | TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate) |
文件: | 总6页 (文件大小:384K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
相关型号:
MTD3055EL1
TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, FET General Purpose Power
NSC
MTD3055ET4
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 369A-13, DPAK-3
MOTOROLA
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明