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GB19264EHYAANLA-V00  GB162EHYAANUB-V02  M13252EHXX  GB19264EHYAAMUA-V00  S-8211CAE-I6T1G  EI-255  GB162EHYAAMUA-V02  CVXO-030EHY-25-44.768  EI-2520  X24320S8I-1.8  
MAC223A4FP 硅双向晶闸管 (Silicon Bidirectional Triode Thyristors)
.型号:   MAC223A4FP
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描述: 硅双向晶闸管
Silicon Bidirectional Triode Thyristors
文件大小 :   94 K    
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品牌   MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MAC223FP / D
双向可控硅
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流电控制的应用,例如照明系统设计
加热器控制,马达控制和电源;或是其他地方,全波硅
需要门控设备。
断态电压为800伏特
所有的扩散和玻璃钝化结对参数一致性和稳定性
体积小,坚固Thermowatt建设热阻和高耐热
耗散
在三种模式下( MAC223FP系列)门极触发保证,
四种模式( MAC223AFP系列)
MAC223FP
系列
MAC223AFP
系列
隔离双向可控硅
晶闸管
25安培RMS
200通800伏
MT2
G
MT1
CASE 221C -02
方式3
最大额定值
( T J = 25℃ ,除非另有说明)。
等级
重复峰值断态电压( 1 ) ( TJ = -40至+ 125°C ,
1/2正弦波50到60赫兹,门打开)
MAC223-4FP , MAC223A4FP
MAC223-6FP , MAC223A6FP
MAC223-8FP , MAC223A8FP
MAC223-10FP , MAC223A10FP
开启状态RMS电流( TC = + 80 ° C)完整周期正弦波50到60赫兹( 2 )
非重复性峰值浪涌电流(一个完整周期, 60赫兹, TC = 80℃ ,
之前和之后的额定电流)
电路熔断(T = 8.3毫秒)
峰值功率门控(T
符号
VDRM
200
400
600
800
IT ( RMS )
ITSM
I2t
25
250
260
20
0.5
2
±10
1500
-40到+125
-40到+150
8
安培
安培
A2s
安培
°C
°C
英寸磅。
价值
单位
p
2
µs)
平均栅极电源( TC = + 80 ° C,T
p
2
µs)
峰值栅极电压(T
p
2
µs)
栅极峰值电流(T
存储温度范围
安装力矩
p
8.3毫秒)
p
20%)
PGM
PG (AV)
IGM
VGM
V( ISO)
TJ
TSTG
RMS的隔离电压( TA = 25 ℃,相对湿度
工作结温
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.所有的TC测量的情况下,温度的基准点是在封装的中心引线的点尽可能接近到塑料
体。
热特性
特征
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
最大
1.2
2.2
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
摩托罗拉晶闸管设备数据
©
摩托罗拉公司1995年
1
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