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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMFT2406T1 / D
中功率场效应
晶体管
N沟道增强模式
硅栅TMOS E- FET ™
SOT- 223表面贴装
这TMOS中功率场效应晶体管是专为
高速,低损失的功率开关应用如
开关稳压器,转换器,电磁阀和继电器驱动器。该
设备被容纳在所述的SOT- 223封装,其目的是为
中等功率表面贴装应用。
硅栅的快速开关速度
高电压 - 240伏
低驱动要求
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接。
焊接过程中所形成的引线吸收热应力,
消除损坏模具的可能性。
采用12毫米磁带和卷轴
使用MMFT2406T1责令7英寸/ 1000单元卷轴。
使用MMFT2406T3订购13英寸/ 4000单元卷轴。
D
MMFT2406T1
摩托罗拉的首选设备
中功率
TMOS场效应管
700毫安
240伏
RDS ( ON)= 6.0 OHM
®
4
1
2
3
G
S
CASE 318E -04 ,花柱3
TO–261AA
最大额定值
( TC = 25° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C( 1 )
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
VDS
VGS
ID
PD
TJ , TSTG
价值
240
±
20
700
1.5
12
- 65〜 150
单位
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
°C
器件标识
T2406
热特性
热电阻 - 结到环境(表面贴装) ( 1 )
从案例无铅焊接温度的目的, 1/16 “
在焊接洗澡时间
R
θJA
TL
83.3
260
10
° C / W
°C
美国证券交易委员会
1.装置安装在玻璃环氧印刷电路板1.575英寸X 1.575英寸X 0.059英寸;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
TMOS是摩托罗拉公司的注册商标。
E- FET是Motorola, Inc.的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
©
摩托罗拉1997年公司
1
MMFT2406T1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
漏极至源极击穿电压
(VGS = 0时, n = 100
µA)
零栅极电压漏极电流
( VDS = 120 V, VGS = 0 )
门体漏电流
( VGS = 15V直流电, VDS = 0 )
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
240
10
100
VDC
μAdc
NADC
基本特征( 2 )
栅极阈值电压
(VDS = VGS ,ID = 1.0 MADC )
静态漏 - 源极导通电阻
( VGS = 2.5伏, ID = 0.1 ADC )
( VGS = 10 VDC , ID = 0.5 ADC )
漏极 - 源极导通电压
( VGS = 10V , ID = 0.5 A)
正向跨导
( VDS = 6.0 V, ID = 0.5 A)
VGS ( TH)
RDS ( ON)
VDS (上)
政府飞行服务队
300
10
6.0
3.0
VDC
毫姆欧
0.8
2.0
VDC
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%.
( VDS = 25 V , VGS = 0 ,
V
0
F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
125
50
20
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MMFT2406T1
对于采用SOT- 223表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.15
3.8
0.079
2.0
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.091
2.3
0.079
2.0
0.059
1.5
0.059
1.5
0.091
2.3
0.248
6.3
0.059
1.5
英寸
mm
SOT-223
SOT- 223功耗
采用SOT -223的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据手册SOT- 223封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
消耗几乎可以用这种方法增加了一倍,面积为
在印刷电路板,它可以战胜溶于
采用表面贴装目的的技术。为R的曲线图
θJA
对收集垫区示于图1 。
160
RJ-A ,热阻,结
到环境( C / W )
板材料= 0.0625 “
G- 10 / FR - 4 ; 2盎司纯铜
0.8瓦
TA = 25°C
140
°
120
1.25瓦*
1.5瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况下为1.5瓦。
PD = 150 °C - 25 ° C = 1.5瓦特
83.3°C/W
为SOT- 223封装的83.3 ° C / W假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现为1.5瓦的功耗。有
其他的替代品,从实现更高的功率耗散
采用SOT - 223封装。之一是增加的面积
收集垫。通过增加收集垫的区域中,所述
功率消耗可以增加。虽然动力
100
*安装的DPAK足迹
0.2
0.4
0.6
A,面积(平方英寸)
0.8
1.0
另一种替代方法是使用陶瓷基板或
铝核心板,如热复合™ 。利用
板的材料,例如热复合,铝芯
板,所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
θ
80
0.0
图1.热敏电阻与集电极
为SOT- 223封装焊盘面积(典型值)
3
MMFT2406T1
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中,焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版,需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
为SOT- 223封装的模板开孔尺寸应该是
相同的焊盘尺寸的印刷电路板,即,一个
1 : 1的注册。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时,
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板,将有一组控制
设置值,将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区,和一个
数字皮带速度。两者合计,这些控制设置
补热“轮廓”为特定的电路板。
上由一台计算机,该计算机控制的机器
从一个工作会议上的记住这些配置文件
下一个。图2显示了一个典型的加热曲线时使用
焊接的表面贴装器件的印刷电路板。
此配置文件将焊接系统各不相同,但它是一个很好的
出发点。能够影响信息的因素包括
焊接系统的使用中,密度和类型的类型
电路板上元器件,焊料类型使用,且类型
板或基板材料的使用。该图显示
温度与时间的关系。图上的线表示
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
140°C
可能会遇到的表面上的实际温度
的试验板在或靠近中央的焊点。两
配置文件基于高密度和低密度板。
该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊
系统被用来生成此配置文件。焊料的种类
用的是62/36/2铅锡银与熔点
在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于
回流焊工作时,电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件,然后通过加热
传导。在电路板上,因为它有一个大的表面
面积,更有效地吸收的热能,然后
分配的能量,以该组件。因为这
效果,一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
STEP 6 STEP 7
步骤5
第4步
VENT冷却
加热
加热
开发区4和7
开发区3及6
205 °〜
“秒杀”
“浸泡”
219°C
170°C
高峰
SOLDER
160°C
联合
焊料液
40至80秒
(根据
装配质量)
时间( 3〜7分钟总)
TMAX
图2.典型的焊接暖气简介
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MMFT2406T1
包装尺寸
A
F
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
4
S
1
2
3
B
D
L
G
J
C
0.08 (0003)
H
M
K
英寸
DIM MIN
最大
A
0.249
0.263
B
0.130
0.145
C
0.060
0.068
D
0.024
0.035
F
0.115
0.126
G
0.087
0.094
H
0.0008 0.0040
J
0.009
0.014
K
0.060
0.078
L
0.033
0.041
M
0
_
10
_
S
0.264
0.287
MILLIMETERS
最大
6.30
6.70
3.30
3.70
1.50
1.75
0.60
0.89
2.90
3.20
2.20
2.40
0.020
0.100
0.24
0.35
1.50
2.00
0.85
1.05
0
_
10
_
6.70
7.30
CASE 318E -04
ISSUE ħ
TO-261AA
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
来源
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
5
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