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HLMP-D105-JM0A2  HLMP-K105-JM0A2  HLMP-K101-MM0B1  HLMP-K101-MM0A1  HLMP-D101-KM0A1  HLMP-K105-JM0B1  HLMP-K101-JM0B2  HLMP-K105-KM0A1  HLMP-D105-JM0B2  HLMP-D101-LM0B1  
MRF9120R3 射频功率场效应晶体管 (RF Power Field Effect Transistors)
.型号:   MRF9120R3
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描述: 射频功率场效应晶体管
RF Power Field Effect Transistors
文件大小 :   316 K    
页数 : 12 页
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品牌   MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
购买 :   
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100%
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
由MRF9120 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划,从865到895兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号,共源放大器的应用
在26伏基站设备。
典型的CDMA性能@ 880兆赫, 26伏,我
DQ
= 2× 500毫安
IS - 97 CDMA导频,同步,寻呼,交通守则8到13
输出功率 - 26瓦
功率增益 - 16分贝
效率 - 26 %
邻道功率 -
750千赫: - 45 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.98兆赫: - 60 dBc的@ 30 kHz的带宽
能够处理10 : 1 VSWR , @ 26伏直流电, 880兆赫, 120瓦( CW)
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
µ
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF9120R3
MRF9120LR3
880兆赫, 120 W, 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司
CASE 375B - 04 ,风格1
NI - 860
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
250
1.43
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
值(1)
0.45
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
1 (最低)
M1 (最低)
(1)平均无故障时间计算器可在http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
启示录7
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品,
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转到: www.freescale.com
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MRF9120R3 MRF9120LR3
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