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摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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由MRF9120 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划,从865到895兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号,共源放大器的应用
在26伏基站设备。
典型的CDMA性能@ 880兆赫, 26伏,我
DQ
= 2× 500毫安
IS - 97 CDMA导频,同步,寻呼,交通守则8到13
输出功率 - 26瓦
功率增益 - 16分贝
效率 - 26 %
邻道功率 -
750千赫: - 45 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.98兆赫: - 60 dBc的@ 30 kHz的带宽
能够处理10 : 1 VSWR , @ 26伏直流电, 880兆赫, 120瓦( CW)
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
µ
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF9120R3
MRF9120LR3
880兆赫, 120 W, 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司
CASE 375B - 04 ,风格1
NI - 860
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
250
1.43
- 65 〜+ 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃,
°C
°C
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
值(1)
0.45
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
1 (最低)
M1 (最低)
(1)平均无故障时间计算器可在http://www.motorola.com/semiconductors/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
启示录7
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF9120R3 MRF9120LR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 200
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流,我
D
= 450 MADC )
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
g
fs
2
3
3.8
0.17
5.3
4
0.4
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1.3 ADC)
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 4 ADC)
动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
(1)设备的每一侧分别测得。
C
OSS
C
RSS
50
2
pF
pF
(续)
MRF9120R3 MRF9120LR3
2
摩托罗拉RF设备数据
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飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
功能测试
(在摩托罗拉测试夹具, 50欧姆系统)
(2)
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫, F2 = 880.1兆赫)
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫, F2 = 880.1兆赫)
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫, F2 = 880.1兆赫)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫, F2 = 880.1兆赫)
G
ps
15
16.5
dB
符号
典型值
最大
单位
η
36
39
%
IMD
- 31
- 28
dBc的
IRL
- 16
-9
dB
飞思卡尔半导体公司
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 895.0兆赫, F2 = 895.1兆赫)
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 895.0兆赫, F2 = 895.1兆赫)
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 895.0兆赫, F2 = 895.1兆赫)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦特PEP ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 895.0兆赫, F2 = 895.1兆赫)
功率输出, 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦CW ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫)
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦CW ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦CW ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F1 = 880.0兆赫)
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 120瓦CW ,我
DQ
= 2 ×500毫安,
F = 880.0兆赫, VSWR = 10 : 1 ,所有相位角在测试的频率)
( 2)设备测定的推 - 拉结构。
G
ps
16.5
dB
η
40.5
%
IMD
- 30
dBc的
IRL
- 13
dB
P
1dB
120
W
G
ps
16
dB
η
51
%
Ψ
在输出功率不降低
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MRF9120R3 MRF9120LR3
3
飞思卡尔半导体公司
B6
B3
V
GG
+
C30
C11
平衡 - 不平衡变压器1
R1
C8
Z16
Z18
Z20
Z22
C19
Z24
RF
输入
Z2
Z1
C2
C1
Z3
Z5
C3
Z7
C4
Z9
C5
Z11
C6
Z13
C7
R2
C9
B1
V
GG
+
C29
B2
C22
B5
+
C23
+
C24
+
C28
V
DD
Z15
Z25
Z17
Z19
C12
L2
Z21
Z23
C18
平衡 - 不平衡变压器2
DUT
C13 C14 C15 C16 C17
C20
Z4
Z6
Z8
Z10
Z12
Z14
Z26
Z27
RF
产量
C10
L1
B4
C21
+
C25
+
C26
+
C27
V
DD
飞思卡尔半导体公司
Z1
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
0.420″
0.090″
0.125″
0.095″
0.600″
0.200″
0.500″
x 0.080″
x 0.420″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.630″
x 0.630″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18, Z19
Z20, Z21
Z22, Z23
Z24, Z25
Z26
Z27
0.040 “× 0.630 ”微带
0.040 “× 0.630 ”微带
0.330 “× 0.630 ”微带
0.450 “× 0.630 ”微带
0.750 “× 0.220 ”微带
0.115 “× 0.420 ”微带
0.130 “× 0.080 ”微带
0.350 “× 0.080 ”微带
图1. 880 MHz的宽带测试电路原理图
MRF9120R3 MRF9120LR3
4
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表1 880 MHz的宽带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B3, B5, B6
B2, B4
C1, C2
C3, C6
C4
C5
C7, C8
C9, C10, C21, C22
C11, C12
C13
C14
C15
C16
C17
C18, C19
C20
C29, C30
C23, C24, C25, C26
C27, C28
平衡 - 不平衡变压器1 ,双绞线传输器2
L1, L2
R1, R2
WB1 , WB2 , WB3 , WB4
板材料
PCB
描述
龙铁氧体磁珠,表面贴装
短铁氧体磁珠,表面贴装
68 pF的贴片电容,B案例
0.8 - 8.0 pF的可变电容器
7.5 pF的贴片电容,B案例
3.3 pF的贴片电容,B案例
11 pF的贴片电容,B案例
51 pF的贴片电容,B案例
6.2 pF的贴片电容,B案例
4.7 pF的贴片电容,B案例
5.1 pF的贴片电容,B案例
3.0 pF的贴片电容,B案例
2.7 pF的贴片电容,B案例
0.6 - 4.5 pF的电容变
47 pF的贴片电容,B案例
0.4 - 2.5 pF的电容变
10
µF,
35 V片式钽电容器
22
µF,
35 V片式钽电容器
220
µF,
50 V电解电容器
杏儿表面贴装不平衡变压器
12.5 nH的小型电感器弹簧
510
Ω,
1/4 W¯¯贴片电阻
10万铜管上穿块
30万铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55铜包钢, 2盎司铜
蚀刻电路板
900 MHz的推 - 拉冯01B
900 MHz的推 - 拉冯01B
CMR
CMR
值, P / N或DWG
95F787
95F786
100B680JP500X
44F3360
100B7R5JP150X
100B3R3CP150X
100B110BCA500X
100B510JP500X
100B6R2BCA150X
100B4R7BCA150X
100B5R1BCA150X
100B2R7BCA150X
100B3R0BCA150X
44F3358
100B470JP500X
44F3367
93F2975
92F1853
14F185
3A412
A04T - 5
生产厂家
纽瓦克
纽瓦克
ATC
纽瓦克
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
纽瓦克
ATC
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
安伦
Coilcraft公司
阁楼
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C30
B3
B4
MRF9120
900兆赫
推挽
冯01B
B6
C27 V
DD
C10
Balun1
C2
输入
C1
C3
C4
WB2
C6
R2
C9
C8
WB1
切除区域
C11
WB3
C25 C26
C21
L1
C19
C17
C13−C15
C16
C18
L2
C20
产量
Balun2
R1
C5
C7
C12
WB4
C22
C23 C24
V
GG
C29
B1
B2
B5
C28 V
DD
图2: 865 - 895 MHz的宽带测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF9120R3 MRF9120LR3
5
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