MAX34334CSE 第1页-第2页 PDF中文翻译页面详情预览
奈纳半导体有限公司
特点
双二极管建设
低漏电流
低正向压降
高浪涌电流能力
MUR20005CT通
MUR20020CTR
超快速恢复二极管, 200A
超快速开关
双塔套餐
最大额定值
(T
J
= 25
o
C除非另有说明)
参数
反向重复峰值
电压
RMS反向电压
阻断电压DC
平均正向电流
非重复正向浪涌
目前,正弦半波
符号条件MUR20005CT ( R) MUR20010CT (R )
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
T
C
≤ 140
o
C
T
C
= 25
o
C
50
35
50
200
800
100
70
100
200
800
MUR20020CT (R)的单位
200
140
200
200
800
V
V
V
A
A
电气特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明)
参数
DC正向电压
符号
V
F
条件
I
F
= 50 A
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 25
o
C
V
R
= 50 V
T
J
= 125
o
C
I
F
= 0.5A
I
R
= 1.0A
I
RR
= 0.25A
MUR20005CT (R) - MUR20010CT (R) - MUR20020CT (R)的
1.3
25
1
75
1.3
25
1
75
1.3
25
1
75
单位
V
µA
DC反向电流
I
R
mA
nS
最大反向恢复
时间
t
rr
热特性
(T
J
= 25
o
C除非另有说明)
参数
热阻
结到外壳
经营,储存
温度范围
符号
R
THJ -C
T
J
,
T
英镑
MUR20005CT(R)
1.0
- 40〜 +175
MUR20010CT(R)
1.0
- 40〜 +175
MUR20020CT(R)
1.0
- 40〜 +175
单位
o
C / W
o
C
1
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度•电话: 0120-4205450 •传真: 0120-4273653
sales@nainasemi.com•www.nainasemi.com
奈纳半导体有限公司
包装外形
MUR20005CT通
MUR20020CTR
尺寸:mm
订购表
MUR
1
200
2
05
3
CT
4
1 - 设备类型
& GT ;
MUR =双二极管恢复模块
2 - 额定电流= I
F( AV )
3 - 电压=码×10 = V
RRM
4 - 极性
& GT ;
CT =正常(阴极基地)
& GT ;
CTR =反向(阳极基地)
2
D- 95 ,扇区63 ,诺伊达 - 201301 ,印度•电话: 0120-4205450 •传真: 0120-4273653
sales@nainasemi.com•www.nainasemi.com
相关元器件产品Datasheet PDF文档

MUR20020CT

Super Fast Recovery Diode, 200A
9 NAINA

MUR20020CT

HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS
10 AMERICASEMI

MUR20020CT

MUR200A/100V THRU MUR200A/600V超快恢复二极管整流模块
13 ASEMI

MUR20020CT

MUR20010CT MUR20040CT MUR20060CT
暂无信息
36 ASEMI

MUR20020CT

200 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts
130 MCC

MUR20020CTR

HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS
9 AMERICASEMI