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AGN2001H 超小型SLIM极化继电器 (ULTRA-SMALL PACKAGE SLIM POLARIZED RELAY)
.型号:   AGN2001H
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描述: 超小型SLIM极化继电器
ULTRA-SMALL PACKAGE SLIM POLARIZED RELAY
文件大小 :   105 K    
页数 : 4 页
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品牌   NAIS [ NAIS(MATSUSHITA ELECTRIC WORKS) ]
购买 :   
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100%
GN
检测
超小型封装
SLIM极化继电器
GN-继电器
由于高英法fi cient磁路DE-
征,漏通量减少和变化
从康波电气特性
堂费被安装在靠近在一起的
最小化。这一切都意味着包装
密度比以往任何时候都高。
•额定消耗功率: 140毫瓦
•卓越的振动和冲击重
电阻。
功能性耐冲击性:
750米/ s的
2
{75G}
破坏性冲击性:
千米/秒
2
{100G}
功能性抗振性:
10到55赫兹(在3.3双振幅
mm
0.130英寸)
破坏性的振动性:
10到55赫兹(在5毫米双振幅
.197英寸)
特点
10.60±0.3
.417±.012
5.70±0.3
.224±.012
9.00±0.3
.354±.012
10.60±0.3
.417±.012
5.70±0.3
.224±.012
Max.10.00
.394
•紧凑纤薄的机身节省空间
由于5.7的表面积小
mm
×
10.6 mm
0.224英寸
×
0.417英寸
9.0 mm低高度
0.354英寸,
该封装
老化密度可提高到允许
对于更小的设计。
•卓越的浪涌电阻。
浪涌开触点间耐压:
1,500 V 10
×
160
µ
S( FCC第68部分)
浪涌触点之间能承受
线圈:2,500 V 2
×
10
µ
S( Bellcore实验室)
•采用双横梁接触恩
SURES高接触可靠性。
银钯接触,是因为其良好的
硫化物去抵抗。采用低气
成型材料。线圈组件成型
技术避免了产生vola-
瓷砖气圈。
•提高封装密度
mm
特定网络阳离子
联系
安排
初始接触电阻,最大值
(通过电压下降6 V DC 1A )
触点材料
额定分断能力
(阻性负载)
马克斯。开关电源
(阻性负载)
马克斯。开关电压
马克斯。开关电流
分钟。交换容量
f
1
公称
操作
动力
单稳态
单线圈磁保持
机械( 180 CPM)
1 30 V DC
电阻
电动
( 20 CPM) 0.3 A 125 V AC
电阻
2 C型
100 m
文具:银钯+金包
活动:银钯
1 30 V DC
0.3 A 125 V AC
30 W, 37.5 V A
110 V DC , 125 V AC
1A
10
µ
10 mV的直流
140mW的( 1.5〜 12 V DC )
230MW ( 24 V DC )
为100mW ( 1.5〜 12 V DC )
120MW ( 24 V DC )
5
×
10
7
抗振性
10
5
10
5
有害
条件操作环境
化,运输和
温度
f
2
存储*
8
(不结冰和反对
湿度
densing低温环境
perature )
单位重量
注意事项:
f
1 ,此值可以改变由于开关频率,环境条件,
和所希望的可靠性水平,因此,建议用检查这
实际负荷。
f
2对于环境温度的上限是最大温度
可满足线圈温度上升。在包装条件下,允许
的温度范围是从-40到+70
°
C
–40
°
到158
°
F.
特征
初始绝缘电阻*
1
初始
击穿
电压*
2
断开触点间
接触组之间
分钟。 1,000MΩ以上
(在500V DC)
750 Vrms的1分钟。
1000 Vrms的1分钟。
1500 Vrms的1分钟。
1500 V( FCC第68部分)
2500 V( Bellcore实验室)
马克斯。 4毫秒(大约2 ms )
[最大。 4毫秒(大约2 ms )
马克斯。 4毫秒(约1毫秒)
[最大。 4毫秒(大约2 ms )
马克斯。 50
°
C
分钟。 750米/ s的
2
{75G]
分钟。千米/秒
2
{100G]
10到55赫兹,在双
为3.3mm振幅
10到55赫兹,在双
5mm的振幅
–40
°
C至85
°
C
–40
°
F到185
°
F
5〜85 %相对湿度
约。 1 g.035
oz
触点与线圈之间
断开触点间
初始浪涌( 10
×
160
µ
s)
电压
触点与线圈之间
(2
×
10
µ
s)
运行时间[设置时间] *
3
(在20
°
C)
释放时间(无二极管)
[复位时间] *
3
(在20
°
C)
温升*
4
(在20
°
C)
功能*
5
耐冲击性
破坏性*
6
功能*
7
等级
预期
寿命(分。
操作)
备注:
*特定连接的阳离子会随着国外标准CERTI网络阳离子评级。
*
1
测量在相同的位置"Initial击穿voltage"部分。
*
2
检测电流: 10毫安。
*
3
额定电压施加到线圈,不含触点弹跳。
*
4
通过电阻法,标称电压施加到线圈;联系负载电流:
1 A.
*
5
正弦半波脉冲: 6毫秒;检测时间: 10
µ
s.
*
6
6毫秒:正弦波半波脉冲。
*
7
检测时间: 10
µ
s.
*
8
参阅5.条件操作,运输和储存中提到
周围环境(第61页)
125
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