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NCE8205A NCE N沟道增强型功率MOSFET (NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET)
.型号:   NCE8205A
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描述: NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
文件大小 :   393 K    
页数 : 7 页
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品牌   NCEPOWER [ WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD ]
购买 :   
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100%
无铅产品
http://www.ncepower.com
NCE8205A
D1
D2
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE8205A采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
电池保护或其他开关应用。
S1
S2
G1
G2
原理图
一般特点
V
DS
= 20V ,我
D
= 6A
R
DS ( ON)
< 37.5mΩ @ V
GS
=2.5V
R
DS ( ON)
< 27.5mΩ @ V
GS
=4.5V
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
标志和引脚分配
应用
•电池
保护
●负载
开关
“权力
管理
TSSOP - 8顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
8205A
设备
NCE8205A
器件封装
TSSOP-8
带尺寸
Ø330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
I
D
漏电流脉冲(注1 )
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
极限
20
±10
6
25
1.5
-55到150
单位
V
V
A
A
W
83
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=20V,V
GS
=0V
20
典型值
最大
单位
V
1
μA
无锡NCE功率半导体有限公司
第1页
v1.0
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