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NCE8205
D1
D2
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE8205采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
电池保护或其他开关应用。
S1
S2
G1
G2
原理图
一般特点
V
DS
= 20V ,我
D
= 4A
R
DS ( ON)
< 45mΩ @ V
GS
=2.5V
R
DS ( ON)
< @ 30mΩ到V
GS
=4.5V
高功率和电流移交能力
被收购无铅产品
表面贴装封装
标志和引脚分配
应用
•电池
保护
●负载
开关
“权力
管理
SOT23-6L俯视图
包装标志和订购信息
器件标识
8205
设备
NCE8205
器件封装
SOT23-6L
带尺寸
Ø180mm
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
I
D
漏电流脉冲(注1 )
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻,结到环境(注2 )
R
θJA
极限
20
±10
4
25
1.25
-55到150
单位
V
V
A
A
W
100
/W
电气特性( TA = 25℃除非另有说明)
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=20V,V
GS
=0V
20
典型值
最大
单位
V
1
μA
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门体漏电流
基本特征(注3 )
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性(注4 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性(注4 )
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性
二极管的正向电压(注3 )
二极管的正向电流(注2 )
V
SD
I
S
V
GS
=0V,I
S
=2A
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10V,I
D
=4A,
V
GS
=4.5V
V
DD
=10V,I
D
=1A
V
GS
=4V,R
=10Ω
C
LSS
C
OSS
C
RSS
V
DS
=8V,V
GS
=0V,
F=1.0MHz
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=3A
V
DS
=5V,I
D
=4A
I
GSS
V
GS
=±10V,V
DS
=0V
NCE8205
±100
0.5
22
30
10
800
155
125
18
5
43
20
11
2.3
2.5
0.8
1.2
2
1.2
30
45
nA
V
mΩ
mΩ
S
PF
PF
PF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
V
A
注意事项:
1.
重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
2.
表面安装在FR4板,T
10秒。
3.
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2%.
4.
通过设计保证,不受生产
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典型的电气和热特性
VDD
Rl
D
G
S
VOUT
t
D(上)
t
on
t
r
90%
NCE8205
t
关闭
t
f
90%
t
D(关闭)
VIN
VGS
RGEN
V
OUT
10%
10%
90%
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图1 :开关测试电路
图2 :开关波形
T
J
-Junction温度(℃ )
I
D
- 漏电流( A)
P
D
功率(W)的
T
J
-Junction温度(℃ )
图3功率耗散
图4漏极电流
VDS漏源电压( V)
导通电阻导通电阻(mΩ )
I
D
- 漏电流( A)
图5的输出特性
I
D
- 漏电流( A)
图6漏源导通电阻
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归一化的导通电阻
I
D
- 漏电流( A)
VGS栅极 - 源极电压( V)
T
J
-Junction温度(℃ )
图7传输特性
导通电阻导通电阻(mΩ )
图8漏源导通电阻
Ç电容(pF )
VGS栅极 - 源极电压( V)
VDS漏源电压( V)
图9 VS导通电阻的Vgs
I
s
- 反向漏电流( A)
图10电容VS的Vds
VGS栅极 - 源极电压( V)
QG栅极电荷( NC)
VSD源极 - 漏极电压( V)
图11栅极电荷
图12源 - 漏极二极管正向
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I
D
- 漏电流( A)
VDS漏源电压( V)
图13
R(T ) ,归一化有效
瞬态热阻抗
安全工作区
方波时脉持续时间(秒)
图14归最大瞬态热阻抗
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