元器件型号: | 2SA1175EF |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 晶体 小信号双极晶体管 放大器 |
PDF文件: | 总3页 (文件大小:226K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SA1175EF参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | NEC ELECTRONICS AMERICA INC |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.78 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 250 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 180 MHz |
Base Number Matches | 1 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
晶体 小信号双极晶体管 放大器