元器件型号: | 2SA1458M |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR
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PDF文件: | 总3页 (文件大小:193K) |
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型号参数:2SA1458M参数 | |
生命周期 | Transferred |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.75 |
风险等级 | 5.15 |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
基于收集器的最大容量 | 4.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SINGLE |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 510 MHz |
Base Number Matches | 1 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-221VAR
晶体管| BJT | PNP | 40V V( BR ) CEO | 200MA I(C ) | TO- 221VAR\n