元器件型号: | 2SB1150L |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
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型号参数:2SB1150L参数 | |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.22 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 70 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
晶体管| BJT |达林顿| PNP | 60V V( BR ) CEO | 3A I(C ) | TO- 126VAR\n