2SB1150L [NEC]

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR ; 晶体管| BJT |达林顿| PNP | 60V V( BR ) CEO | 3A I(C ) | TO- 126VAR\n
2SB1150L
元器件型号: 2SB1150L
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
晶体管| BJT |达林顿| PNP | 60V V( BR ) CEO | 3A I(C ) | TO- 126VAR\n

晶体 晶体管
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型号参数:2SB1150L参数
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.22
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压70 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1