2SB605 [NEC]

PNP SILICON TRANSISTOR; PNP硅晶体管
2SB605
元器件型号: 2SB605
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

PNP SILICON TRANSISTOR
PNP硅晶体管

晶体 小信号双极晶体管 放大器
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型号参数:2SB605参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.83
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
VCEsat-Max0.35 V
Base Number Matches1