2SB810M [NEC]

TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR ; 晶体管| BJT | PNP | 25V V( BR ) CEO | 700MA I(C ) | TO- 221VAR\n
2SB810M
元器件型号: 2SB810M
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-221VAR
晶体管| BJT | PNP | 25V V( BR ) CEO | 700MA I(C ) | TO- 221VAR\n

晶体 小信号双极晶体管 放大器
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型号参数:2SB810M参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商NEC ELECTRONICS CORP
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.75
风险等级5.92
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
Base Number Matches1