2SB810 [NEC]

PNP SILICON TRANSISTOR; PNP硅晶体管
2SB810
元器件型号: 2SB810
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

PNP SILICON TRANSISTOR
PNP硅晶体管

晶体 小信号双极晶体管 放大器
PDF文件: 总2页 (文件大小:149K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:2SB810参数
生命周期Obsolete
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.84
最大集电极电流 (IC)0.7 A
基于收集器的最大容量40 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1