元器件型号: | 2SK2111 |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
PDF文件: | 总6页 (文件大小:60K) |
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型号参数:2SK2111参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NEC ELECTRONICS CORP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.35 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | GATE PROTECTED |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 1 A |
最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
N沟道MOS FET,用于高速开关