元器件型号: | NE722S01-T1 |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET |
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型号参数:NE722S01-T1参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD |
包装说明 | S01, 4 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.76 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW NOISE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 4 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.04 A |
FET 技术 | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带 | X BAND |
JESD-30 代码 | X-PXMW-G4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | MICROWAVE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NEC的C TO X波段N沟道的GaAs MES FET