NE722S01-T1 [NEC]

NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET; NEC的C TO X波段N沟道的GaAs MES FET
NE722S01-T1
元器件型号: NE722S01-T1
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NEC的C TO X波段N沟道的GaAs MES FET

晶体 小信号场效应晶体管 射频小信号场效应晶体管 放大器
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型号参数:NE722S01-T1参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
包装说明S01, 4 PIN
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.76
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压4 V
最大漏极电流 (ID)0.04 A
FET 技术METAL SEMICONDUCTOR
最高频带X BAND
JESD-30 代码X-PXMW-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1