元器件型号: | UPA1912TE |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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型号参数:UPA1912TE参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NEC ELECTRONICS CORP |
零件包装代码 | SC-95 |
包装说明 | THIN, MINIMOLD, SC-95, 6 PIN |
针数 | 6 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 5.32 |
其他特性 | ESD PROTECTED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 12 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
P沟道MOS场效应晶体管切换