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数据表
晶闸管
2S2M , 2S4M
2高速开关SCR
该2S2M和2S4M是P-门完全扩散模可控硅
平均导通电流为2 A的重复峰值断电压
(和反向电压)为200 V和400 V.
封装图(单位:mm )
特点
•该晶体管是专为高速开关,是
处理中使用在商用频率,高频脉冲
应用程序,以及逆变器的应用程序。
•该晶体管拥有一个小巧轻便的包装,
容易甚至在安装表面上,以处理由于其
TO- 202AA尺寸。引线加工和
使用夹具散热器(片)中也是可能的。
•采用阻燃环氧树脂(UL94V- 0)。
应用
消费电子euipments ,器件的光触发器
indutry ,逆变器和电磁阀驱动器
电极连接
<1>Cathode
<2>Anode
<3>Gate
标准体重: 1.4
* TC试验台标志
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
非重复性峰值反向电压
非重复峰值断态电压
反向重复峰值电压
重复峰值关断电压
平均通态电流
浪涌通态电流
通态电流高频峰值
熔断电流
通态电流临界上升率
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值正向电流
栅极峰值反向电压
结温
储存温度
符号
V
RSM
V
帝斯曼
V
RRM
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
I
TRM
i
t
dt
dI
T
/ DT
P
GM
P
G( AV )
I
FGM
V
RGM
T
j
T
英镑
2
2S2M
2S4M
评级
V
V
V
V
A
A
A
A
2
s
A/
µ
s
W
W
A
V
°C
°C
单位
R
GK
= 1 kΩ
R
GK
= 1 kΩ
R
GK
= 1 kΩ
R
GK
= 1 kΩ
请参考图6 SND 7 。
300
500
300
500
200
400
200
400
2 (TC = 77℃ ,单半波,
θ
= 180°)
20中(f = 50Hz时,正弦半波, 1个循环)
15 (TC = 65 ° C,F = 10 kp.p.s ,T
p
= 10
µ
s)
1.6 ( 1 ms≤t≤10毫秒)
50
0.5 ( f≥50赫兹, Duty≤10 % )
0.1
0.2 ( f≥50赫兹, Duty≤10 % )
6
−40
+125
−55
TP 150
请参考图2 。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13535EJ2V0DS00 ( 2NF版)
发布日期2002年4月ñ CP ( K)
日本印刷
©
2002
1998
2S2M , 2S4M
电气特性(T
j
= 25 ° C,R
GK
= 1 kΩ)
°
参数
符号
条件
特定网络阳离子
分钟。
重复峰值断态
当前
反向重复峰值
当前
ON电压
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
中高层场外的爆击率
态电压
保持电流
换向关断时间
I
DRM
V
DM
= V
DRM
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
RRM
V
RM
= V
RRM
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
d
V
/ DT
T
j
= 25 ° C,I
TM
= 4 A
V
DM
= 6 V ,R
L
= 100
V
DM
= 6 V ,R
L
= 100
T
j
= 125°C ,V
DM
=
1
V
DRM
2
T
j
= 125°C ,V
DM
=
2
V
DRM
3
0.2
10
典型值。
马克斯。
10
200
10
200
2.2
0.8
300
单位
备注
µ
A
µ
A
V
V
请参考图1 。
请参考图9 。
请参考图8 。
µ
A
V
V
V/
µ
s
I
H
T
q
T
j
= 25 ° C,V
D
= 24 V
T
j
≤ 125 ° C,I
T
= 2 A
V
DM
=
2
V
DRM
, V
R
= 50 V
3
d
V
/ DT = 10 V /
µ
s
T
j
= 125°C ,V
DM
=
2
V
DRM
3
I
TM
= 30 A
I
G
= 5毫安,T
1G
= 5
µ
s
10
15
mA
µ
s
开启时间
T
gt
2
µ
s
热阻
R
日(J -C )
R
号(j -a)的
结到外壳DC
结到环境的DC
10
75
° C / W
请参考图13 。
典型特性( TA = 25 ° C)
°
2
数据表D13535EJ2V0DS
2S2M , 2S4M
数据表D13535EJ2V0DS
3
2S2M , 2S4M
4
数据表D13535EJ2V0DS
2S2M , 2S4M
[备忘录]
数据表D13535EJ2V0DS
5
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