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描述:
NTE5342  1N6677UR-1  1434GL  
2SA1836 PNP硅外延晶体管 (PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
.型号:   2SA1836
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描述: PNP硅外延晶体管
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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数据表
PNP硅外延晶体管
2SA1836
PNP硅外延晶体管
描述
该2SA1836是PNP硅外延晶体管。
封装图(单位:mm )
0.3 ± 0.05
0.1
+0.1
–0.05
特点
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
高直流电流增益:H
FE2
= 200 TYP 。
高电压: V
首席执行官
=
−50
V
3
0-0.1
2
0.2
+0.1
–0
0.5
0.5
0.6
0.75 ± 0.05
1
绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
Note1
Note2
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
P
T
T
j
T
英镑
−60
−50
−5.0
−100
−200
200
150
-55到+ 150
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1.0
1.6 ± 0.1
总功率耗散(T
A
= 25°C)
结温
存储温度范围
1 :发射器
2 :基本
3 :收藏家
注意事项1 。
PW
10毫秒,占空比
50%
2
2.
当安装在3.0厘米陶瓷基板X 0.64毫米
电气特性(T
A
= 25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
测试条件
V
CB
=
−60
V,I
E
= 0
V
EB
=
−5.0
V,I
C
= 0
V
CE
=
−6.0
V,I
C
=
−0.1
mA
V
CE
=
−6.0
V,I
C
=
−1.0
mA
V
CE
=
−6.0
V,I
C
=
−1.0
mA
I
C
=
−100
妈,我
B
=
−10
mA
I
C
=
−100
妈,我
B
=
−10
mA
V
CE
=
−6.0
V,I
E
= 10毫安
V
CE
=
−6.0
V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
−100
−100
单位
nA
nA
50
90
200
−0.62
−0.18
−0.86
50
180
4.5
6.0
−0.3
−1.0
600
V
V
V
兆赫
pF
基地发射极电压
V
BE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
集电极饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
输出电容
脉冲: PW
350
µ
S,占空比
2%
h
FE
CLASSFICATION
记号
h
FE2
M4
90至180
M5
135〜 270
M6
200至400
M7
300至600
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文档编号
D15615EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2001年7月NS CP ( K)
日本印刷
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