电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
2SA1845 PNP硅外延晶体管的高速开关 (PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING)
.型号:   2SA1845
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: PNP硅外延晶体管的高速开关
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
文件大小 :   140 K    
页数 : 6 页
Logo:   
品牌   NEC [ NEC ]
购买 :   
  浏览型号2SA1845的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号2SA1845的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号2SA1845的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号2SA1845的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号2SA1845的Datasheet PDF文件第6页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
数据表
硅功率晶体管
2SA1845
PNP硅外延晶体管
对于高速切换
该2SA1845是高速交换开发的功率晶体管,并配有高ħ
FE
低V
CE ( SAT )
.
此晶体管是非常适合用作在直流/直流转换器和致动器的驱动。
此外,该晶体管的特征在于,可以自动地安装在径向带卷的包装,从而
有助于安装成本的降低。
特点
•自动安装可径向带卷
•树脂模制绝缘型包1.8 W的独立的条件下的额定功率
•高ħ
FE
低V
CE ( SAT )
:
V
CE ( SAT )
≤ −0.3
V
@I
C
=
−3.0
A,I
B
=
−0.15
A
h
FE
100
@V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−1.0
A
•开关速度快
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
基极电流(DC)的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
I
B( DC )
P
T
T
j
T
英镑
TA = 25°C
PW
300
µ
S,占空比
2%
条件
评级
−150
−100
−7.0
−5.0
−10
−2.5
1.8
150
−55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D15592EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年4月ñ CP ( K)
日本印刷
©
2002
1998
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7