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描述:
CTMD4P-6P4BAX1500  PL34120191000DJDF  SMBJ14  PIC16LF1825-I/ST  PMR2512-E-R050-A-3-D  ESC45DRYH  V375B28E24BL2  PMR2512E  SN74ACT7805-15DL  CTMD5J-4V5GAX1500  
2SA1845 PNP硅外延晶体管的高速开关 (PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING)
.型号:   2SA1845
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描述: PNP硅外延晶体管的高速开关
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
文件大小 :   140 K    
页数 : 6 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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100%
2SA1845
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
CER
条件
V
CB
=
−100
V,I
E
= 0
V
CE
=
−100
V ,R
EB
= 50
TA = 125°C
V
CE
=
−100
V, V
BE (OFF)的
= 1.5 V
V
CE
=
−100
V, V
BE (OFF)的
= 1.5 V
TA = 125°C
V
EB
=
−5.0
V,I
C
= 0
V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−0.5
A
V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−1.0
A
V
CE
=
−2.0
V,I
C
=
−3.0
A
I
C
=
−3.0
A,I
B
=
−0.15
A
I
C
=
−4.0
A,I
B
=
−0.2
A
I
C
=
−3.0
A,I
B
=
−0.15
A
I
C
=
−4.0
A,I
B
=
−0.2
A
V
CE
=
−10
V,I
C
=
−0.5
A
V
CB
=
−10
V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
I
C
=
−3.0
A
I
B1
=
−I
B2
=
−0.15
A
R
L
= 16.7
Ω,
V
CC
=
−50
V
150
130
0.3
1.4
0.4
100
100
60
−0.3
−0.5
−1.2
−1.5
400
分钟。
典型值。
马克斯。
−10
−1.0
−10
−1.0
−10
单位
µ
A
mA
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
CEX1
I
CEX2
µ
A
mA
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
基本饱和电压
增益带宽积
集电极电容
开启时间
贮存时间
下降时间
I
EBO
h
FE1
*
h
FE2
*
h
FE3
*
V
CE(sat)1
*
V
CE(sat)2
*
V
BE(sat)1
*
V
BE(sat)2
*
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
µ
A
V
V
V
V
兆赫
pF
µ
s
µ
s
µ
s
*脉冲试验PW
350
µ
S,占空比
2%
h
FE
分类
记号
h
FE
M
100至200
L
150至300
K
200至400
封装图(单位:mm )
编带标准
电极连接
1.基地
2.收集
3.辐射源
2
数据表D15592EJ2V0DS
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