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NBXSBA017  NBX-10911  NC316BU-1-AC-EU  NBXSBB024LN1TAG  NBXDBA019  NC316BU-16RPSDC  NC-2214T  NC316-3RPSAC  NBXSBA023  NC1206KN351KB  
NE722S01-T1B1 NEC的C TO X波段N沟道的GaAs MES FET (NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET)
.型号:   NE722S01-T1B1
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描述: NEC的C TO X波段N沟道的GaAs MES FET
NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
文件大小 :   130 K    
页数 : 6 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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100%
NEC的C TO X波段
N沟道的GaAs MES FET NE722S01
特点
•高功率增益:
GS = 6 dB典型值,在f = 12 GHz的
•输出功率
( 1 dB压缩) :
15分贝TYP在f = 12 GHz的
•低噪音/高增益:
NF = 0.9 dB典型值,嘎= 12 dB典型值在f = 4 GHz的
• GATE长度:
L
G
= 0.8
µm
(凹门)
•门宽:
W
G
= 400
µm
2
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形SO1
2.0 ± 0.2
1
2.
0
±
0.
2
描述
NEC的NE722S01是一种低成本的GaAs MESFET的适合
这两个放大器和振荡器的应用程序通过X波段。
该器件采用0.8微米的凹门,三重
外延技术,并使用离子注入捏造
对于改进的RF和DC性能和均匀性。这
器件的低相位噪声和高的fT使其成为一个优秀的
对数字LNB振荡器的应用选择(低
噪声模块) 。该NE722S01装在一个低成本的塑料
包是在磁带和卷轴可用。
NEC严格的质量保证和测试程序
确保最高的可靠性。
0.125 ± 0.05
P
3
0.65 TYP
1.9 ± 0.2
1.6
4
0.5
典型值
2.0±0.2
1.源
2.漏
3.源
4.门
1.5 MAX
最大0.4
4.0 ± 0.2
应用
• C到X波段低噪声放大器
• C到X波段振荡器
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS
g
m
G
S
P1dB
NF
Ga
参数和条件
门源漏电流,V
GS
= -5 V
饱和漏极电流,V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压,V
DS
= 3 V,I
D
= 100
µA
跨导,V
DS
= 3 V,I
DS
= 30毫安
功率增益,V
DS
= 3 V,I
DS
= 30 mA时, F = 12 GHz的
1 dB增益压缩点的输出功率
V
DS
= 3 V,I
DS
= 30 mA时, F = 12 GHz的
噪声系数,V
DS
= 3 V,I
DS
= 10 mA时, F = 4 GHz的
相关的增益,V
DS
= 3 V,I
DS
= 10 mA时, F = 4 GHz的
单位
uA
mA
V
mS
dB
DBM
dB
dB
60
-0.5
20
NE722S01
S01
典型值
1.0
90
45
6
15.0
0.9
12
_
最大
10
120
-4.0
美国加州东部实验室
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