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DAM7W2SOL3NMBK52  DAM7W2S1A0NNMBK52  DAMAM15S-A101  DAM15SA  DAM3WK3PNMBK52  DAM15SNMB77  DAM3HK3S-VNMBK52  DAM7W2PF179ANMBK52  DAM15SNM1A9N  DAMA15PNMBK52  
RD30EB7 500毫瓦DHD稳压二极管DO- 35 (500 mW DHD ZENER DIODE DO-35)
.型号:   RD30EB7
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描述: 500毫瓦DHD稳压二极管DO- 35
500 mW DHD ZENER DIODE DO-35
文件大小 :   96 K    
页数 : 12 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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数据表
齐纳二极管
RD2.0E到RD200E
500毫瓦DHD稳压二极管
(DO-35)
描述
NEC类型RD2.0E到RD200E系列是平面型齐纳二极管的
流行的DO- 35封装, DHD (双散热片二极管)建设
具有500毫瓦的允许功耗。为了满足各种应用
在客户,V
z
(齐纳电压)被分类成下紧公差
具体的后缀(B, B1到B7)。
包装尺寸
(单位:毫米)
φ
0.5
25分钟。
阴极
迹象
• DHD (双散热片二极管)建设
• V
z
:应用E24标准( RD130E到RD200E : 10伏步骤)
• DO- 35玻璃密封包装
φ
2.0 MAX 。
25分钟。
订购信息
RD2.0 E至RD39E带后缀“B1” , “B2” , “B3” , “ B4 ”,“ B5 ”,“ B6 ”或“ B7 ”
应适用于订单后缀“B”。
应用
电路的恒定电压,恒定电流,波形限幅器,电涌吸收器等。
绝对最大额定值(T
A
= 25 ˚C)
正向电流
功耗
浪涌反向功率
结温
储存温度
I
F
P
P
RSM
T
j
T
英镑
200毫安
500毫瓦
100 W( T = 10
µ
s)
175 ˚C
-65到+175 ˚C
到参照图17
一号文件D10213EJ5V0DS00 (第5版)
发布日期1998年12月ñ CP ( K)
日本印刷
©
4.2分钟。
特点
1981
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