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MVAHF2010AY  MVAH302527C  MVAH3025C  MVAH2025AAX  MVAH2010C  MVAH3010AX  MVAHF2010CX  MVAH502527CY  MVAH202527AAX  MVAH201027CY  
RD4.7JS DO- 34封装低噪音，夏普击穿特性400 mW的稳压二极管 (DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode)
.型号：   RD4.7JS
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描述： DO- 34封装低噪音，夏普击穿特性400 mW的稳压二极管
DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode
文件大小 ：   46 K    
页数 ： 8 页
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品牌 ：   NEC [ NEC ]
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100%
RD4.7JS到RD39JS
图。 5 P -T
A
等级
500
图。 6
γ
z
-V
z
特征
0.10
V
Z
温度系数法
− γ
Z
(%°C)
50
典型值。
V
Z
温度COEF网络cient
− γ
'Z
（毫伏/ ° C）
功耗为P（mW ）
400
0.08
%/°C
0.06
毫伏/°C的
40
30
300
0.04
20
200
= 5 mm
0.02
10
100
φ
3mm时， t为0.035毫米
（叶铜）
0
0
–0.02
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
环境温度T
A
(°C)
齐纳电压V
Z
(V)
图。 7 R
th
-S特性
600
结到环境
图。 8 ê
n
-V
z
特征
100
T
A
= 25
°C
F = 10至500千赫
典型值。
噪声E级
n
(
µ
V)
Themal阻抗R
th
（ ° C / W）
500
50
40
30
20
S
= 10 mm
300
= 5 mm
400
200
100
10
2
3
4
5
10
20
齐纳电压V
Z
(V)
30
40 50
0
20
40
60
80
100
P.C板的S尺寸（mm
2
)
图。 9浪涌反向功率额定值
1000
P
RSM
−
浪涌反向功率
−
W
T
A
= 25°C
不重复
P
RSM
t
T
100
10
1
1
µ
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
t
T
−
脉冲宽度
−
s
数据表D13937EJ5V0DS00
5
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