数据表

MOS集成电路

µ

PD44164084 ， 44164184 ， 44164364

18M - BIT DDRII SRAM

4字突发操作

描述

该

µ

PD44164084是2,097,152字×8位的

µ

PD44164184是1,048,576字由18位和

µ

PD44164364是制造与先进的CMOS一个524,288字由36位同步双数据速率静态RAM

技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。

该

µ

PD44164084,

µ

PD44164184及

µ

PD44164364集成了独特的同步外围电路和一个

突发计数器。由输入时钟对控制的所有的输入寄存器（K和/ K）被锁存K上的正边缘和

/K.

这些产品适合于应用程序，需要同步操作，高速，低电压，高

密度和宽位配置。

这些产品被包装在165引脚塑料BGA 。

特点

•

1.8 ±0.1 V电源和HSTL I / O

•

DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放

•

流水线双倍数据速率操作

•

常见的数据输入/输出总线

•

四剔爆，可降低频率地址

•

两个输入时钟（K和/ K ）用于精确DDR定时，只有时钟上升沿

•

精确的飞行时间两个输出时钟（C和/ C ）

和时钟歪斜匹配时钟和数据一起传送到接收设备

•

内部自定时写控制

•

时钟停止与能力

µ

s重启

•

用户可编程的输出阻抗

•

快时钟周期时间： 4.0 ns的（ 250兆赫） ， 5.0纳秒（ 200兆赫） ， 6.0纳秒（ 167兆赫）

•

为便于深度扩展简单的控制逻辑

•

JTAG边界扫描

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一号文件M15822EJ7V1DS00 （第7版）

发布日期

七月

2004年NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

2001