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UPD44164184F5-E50-EQ1 18M位DDRII SRAM 4字突发操作 (18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION)
.型号:   UPD44164184F5-E50-EQ1
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描述: 18M位DDRII SRAM 4字突发操作
18M-BIT DDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
文件大小 :   391 K    
页数 : 32 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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100%
数据表
MOS集成电路
µ
PD44164084 , 44164184 , 44164364
18M - BIT DDRII SRAM
4字突发操作
描述
µ
PD44164084是2,097,152字×8位的
µ
PD44164184是1,048,576字由18位和
µ
PD44164364是制造与先进的CMOS一个524,288字由36位同步双数据速率静态RAM
技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。
µ
PD44164084,
µ
PD44164184及
µ
PD44164364集成了独特的同步外围电路和一个
突发计数器。由输入时钟对控制的所有的输入寄存器(K和/ K)被锁存K上的正边缘和
/K.
这些产品适合于应用程序,需要同步操作,高速,低电压,高
密度和宽位配置。
这些产品被包装在165引脚塑料BGA 。
特点
1.8 ±0.1 V电源和HSTL I / O
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放
流水线双倍数据速率操作
常见的数据输入/输出总线
四剔爆,可降低频率地址
两个输入时钟(K和/ K )用于精确DDR定时,只有时钟上升沿
精确的飞行时间两个输出时钟(C和/ C )
和时钟歪斜匹配时钟和数据一起传送到接收设备
内部自定时写控制
时钟停止与能力
µ
s重启
用户可编程的输出阻抗
快时钟周期时间: 4.0 ns的( 250兆赫) , 5.0纳秒( 200兆赫) , 6.0纳秒( 167兆赫)
为便于深度扩展简单的控制逻辑
JTAG边界扫描
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并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M15822EJ7V1DS00 (第7版)
发布日期
七月
2004年NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2001
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