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UPD44325084F5-E50-EQ2 36M位QDRII SRAM 4字突发操作 (36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION)
.型号:   UPD44325084F5-E50-EQ2
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描述: 36M位QDRII SRAM 4字突发操作
36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
文件大小 :   367 K    
页数 : 36 页
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品牌   NEC [ NEC ]
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100%
初步数据表
MOS集成电路
µ
PD44325084 , 44325094 , 44325184 , 44325364
36M位QDR
TM
II SRAM
4字突发操作
描述
µ
PD44325084是4,194,304字×8位的
µ
PD44325094是4,194,304字由9位中,
µ
PD44325184是
2097152字由18位和
µ
PD44325364是1,048,576字由36位同步四倍数据速率静态RAM
制作与使用全CMOS六晶体管存储器单元先进的CMOS技术。
µ
PD44325084,
µ
PD44325094,
µ
PD44325184及
µ
PD44325364整合独特的同步外设
电路和一个脉冲串计数器。由输入时钟对控制所有输入寄存器( K和/ K )被锁定在正
K和/ K的边缘。
这些产品适合于应用程序,需要同步操作,高速,低电压,高密度
和宽位配置。
这些产品被包装在165引脚塑料FBGA 。
特点
1.8 ±0.1 V电源和HSTL I / O
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放
分开独立的读写并发交易数据端口
100%的总线利用率的DDR读写操作
四剔爆,可降低频率地址
两个输入时钟(K和/ K )用于精确DDR定时,只有时钟上升沿
精确的飞行时间两个输出时钟(C和/ C )
和时钟歪斜匹配时钟和数据一起传送到接收设备
内部自定时写控制
时钟停止与能力
µ
s重启
用户可编程的输出阻抗
快时钟周期时间: 3.3 ns的( 300兆赫) , 4.0纳秒( 250兆赫) , 5.0纳秒( 200兆赫)
为便于深度扩展简单的控制逻辑
JTAG边界扫描
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证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件M16784EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2004年10月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2003
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