ED21QA10 [NIEC]
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.9A, 100V V(RRM), Silicon, SMD, 2 PIN;
| 型号： | ED21QA10 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.9A, 100V V(RRM), Silicon, SMD, 2 PIN 二极管 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：61K) |
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ショットキーバリアダイオード
Schottky Barrier Diode
ＳＭＤ Type
2A 100V Tjw150
℃
外 形 図
ED21QA10
構造
Construction
用途
ショットキーバリアダイオード
Schottky barrier Diode
高周波整流用
Application
High frequency rectification
0.06
質量： ｇ
■最大定格 MAXIMUM RATINGS
Item
Symbol
Condition
Max. Rated value
Unit
V
くり返しピーク逆電圧
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
100
2.0
50Hz正弦半波通電
Tl= 106℃,VRM= 100V
Ta= 30℃,VRM=100V *1
A
A
Half sine wave
抵抗負荷
平均整流電流
IO
Average rectified forward current
0.９
Resistance load
実効順電流
R.M.S. forward current
IF(RMS)
IFSM
Tjw
3.14
50
A
50Hz正弦半波1サイクル 非くり返し
50Hz half sine wave 1cycle, non-repetitive
サージ順電流
Surge forward current
A
動作接合温度範囲
Operating junction temperature range
－40～+150
－40～+150
℃
℃
保存温度範囲
Storage temperature range
Tstg
■ 電気的・熱的特性 ELECTRICAL / THERMAL CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Condition
Min. Typ. Max.
Unit
mA
VRM=VRRM
IFM=2A
Tj=25℃
ピーク逆電流
－
－
－
－
－
－
－
－
IRM
1.0
0.85
23
Peak reverse current
Tj=25℃
ピーク順電圧
VFM
V
Peak forward voltage
接合部・リード間
℃/W
℃/W
Rth(j-l)
Rth(j-a)
Junction to Lead
熱抵抗
Thermal resistance
接合部・周囲間
＊1
150
Junction to Ambient
＊ 1：アルミナ基板実装／Alumina Substrate Mounted（Soldering Land=2×2mm,Both Sides）
ＥＤ２１ＱＡ 外形図（単位：ｍｍ）
順ꢀ電ꢀ圧ꢀ特ꢀ性
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
ED21QA10
10
5
瞬
時
順
電
流
2
1
Tj=25°C
Tj=150°C
0.5
（Ａ）
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
瞬ꢀ時ꢀ順ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
0°
180°
平ꢀ均ꢀ順ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失ꢀ特ꢀ性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
q
通流角
CONDUCTION ANGLE
ED21QA10
2.4
D.C.
平
均
順
電
力
損
失
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
RECT 180°
HALF SINE WAVE
RECT 120°
RECT 60°
（Ｗ）
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
平ꢀ均ꢀ順ꢀ電ꢀ流ꢀ（Ａ）
ピーク逆電流ꢀ－ꢀピーク逆電圧特性
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
Tj= 150 °C
ED21QA10
10
ピ
｜
ク
逆
電
流
5
（ｍＡ）
2
0
20
40
60
80
100
120
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
ED21QA10
D.C.
RECT 300°
RECT 240°
RECT 180°
0.8
0.6
0.4
0.2
0
平
均
逆
電
力
損
失
HALF SINE WAVE
（Ｗ）
0
20
40
60
80
100
120
REVERSE VOLTAGE (V)
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
0°
180°
平ꢀ均ꢀ順ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀリꢀーꢀドꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. LEAD TEMPERATURE
q
通流角
CONDUCTION ANGLE
VRM=100V
ED21QA10
3.5
D.C.
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
平
均
順
電
流
RECT 180°
HALF SINE WAVE
RECT 120°
RECT 60°
（Ａ）
0
25
50
75
100
125
150
LEAD TEMPERATURE (°C)
リꢀーꢀドꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）
0°
180°
平ꢀ均ꢀ順ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀ周ꢀ囲ꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. AMBIENT TEMPERATURE
q
通流角
CONDUCTION ANGLE
Alumina Subatrate Mounted (Soldering Land=2×2mm), VRM=100V
ED21QA10
D.C.
1.6
平
均
順
電
流
1.2
0.8
0.4
0
RECT 180°.
RECT 120°.
HALF SINE WAVE.
RECT 60°.
（Ａ）
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
周ꢀ囲ꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）
サꢀーꢀジꢀ順ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格
SURGE CURRENT RATINGS
f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
ED21QA10
60
50
サ
｜
ジ
順
電
流
40
30
20
（Ａ）
10
0
I
FSM
0.02s
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
TIME (s)
時ꢀ間ꢀ（ｓ）
接ꢀ合ꢀ容ꢀ量ꢀ特ꢀ性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
Tj=25°C,Vm=20mVRMS,f=100kHz,Typical Value
ED21QA10
200
100
50
接
合
容
量
（ｐＦ）
20
10
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
REVERSE VOLTAGE (V)
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
相关型号：
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