P2HM755HA [NIEC]
MOSFET 75A 500A; MOSFET 75A 500A
| 型号： | P2HM755HA |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | MOSFET 75A 500A |
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PDM755HA
P2HM755HA
MOSFET 75A 500V
P2HM755HA
PDM755HA
108.0
108.0
質量 Approximate Weight :220g
■最大定格 Maximum Ratings
質量 Approximate Weight :220g
項
目
記 号
耐 圧・クラス Grade
PDM755HA / P2HM755HA
500
単位
Symbol
Unit
Rating
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
VGSS
ID
V
V
Drain-Source Voltage
VGS=0V
ゲート・ソース間電圧
Gate-Source Voltage
±20
Duty=50%
D.C.
ドレイン電流（連続）
Continuous Drain Current
75（Ｔc=25℃）
53（Ｔc=25℃）
A
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current
全損失
150（Ｔc=25℃）
500（Ｔc=25℃）
－40～+150℃
IDM
PD
A
W
Total Power Dissipation
動作接合温度範囲
℃
Tjw
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
－40～+125℃
℃
Tstg
Viso
Ftor
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
2000
V
RMS Isolation Voltage
端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .
3.0（本体取付 Module Base to Heat sink）
2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals）
締付トルク
N・m
Mounting Torque
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherw ise noted）
特性値（最大）
M axim um Value
項ꢀꢀꢀ目
Characteristic
記号
Sym bol
条ꢀꢀꢀ件
Condition
単位
Unit
最小 標準 最大
M in. Typ. M ax.
VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
─
─
1
4
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
m A
Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V
VDS＝VGS, ID＝5m A
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
VG（S th）
2
2.9
─
4
V
μA
m Ω
V
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
IGSS
VGS＝±20V, VDS＝0V
VGS＝10V, ID＝35A
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
10
65
2.9
─
─
─
─
─
─
─
─
ドレイン・ソース間オン抵抗（M OSFET部）
Static Drain-Source On-Resistance
rD（S on）
55
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
VD（S on） VGS＝10V, ID＝35A
2.4
75
順伝達コンダクタンス
Forw ard Transconductance
gfg
VDS＝15V, ID＝35A
S
入力容量
Input Capacitance
Ciss
Coss
Crss
t（d on）
tr
16
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1M Hz
出力容量
Output Capacitance
1.8
0.4
180
70
帰還容量
Reverse Transfer Capacitance
ターン・オン遅延時間
Turn-On Delay Tim e
上昇時間
Rise Tim e
VDD＝1/2VDSS
ID＝35A
VGS＝－5V, ＋10V
RG＝5Ω
ターン・オン遅延時間
Turn-Off Delay Tim e
t（d off）
tf
390
50
下降時間
Fall Tim e
■内部ダイオード定格・特性ꢀSource-D rain D iode Ratings and Characteristics（＠T
C
＝25℃ unless otherw ise noted）
特性値（最大）
M axim um Value
項ꢀꢀꢀ目
Characteristic
記号
Sym bol
条ꢀꢀꢀ件
Condition
単位
最小 標準 最大
Unit
M in. Typ. M ax.
ソース電流（連続）
Continuous Source Current
IS
ISM
VSD
trr
D. C.
─
─
─
─
─
─
─
53
150
1.8
─
A
A
パルスソース電流
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧
Diode Forw ard Voltage
IS＝75A
IS＝75A
─
V
逆回復時間
Reverse Recovery Tim e
70
ns
μC
－diS/dt＝100A /μs
逆回復電荷
Reverse Recovery Charge
Qr
0.15
─
■熱抵抗特性ꢀTherm al Characteristics
特性値（最大）
M axim um Value
項ꢀꢀꢀ目
Characteristic
記号
条ꢀꢀꢀ件
Condition
単位
Unit
最小 標準 最大
M in. Typ. M ax.
Sym bol
Rt（h j-c）
Rt（h c-f）
M OSFET
Diode
─
─
─
─
0.25
2.0
熱抵抗（接合部－ケース間）
Therm al Resistance, Junction to Case
℃/W
接触熱抵抗（ケース－冷却フィン間）
Therm al Resistance, Case to Heatsink
サーマルコンパウンド塗布
M ounting surface flat, sm ooth, and greased
─
─
0.1
─ 329 ─
■定格・特性曲線
Fig. 1 Typical O utput C haracteristics
Fig. 2 Typical D rain-Source O n-Voltage
Fig. 2 Vs. G ate-Source Voltage
Fig. 3 Typical D rain-Source O n Voltage
Fig. 3 Vs. Junction Tem perature
TC=25℃ 250μs Pulse Test
TC=25℃ 250μs Pulse Test
VGS=10V 250μs Pulse Test
150
120
90
60
30
0
8
6
4
2
0
16
12
8
V
on(V)
ID=75A
S
DS
VGS=10V
8V
ID=75A
V
V
E
(A)
G
A
E
D
A
T
L
T
L
O
V
O
V
6V
35A
20A
35A
DACURENTI
E
SRUCEON
4
O
T
O
T
20A
5V
I
DRAIN
0
0
2
4
6
8
10
12
0
4
8
12
16
-40
0
40
80
120
160
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
JUNCTION TEMPERATURE Tj (ꢀ℃)
Fig. 4 Typical C apacitance
Fig. 5 Typical G ate C harge
Fig. 6 Typical Sw itching Tim e
Fig. 4 Vs. D rain-Source Voltage
Fig. 5 Vs. G ate-Source Voltage
Fig. 6 Vs. Series G ate im pedance
VGS=0V f=1M Hz
ID=50A
ID=35A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
td(off)
24
20
16
16
5
VDD=100V
250V
400V
tr
V()
2
1
td(on)
SG
12
8
V
E
)s
tf
G
A
Ciss
T
L
O
ITEMt(
12
8
0.5
ANEC(nF)
CIT
A
OSURCVE
P
0.2
0.1
O
WSTCHNIG
4
ET
4
AG
Coss
0
0
0.05
1
2
5
10
20
50
100
0
200
400
600
800
2
5
10
20
50
100
200
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC)
SERIES GATE IMPEDANCE RG (Ωꢀ)
Fig. 7 Typical Sw itching Tim e
Fig. 7 Vs. D rain C urrent
Fig. 8 Typical Source-D rain D iode Forw ard
Fig. 8 C haracteristics
Fig. 9 Typical Reverse Recovery C haracteristics
RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
250μs Pulse Test
IS=75A ꢀIS=35A Tj=125℃
1000
500
180
150
120
90
500
trr
td(off)
tr
200
100
50
n(s)
r
A()
S
200
td(on)
tf
A()
E
R
Y
Tj=125℃
TIMEt(ns)
EVR
100
50
IR
Tj=25℃
60
20
10
5
SWTCHING
OSCURENTI
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
E
VSUCRENTI
30
0
20
10
2
5
10
20
50
100
200
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
100
200
300
400
500
600
DRAIN CURRENT ID (A)
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V)
-dis/dt (A/μs)
Fig. 10 M axim um Safe O perating A rea
Fig. 11-1
N orm alized Transient Therm al
im pedance(M O SFET)
2
1
TC=25℃ Tj=150℃M A X Single Pulse
200
100
50
0.5
NACE
10μs
0.2
0.1
]
100μs
ht(j-)c
Per Unit Base
Rth(j-c)=0.25℃/W
1 Shot Pulse
0.05
/R
(A)
0.02
0.01
20
10
5
D
1m s
ht(j-)c
I
M
[r
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
Operation in this area
is lim ited by RDS (on)
PULSE DURATION t (s)
10m s
Fig. 11-2
N orm alized Transient Therm al
im pedance(D IO D E)
2
1
2
1
DACURENTI
0.5
NACE
DC
0.2
0.1
0.5
]
ht(j-)c
Per Unit Base
Rth(j-c)=2.0℃/W
1 Shot Pulse
0.05
/R
0.2
1
2
5
10 20
50 100 200 5001000
0.02
0.01
ht(j-)c
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
I
M
[r
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
PULSE DURATION t (s)
─ 330 ─
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