PDH20116 [NIEC]
150A Avg 800 Volts; 150A平均800伏
| 型号： | PDH20116 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | 150A Avg 800 Volts |
| 文件： | 总3页 (文件大小：375K) |
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PDT20116
PDH20116
THYRISTOR 150A Avg 800 Volts
■回路図ꢀCIRCUIT
■外形寸法図ꢀOUTLINE DRAWING （単位ꢀDimension：mm）
PDT
K2 G2
K1 G1
3
3
1
2
2
PDH
1
K1 G1
■最大定格ꢀMaximum Ratings
耐圧クラスꢀGrade
単位
Unit
項ꢀꢀꢀ目
Parameter
記号
Symbol
VDRM
VDSM
VRRM
VRSM
PDT20116/PDH20116
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
1600
1700
1600
1700
V
V
V
V
単位
Unit
項ꢀꢀꢀ目
Parameter
記号
条ꢀꢀꢀ件
Conditions
商用 波数ꢀ180°通電
Half Sine Wave
定格値
Symbol
Max. Rated Value
平均整流電流
Tc＝71℃
I0（AV）
IT（RMS）
ITSM
I2t
200
A
A
Average Rectified Output Current
実効オン電流
314
RMS On-State Current
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間積
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
50Hz正弦半波，１サイクル，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
4000
A
２～10ms
80000
A2s
A/μs
W
W
A
VD=2/3VDRM，ITM=2・I O，Tj＝125℃
IG=300mA，diG/dt=0.2A/μs
di/dt
PGM
100
5
P（G AV）
IGM
1
2
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
VGM
10
5
V
VRGM
Tjw
V
－40～＋125
－40～＋125
2500
℃
℃
V
Tstg
絶縁耐圧
Isolation Voltage
端子－裏面ベース間，AC１分間
Terminal to Base, AC１min.
Viso
ベース部
サーマルコンパウンド塗布
M6
2.5～3.5
N・m
Mounting
Greased
締付トルク
Mounting Torque
FW
主端子部
M6 2.5～3.5 N・m
Terminal
１アーム当りの値ꢀValue Per 1 Arm.
─ 245 ─
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics
特性値（最大）
Maximum Value
最小 標準 最大
Min. Typ. Max.
項ꢀꢀꢀ目
Parameter
記号
Symbol
条ꢀꢀꢀ件
Conditions
単位
Unit
ピークオフ電流
IDM
IRM
Tj=125℃，VDM=VDRM
80
80
1.4
mA
mA
V
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
Peak On-State Voltage
Tj=125℃，VRM=VRRM
Tj=25℃，ITM=600A
VTM
Tj=－40℃
Tj= 25℃
Tj= 125℃
Tj=－40℃
Tj= 25℃
Tj= 125℃
300
150
80
5
3
2
mA
mA
mA
V
V
V
トリガゲート電流
IGT
VD=6V，IT=1A
VD=6V，IT=1A
Gate Current to Trigger
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
非トリガゲート電圧
VGD
dv/dt
tq
Tj=125℃，VD=2/3VDRM
Tj=125℃，VD=2/3VDRM
0.25
500
100
6
V
V /μs
μs
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
Tj=125℃，ITM=IO，VD=2/3VDRM
dv/dt=20V/μs，VR=100V，－di/dt=20A/μs
tgt
μs
Tj=25℃，VD=2/3VDRM
IG=300mA，diG/dt=0.2A/μs
遅
れ時間
td
2
μs
Delay Time
立上がり時間
Rise Time
tr
4
μs
ラッチング電流
IL
Tj=25℃
Tj=25℃
100
60
mA
mA
Latching Current
保持電流
Holding Current
IH
熱抵抗
接合部
－ケース間
Rt（h j-c）
Rt（h c-f）
0.2
℃/W
Thermal Resistance
Junction to Case,
サ
イ
リ
ス
タ
モ
ジ
ュ
ー
ル
接触熱抵抗
Thermal Resistance
ケース－フィン間，サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin, Greased
0.1
℃/W
質量…約280g
Approximate Weight
１アーム当りの値ꢀValue Per 1 Arm.
■定格・特性曲線
─ 246 ─
─ 247 ─
相关型号：
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