PDH400N8 [NIEC]
Silicon Controlled Rectifier,;
| 型号： | PDH400N8 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, |
| 文件： | 总4页 (文件大小：808K) |
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PDT400N8 PDH400N8
PCH400N8 PAT400N8
PAH400N8
ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ
400Ａ Ａvg 800 Ｖolts
■回路図 CIRCUIT
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Dimension:［mm］
■最大定格 Ｍaximum Ratings
項 目
Parameter
記号
Symbol
耐圧クラス Grade
単位
Unit
PDT／PDH／PCH／PAT／PAH400N8
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
VDRM
VDSM
VRRM
VRSM
800
900
800
900
V
V
V
V
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
平均オン電流
Average On-State Current
実効オン電流
記号
Symbol
条 件
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
Conditions
商用周波数180°通電
Half Sine Wave
Tc =78℃
Io (AV)
IT(RMS)
ITSM
I2t
400
A
A
630
RMS On-State Current
サージオン電流
50Hz 正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
7500
A
Surge On-State Current
電流二乗時間積
2～10ms
A2ｓ
A/μs
W
281000
I Squared t
VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
di/dt
PGM
PG(AV)
IGM
100
5
1
W
2
10
A
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
VGM
VRGM
Tjw
V
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動作接合温度範囲
5
V
-40 ～+125
-40 ～+125
℃
℃
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Tstg
Viso
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
端子－ベース間，AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
2500
V
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
2.5 ～3.5
N・m
M6
M8
Greased
締付トルク
Mounting Torque
Ｆ
主端子部
Terminal
9.0 ～10.0
N・m
■電気的特性 Electrical Characteristics
特性値（最大）
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
項 目
Parameter
記号
Symbol
条 件
Conditions
単位
Unit
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Tj = 125℃, VDM= VDRM
IDM
IRM
50
50
mA
mA
V
Tj = 125℃, VRM = VRRM
Tj = 25℃, ITM= 1300A
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
VTM
1.43
Peak Off-State Voltage
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
300
150
80
5
3
2
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
IGT
VD= 6 V, IT= 1A
mA
V
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD= 6 V, IT= 1A
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
VGD
dv/dt
t q
0.25
500
V
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
V/μs
μs
Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
μs
t gt
6
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM
IG= 300mA, diG/dt = 0.2A/μs
μs
t d
2
Delay Time
立ち上がり時間
μs
t r
4
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Tj =25℃
Tj =25℃
I L
150
60
mA
mA
℃/W
℃/W
I H
Holding Current
熱抵抗
接合部－ケース間
Junction to Case
ｹｰｽ-ﾌｨﾝ間，ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin, Greased
R
0.08
0.05
th(j-c)
Thermal Resistance
接触熱抵抗
R
th(c-f)
Thermal Resistance
質 量－－－ 約960 g
１アーム当りの値 Value Per 1 Arm.
Approximate Weight
■定格・特性曲線
－40℃
ＰＧＭ＝ 5W
ｆ≧ 50Ｈｚ
duty ≦ 20％
25℃
125℃
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