PGH1508AM [NIEC]

Park of diode Bridge & Thyristor; 二极管桥和晶闸管公园
PGH1508AM
型号: PGH1508AM
厂家: NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION    NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION
描述:

Park of diode Bridge & Thyristor
二极管桥和晶闸管公园

二极管
文件: 总3页 (文件大小:218K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
PGH 1508A M  
T H Y R IS T O R  
150A A vg 800 Volts  
■回路図ꢀCIRCU IT  
■外形寸法図ꢀO U TLIN E D RAW IN G  
(単位ꢀDim ension:m m )  
G
R4  
+5  
-6  
A C1  
A C2  
A C3  
総合定格・特性ꢀPart of D iode Bridge & Thyristor  
■最大定格ꢀM axim um Ratings  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
定格値  
M ax. Rated Value  
単位  
Unit  
Tc=102電圧印加なし)  
Non-Bias  
Tc= 77電圧印加あり)  
Bias  
150  
150  
A
A
三相全波整流  
3-Phase Full  
W ave Rectified  
平均出力電流  
A verage Rectified Output Current  
I0(A V)  
動作接合温度範囲  
Operating Junction Tem perature Range  
保存温度範囲  
Storage Tem perature Range  
絶縁耐圧  
Isolation Voltage  
125~150℃はサイリスタ部に電圧印加しない事  
Tj125℃, Can not be Biased for Thyristor.  
Tjw  
-40~+150  
-40~+125  
2000  
Tstg  
Viso  
端子-ベース間,A C分間  
Term inal to Base, A Cm in.  
サーマルコンパウンド塗布  
V
ベース部  
M ounting  
主端子部  
Term inal  
ゲート端子部  
Gate Term inal  
M 6  
2.5~3.5  
2.5~3.5  
1.2~1.6  
Nm  
Nm  
Nm  
Greased  
締付トルク  
M ounting Torque  
F
M 6  
M 4  
■熱特性ꢀTherm al Characteristics  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
特性値(最大)  
M axim um Value  
単位  
Unit  
接触熱抵抗  
Therm al Resistance  
ケース-フィントータルサーマルコンパウンド塗布  
Case to Fin, Total, Greased  
Rth c-f)  
0.06  
℃/W  
質量ꢀA pproxim ate W eight約530g  
ダイオードブリッジ部(6子) Part of D iode Bridge6dies)  
■最大定格ꢀM axim um Ratings  
耐圧クラスꢀGrade  
PGH1508A M  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
単位  
Unit  
くり返しピーク逆電圧  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
非くり返しピーク逆電圧  
*1  
*1  
VRRM  
VRSM  
800  
900  
V
V
Non Repetitive Peak Reverse Voltage  
単位  
Unit  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
定格値  
M ax. Rated Value  
サージ順電流  
Surge Forw ard Current  
電流二乗時間積  
I Squared t  
許容周波数  
*1  
*1  
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し  
Half Sine W ave, 1Pulse, Non-Repetitive  
IFSM  
1100  
6050  
400  
A
2
It  
2~10m s  
A
2s  
f
Hz  
A llow able Operating Frequency  
.*1:1アーム当りの値ꢀValue Per 1 A rm .  
─ 296 ─  
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
特性値(最大)  
M axim um Value  
単位  
Unit  
ピーク逆電流  
Peak Reverse Current  
ピーク順電圧  
Peak Forw ard Voltage  
熱抵抗  
Therm al Resistance  
*1  
*1  
IRM  
Tj=125℃,VRM =VRRM  
15  
m A  
V
VFM  
Tj= 25℃,IFM =150A  
1.20  
0.14  
接合部-ケース間(トータル)  
Junction to Case, Total  
Rth j-c)  
℃/W  
*1:1アーム当りの値ꢀValue Per 1 A rm .  
サイリスタ部(1子) Part of Thyristor1die)  
■最大定格ꢀM axim um Ratings  
耐圧クラスꢀGrade  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
単位  
Unit  
PGH1508A M  
800  
くり返しピークオフ電圧  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
非くり返しピークオフ電圧  
Non Repetitive Peak Off-State Voltage  
くり返しピーク逆電圧  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
非くり返しピーク逆電圧  
Non Repetitive Peak Reverse Voltage  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
V
V
V
V
900  
800  
900  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
定格値  
M ax. Rated Value  
単位  
Unit  
サージオン電流  
Surge On-State Current  
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し  
Half Sine W ave, 1Pulse, Non-Repetitive  
ITSM  
2700  
A
電流二乗時間積  
I Squared t  
臨界オン電流上昇率  
Critical Rate of Rise of Turned-On Current  
ピークゲート電力損失  
Peak Gate Pow er  
平均ゲート電力損失  
A verage Gate Pow er  
ピークゲート電流  
Peak Gate Current  
ピークゲート電圧  
Peak Gate Voltage  
ピークゲート逆電圧  
2
It  
2~10m s  
36400  
A
2s  
VD=2/3VDRM ITM =2IOTj=125℃  
IG=300m A ,diG/dt=0.2A /μs  
di/dt  
PGM  
100  
5
A /μs  
W
W
A
V
V
PG A V)  
IGM  
1
2
VGM  
10  
5
VRGM  
Peak Gate Reverse Voltage  
■電気的特性ꢀElectrical Characteristics  
特性値(最大)  
M axim um Value  
項ꢀꢀꢀ目  
Param eter  
記号  
Sym bol  
条ꢀꢀꢀ件  
Conditions  
単位  
Unit  
最小 標準 最大  
M in. Typ. M ax.  
ピークオフ電流  
Peak Off-State Current  
ピーク逆電流  
Peak Reverse Current  
ピークオン電圧  
Peak On-State Voltage  
IDM  
IRM  
Tj=125℃,VDM =VDRM  
Tj=125℃,VRM =VRRM  
20  
20  
m A  
m A  
V
VTM  
Tj=25℃,ITM =150A  
Tj=40℃  
1.23  
300  
150  
80  
m A  
m A  
m A  
V
トリガゲート電流  
Gate Current to Trigger  
IGT  
VD=6VIT=1A  
Tj= 25℃  
Tj= 125℃  
Tj=40℃  
Tj= 25℃  
Tj= 125℃  
5.0  
3.0  
2.0  
トリガゲート電圧  
Gate Voltage to Trigger  
VGT  
VD=6VIT=1A  
V
V
非トリガゲート電圧  
Gate Non-Trigger Voltage  
臨界オフ電圧上昇率  
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage  
ターンオフ時間  
Turn-Off Tim e  
ターンオン時間  
Turn-On Tim e  
遅れ時間  
VGD  
dv/dt  
tq  
Tj=125℃,VD=2/3VDRM  
Tj=125℃,VD=2/3VDRM  
0.25  
500  
150  
6
V
V/μs  
μs  
Tj=125℃,ITM =IOVD=2/3VDRM  
dv/dt=20V/μsVR=100Vdi/dt=20A /μs  
tgt  
μs  
Tj=25℃,VD=2/3VDRM ITM =3IO  
IG=300m A ,diG/dt=0.2A /μs  
td  
2
μs  
Delay Tim e  
立上がり時間  
Rise Tim e  
ラッチング電流  
Latching Current  
保持電流  
Holding Current  
熱抵抗  
Therm al Resistance  
tr  
4
μs  
IL  
Tj=25℃  
Tj=25℃  
150  
100  
0.3  
m A  
m A  
℃/W  
IH  
接合部-ケース間  
Junction to Case  
Rth j-c)  
─ 297 ─  
■定格・特性曲線  
─ 298 ─  

相关型号:

PGH150N16

Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-7
NIEC

PGH150N8

Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-7
NIEC

PGH20016AM

3-phase diode bridge plus thyristor
NIEC

PGH20016AM_1

200A Avg 1600 Volts
NIEC

PGH2008AM

3-phase diode bridge plus thyristor
NIEC

PGH2008AM_1

200A Avg 800 Volts
NIEC

PGH200N8_15

PGH200N8_15
NI

PGH3016AM

THYRISTOR 30A AVG 1600 VOLTS
NIEC

PGH308

THYRISTOR MODULE
NIEC

PGH308_1

30A Avg 800 Volts
NIEC

PGH5016AM

3-phase diode bridge plus thyristor
NIEC

PGH5016AM_1

50A Avg 1600 Volts
NIEC