PRHMB50B12_1 [NIEC]
50A 1200V; 50A 1200V型号: | PRHMB50B12_1 |
厂家: | NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
描述: | 50A 1200V |
文件: | 总3页 (文件大小:194K) |
中文: | 中文翻译 | 下载: | 下载PDF数据表文档文件 |
IGBT Module
-
Chopper
50A,1200V
PRHMB50B12
□ 回 路 図 : CIRCUIT
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
94
80 ±0.25
12 11 12 11 12
2-Ø5.5
7(G2)
6(E2)
7
6
1
2
3
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
3-M5
23
7
23
7
17
4-fasten tab
#110 t=0.5
16
16
16
LABEL
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item Symbol
Rated Value
1,200
Unit
V
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
VCES
VGES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
±20
V
A
IC
DC
50
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
ICP
1ms
100
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
PC
250
W
接
合
温
Junction Temperature Range
度
Tj
-40~+150
-40~+125
2,500
℃
保
存
温
度
Tstg
VISO
Ftor
℃
Storage Temperature Range
圧(Terminal to Base AC,1minute)
絶
縁
耐
V(RMS)
Isolation Voltage
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
N・m
(kgf・cm)
2(20.4)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Symbol
ICES
Test Condition
Min.
-
Typ.
-
Max. Unit
VCE= 1200V,VGE= 0V
VGE= ±20V,VCE= 0V
IC= 50A,VGE= 15V
1.0
1.0
2.4
8.0
-
mA
μA
V
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
IGES
VCE(sat)
VGE(th)
Cies
-
-
-
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
1.9
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
VCE= 5V,IC= 50mA
4.0
-
V
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
4,200
pF
Input Capacitance
tr
ton
tf
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
Time
-
-
-
-
0.25
0.40
0.25
0.80
0.45
0.70
0.35
1.10
VCC= 600V
RL= 12Ω
スイッチング時間
Switching Time
μs
RG= 20Ω
VGE= ±15V
toff
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(TC=25℃)
Item
Symbol
IF
IFM
Rated Value
Unit
A
順
電
流
DC
50
Forward Current
1ms
100
Characteristic
圧
Symbol
VF
Test Condition
Min.
-
Typ.
1.9
Max. Unit
順
電
IF= 50A,VGE= 0V
2.4
0.3
V
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
IF= 50A,VGE= -10V
di/dt= 100A/μs
trr
-
0.2
μs
Reverse Recovery Time
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
抗
Symbol
Rth(j-c)
Test Condition
Junction to Case
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max. Unit
熱
抵
IGBT
Diode
0.43
℃/W
Thermal Impedance
0.7
日本インター株式会社
PRHMB50B12
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
10V
TC=25℃
16
14
12
10
8
100
75
50
25
0
IC=25A
50A
100A
VGE=20V
15V
12V
E
C
V
e
g
C
I
a
l
t
n
9V
8V
o
V
r
e
re
u
C
r
t
i
m
E
to
6
c
o
t
e
l
l
o
C
otr
4
c
e
l
l
o
C
2
7V
10
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
800
700
600
500
400
300
200
100
0
16
16
14
12
10
8
RL=12Ω
TC=25℃
IC=25A
50A
100A
14
12
10
8
G
a
E
C
te
EC
t
o
V
V
e
g
E
m
e
g
a
ta
i
t
l
t
o
te
o
V
r
V
o
V
r
r
e
e
t
t
i
l
t
t
VCE=600V
a
g
e
m
E
m
E
6
6
o
t
V
o
GE
400V
200V
t
r
tor
o
t
4
4
c
c
e
l
l
e
o
C
o
2
2
C
0
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Total Gate Charge Qg (nC)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
1.4
1.2
1
20000
10000
5000
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
Cies
VCC=600V
RG=20Ω
VGE=±15V
TC=25℃
tOFF
2000
1000
500
C
t
e
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Coes
Cres
m
i
nce
ta
gT
i
n
i
c
a
p
tf
h
c
t
i
Ca
200
100
50
wS
tON
tr
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
0
10
20
30
40
50
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (A)
日本インター株式会社
PRHMB50B12
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
10
5
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TC=25℃
TC=125℃
VCC=600V
IC=50A
VGE=±15V
TC=25℃
toff
ton
2
1
F
I
t
t
e
tr
tf
m
i
ern
u
C
gT
0.5
n
i
d
r
h
c
a
w
r
t
i
o
F
Sw
0.2
0.1
0.05
5
10
20
50
100
200
300
0
1
2
3
4
Forward Voltage VF (V)
Series Gate Impedance RG (Ω)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
500
500
IF=50A
RG=20Ω
TC=25℃
VGE=±15V
TC≦125℃
200
100
50
200
100
50
M
r
trr
R
I
t
n
r
tr
e
r
r
C
e
I
u
C
20
10
5
m
i
T
y
r
net
r
e
v
o
c
e
ry
e
v
o
c
e
20
10
5
r
C
r
o
R
e
R
e
2
1
cet
l
l
s
r
o
C
e
v
e
rs
e
v
e
0.5
R
IRrM
akR
e
P
2
1
0.2
0.1
0
50
100
150
200
250
300
0
400
800
1200
1600
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
-di/dt (A/μs)
fig11-Tansient Thermal Impedance
5
2
1
FRD
5x10-1
h
t
IGBT
R
2x10-1
10-1
cne
a
d
e
p
5x10-2
m
l
a
2x10-2
10-2
ehrm
T
Tc=25℃
1 Shot
t
e
i
s
-3
5x10
n
a
T
2x10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t(s)
日本インター株式会社
相关型号:
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明