SA10LA03 [NIEC]
Schottky Barrier Diode;
| 型号： | SA10LA03 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | Schottky Barrier Diode 光电二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：922K) |
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1.0A Avg.
30 Volts
SBD
SA10LA03
■最大定格ꢀMaximum Ratings
■
OUTLINE DRAWING(mm)
Item
Symbol
Conditions
30
Unit
く
り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
V
直
流
順
電
流
直
流
通
電
Ta=74℃＊1
0.2
IDC
1.41
A
A
A
0.2
Direct Forward Current
Direct Current
0.3
Ta＝38℃＊1,VRM＝15V
方
形
波
通
電
平
均
整
流
電
流
RECT 180℃
Io
1.0
Average rectified Forward Current
Rectangular Wave
50% Duty
Tl＝91℃,VRM＝15V
(Tl: Lead Temperature)
0.2
0.3
サ
－
ジ
順
電
流
20（50Hz正弦半波１サイクル非くり返し）
IFSM
Surge Forward Current
Half Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
参考はんだパッド形状�
（e.g. Soldering Pad）�
動
作
接
合
温
度範 囲
2.0
0.8
Tjw
－40～＋125
℃
Operating Junction Temperature Rang
e
保
存
温
度範 囲
Tstg
－40～＋150
℃
Storage Temperature Range
1.9
■APPROX. NET WEIGHT:0.004 g
■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics
Item
Symbol
Conditions
VRM＝5V Ta＝25℃
RM＝30V Ta＝25℃
IFM＝0.7A Ta＝25℃
IFM＝1.0A Ta＝25℃
Min.
－
－
－
－
Typ. Max. Unit
50
－
1.5
0.37
－
μA
ピ
ー
ク
逆
電
電
流
圧
IRM
Peak Reverse Current
V
0.5
mA
0.33
0.39
ピ
ー
ク
順
V
VFM
Peak Forward Voltage
＊1（アルミナ基 板実装）
＊2（ガラエボ基 板実装）
－
－
－
－
100
150
接合部 ･周
囲
間
Rth(j-a)
Rth(j-l)
熱
抵
抗
(Junction to Ambient)
℃/W
Thermal Resistance
接合部 ･リード間（Junction to Lead）
－
－
30
＊1：プリント基 板実装/Alumina Substrate Mounted (Soldering Land=6×6mm)
＊2：プリント基 板実装/Glass-Epoxy Substrate Mounted (Soldering Land=6×6mm)
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
FIG.4
1.0A Avg.
30 Volts
SBD
SA10LA03
FIG.5
FIG.6
FIG.7
FIG.8
FIG.9
FIG.10
相关型号：
SA10T
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,
CRYDOM
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