TCH30B10-11A [NIEC]
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | TCH30B10-11A |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, 二极管 |
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30A Avg.
100 Volts
SBD
TCH30B10-11A
■最大定格ꢀMaximum Ratings
■OUTLINE DRAWING(mm)
Item
Symbol
VRRM
IO
Conditions
100
Unit
V
く
り
返
し
ピ
ー
ク
逆
電
圧
流
流
流
Repetitive Peak Reverse Voltage
平
均
整
流
電
50Hz、正弦全波通電抵抗負荷
50Hz Full Sine Wave Resistive Load
Tc＝97℃
30
A
Average Rectified Forward Current
実
効
順
電
IF(RMS)
IFSM
33.3
A
R.M.S. Forward Current
サ
ー
ジ
順
電
50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し
50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
A
150
Surge Forward Current
動
作
接
合
温
度範 囲
Tjw
－40～＋150
℃
Operating Junction Temperature Range
保
存
温
度範 囲
Tstg
－40～＋150
℃
Storage Temperature Range
■APPROX. NET WEIGHT:1.45g
■電気的・熱的特性ꢀElectrical Characteristics
Item
Symbol
IRM
Conditions
Min.
－
Typ. Max. Unit
ピ
ー
ク
逆
電
電
流
圧
抗
一素子あたりꢀ
,
Per Diode
Tj＝25℃, VRM＝VRRM
－
－
－
1
mA
V
Peak Reverse Current
ピ
ー
ク
順
VFM
Tj＝25℃, IFM＝15A, 一素子あたりꢀ
－
0.96
1.5
Per Diode
Peak Forward Voltage
熱
抵
接 合 部 ･ ケ ー ス 間
Junction to Case
Rth(j-c)
－
℃/W
Thermal Resistance
■定格・特性曲線
FIG.1
FIG.2
FIG.3
順
ꢀ電ꢀ圧ꢀ特ꢀ性
ピーク逆電流ꢀ－ꢀピーク逆電圧特性
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失ꢀ特ꢀ性
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
Tj= 150°C
TCH30B10-11A (per Arm)
TCH30B10-11A (per Arm)
TCH30B10-11A (Total)
RECT 180
SINE WAVE
100
50
100
35
30
25
20
15
10
5
˚
平
均
順
ピ
｜
ク
逆
電
流
瞬
時
順
50
20
10
5
Tj=25
˚
C
C∞
Tj=150
˚
C
C
C
電
力
損
失
電
流
20
10
（Ａ）
2
1
（ｍＡ）
（Ｗ）
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
30
35
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
瞬ꢀ時ꢀ順 ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ（Ａ）
FIG.4
FIG.5
FIG.6
平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格
サꢀーꢀジꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格
SURGE CURRENT RATINGS
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE
VRM=100V
TCH30B10-11A (Total)
TCH30B10-11A (Total)
TCH30B10-11A
6
160
140
120
100
80
35
30
25
20
15
10
5
RECT
18800˚
RECT 180
˚
SINE WAVE
5
4
3
2
1
0
平
均
逆
電
力
損
失
サ
｜
ジ
順
平
均
順
SINE WAVE
電
流
60
電
流
40
（Ａ）
I
FSM
20
（Ａ）
（Ｗ）
0.02s
0
0
0.02
0
25
50
75
CASE TEMPERATURE (
100
125
150
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0
20
40
60
80
100
120
REVERSE VOLTAGE (V)
°C)
TIME (s)
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
ケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）
時ꢀ間ꢀ（ｓ）
FIG.7
接ꢀ合ꢀ容ꢀ量ꢀ特ꢀ性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
Tj=25 C,Vm=20mVRMS, f=100kHz, Typical Value
TCH30B10-11A (per Arm)
°
1000
500
接
合
容
量
200
100
50
（ｐＦ）
0.5
1
2
5
10
REVERSE VOLTAGE (V)
逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）
20
50
100
200
497
相关型号：
TCH30C10
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, SIMILAR TO TO-263AB, 3 PIN
NIEC
TCH35P10R0JE
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 35W, 10ohm, 350V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, 4017, TO220, ROHS COMPLIANT
OHMITE
TCH35P1100JE
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 35W, 110ohm, 350V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, TO-220, ROHS COMPLIANT
OHMITE
TCH35P1200JE
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 35W, 120ohm, 350V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, TO-220, ROHS COMPLIANT
OHMITE
TCH35P1301JE
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 35W, 1300ohm, 350V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, TO-220, ROHS COMPLIANT
OHMITE
TCH35P1500JE
Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 35W, 150ohm, 350V, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, TO-220, ROHS COMPLIANT
OHMITE
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