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852-10-100-20-001000  850J1K0E  8532-09L  8532-01L  852-10-100-10-001000  8512061AGILF  8532-02L  850NF1K5E  850NF1R0E  852-40-002-20-001000  
PCFMB100E6 IGBT模块菜刀 (IGBT Module-Chopper)
.型号:   PCFMB100E6
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描述: IGBT模块菜刀
IGBT Module-Chopper
文件大小 :   259 K    
页数 : 4 页
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品牌   NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
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100%
IGBT
M½½½½½-C½½½½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
100A,
600V
□外& frac12 ;寸法図:
OUTLINE DRAWING
94
80
± 0 .2 5
12 11
2
PCFMB100E6
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
12
1
11
12
3
12
2-Ø 5.5
5(E1)
4(G1)
3-M5
23
23
17
5
4
16
7
16
7
16
4系卡
#110 t= 0.5
8
30
+1 .0
- 0 .5
LABEL
6
23
4
35
尺寸: [毫米& frac12 ;
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタ・エミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
圧(终端到基地交流, 1 & frac12 ; inute )
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CP
½
½½½
ISO
½½½
R& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; V& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
600
±20
100
200
400
-40½+150
-40½+125
2,500
2(20.4)
U½½½
(RMS)
N・½
(kgf½cm)
I½½½
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; C \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12;
CE
= 600V,V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 100A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 100毫安
CE
= 10V,V
GE
= 0V , & frac12 ; = 1MH
CC
=
=
=
GE
=
300V
3.0Ω
8.2Ω
±15V
M½½.
4.0
T½½.
2.1
5,000
0.15
0.25
0.10
0.35
M½½.
1.0
1.0
2.6
8.0
0.30
0.40
0.35
0.70
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタ・エミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
スイッチング時間
开关时间
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
正向电流
C½½½½½½½½½½½½½
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; V& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ;
100
200
T& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; C \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12;
= 100A,V
GE
= 0V
= 100A,V
GE
= -10V
& frac12 ; I / & frac12 ; T = 200A / μs的
M½½.
T½½.
1.9
0.15
M½½.
2.4
0.25
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
□ 熱 的 特 性 :
THERMAL CHARACTERISTICS
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
热阻抗
二极管
S½½½½½
RTH (J -C )
T& frac12 ;& frac12 ;& frac12 ; C \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12; \u0026frac12;
结到外壳
(TC测定点チップ直下)
M½½.
T½½.
M½½.
0.31
0.65
U½½½
℃/W
00
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