电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
JVM1812S220T402  JVE75A  JVE75B  
PCFMB100E6 IGBT模块菜刀 (IGBT Module-Chopper)
.型号:   PCFMB100E6
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: IGBT模块菜刀
IGBT Module-Chopper
文件大小 :   259 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   NIEC [ NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION ]
购买 :   
  浏览型号PCFMB100E6的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号PCFMB100E6的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号PCFMB100E6的Datasheet PDF文件第4页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PCFMB100E6
Fig.1-
输出特性(典型)
200
Fig.2-
输出特性(典型)
T
C
=25°C
200
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
180
160
12V
11V
180
160
15V
15V
11V
集电极电流I
C
(A)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
集电极电流I
C
(A)
140
120
100
80
60
40
10V
10V
9V
9V
8V
8V
20
5
0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.3-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压(典型值)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压(典型值)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=50A
100A
200A
I
C
=50A
100A
200A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.5-
栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压(典型值)
400
350
Fig.6-
电容与集电极到发射极电压(典型值)
16
14
10000
30000
R
L
=3.0
T
C
=25°C
集电极到发射极电压V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
资本投资者入境计划
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
电容C (PF )
3000
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
400
卓越中心
1000
CRES
300
0
100
200
300
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
总栅极电荷Qg ( NC)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7