元器件型号: | 2N7000 |
生产厂家: | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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型号参数:2N7000参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | VISHAY SEMICONDUCTORS |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 5.82 |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.3 A |
最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-226AA |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管