2N7000 [NSC]

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor; N沟道增强型网络场效晶体管
2N7000
元器件型号: 2N7000
生产厂家: NATIONAL SEMICONDUCTOR    NATIONAL SEMICONDUCTOR
描述和应用:

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N沟道增强型网络场效晶体管

晶体 晶体管 开关
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型号参数:2N7000参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.82
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.3 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON