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001591-3087  ZRA250R01  EXC20HRYH  LD1117S12  PL34120191000JXEG  M2S56D30AKT-75AL  M5LV-128/68-12HI  NAND01GR4A2CZB1  LD1117DT12  C056G102G5CJ5CP  
COP8ACC528N8 基于8位CMOS微控制器的ROM与4K内存和高分辨率的A / D (8-Bit CMOS ROM Based Microcontrollers with 4k Memory and High Resolution A/D)
.型号:   COP8ACC528N8
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描述: 基于8位CMOS微控制器的ROM与4K内存和高分辨率的A / D
8-Bit CMOS ROM Based Microcontrollers with 4k Memory and High Resolution A/D
文件大小 :   529 K    
页数 : 41 页
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品牌   NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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100%
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
)
电压的任何引脚
-0.3V到V
CC
7V
+0.3V
总电流为V
CC
针(来源)
总电流输出GND引脚的(水槽)
存储温度范围
百毫安
110毫安
-65˚C至+ 140℃
注1 :
绝对最大额定值的界限,表明损坏
可能出现的设备。直流和交流电气特性不能保证
操作该设备的绝对最大额定值时。
DC电气特性
0˚C
T
A
+ 70°C ,除非另有说明
参数
工作电压
电源的纹波(注2 )
电源电流(注3 )
CKI = 4兆赫
CKI = 4兆赫
CKI = 1兆赫
HALT电流(注4 )
空载电流
CKI = 4兆赫
CKI = 1兆赫
输入电平(V
IH
, V
IL
)
RESET
逻辑高
逻辑低
长江基建,其他所有输入
逻辑高
逻辑低
Hi-Z输入漏
输入上拉电流
G和L端口输入迟滞
输出电流电平
ð输出
来源
SINK
所有其他
源(弱上拉模式)
源(推挽输出模式)
接收器(推挽输出模式)
三州
®
泄漏
V
CC
= 4V, V
OH
= 2.7V
V
CC
= 2.5V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4V, V
OH
= 3.3V
V
CC
= 2.5V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4V, V
OL
= 0.4V
V
CC
= 2.5V, V
OL
= 0.4V
V
CC
= 5.5V
允许吸入/源
目前每针
ð输出(汇)
所有其他
最大输入电流
无闭锁(注5 )
RAM保持电压,V
r
www.national.com
条件
峰 - 峰值
2.5
典型值
最大
5.5
0.1 V
CC
单位
V
V
mA
mA
mA
µA
µA
mA
mA
V
CC
= 5.5V ,T
C
= 2.5 µs
V
CC
= 4V ,T
C
= 2.5 µs
V
CC
= 4V ,T
C
= 10 µs
V
CC
= 5.5V , CKI = 0兆赫
V
CC
= 4V , CKI = 0兆赫
V
CC
= 5.5V ,T
C
= 2.5 µs
V
CC
= 4V ,T
C
= 10 µs
5.5
2.5
1.4
& LT ;
5
& LT ;
3
8
4
1.5
0.5
0.8 V
CC
0.2 V
CC
0.7 V
CC
0.2 V
CC
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V
(注6 )
1
−40
1
−250
0.35 V
CC
V
V
V
V
µA
µA
V
V
CC
= 4V, V
OH
= 3.3V
V
CC
= 2.5V, V
OH
= 1.8V
V
CC
= 4V, V
OL
= 1V
V
CC
= 2.5V, V
OL
= 0.4V
−0.4
−0.2
10
2.0
−10
−2.5
−0.4
−0.2
1.6
0.7
1
1
−110
−33
mA
mA
mA
mA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
µA
15
3
室温
500 ns上升时间和下降时间(分钟)
4
mA
mA
mA
V
±
200
2
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