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R1221N45XB-TR  XC61AC2101TB  R1221N45XA-TR  AS11210-XXX-M-A1-D  AS11210-XXX-M-L-A3-D  AS11212-XXX-I-L-A1-D  R1221N46AA  AS11210-XXX-M-L-A1-S  R1221N45AC-TR  AS11210-XXX-M-L-A3-S  
COP8ACC528N8 基于8位CMOS微控制器的ROM与4K内存和高分辨率的A / D (8-Bit CMOS ROM Based Microcontrollers with 4k Memory and High Resolution A/D)
.型号:   COP8ACC528N8
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描述: 基于8位CMOS微控制器的ROM与4K内存和高分辨率的A / D
8-Bit CMOS ROM Based Microcontrollers with 4k Memory and High Resolution A/D
文件大小 :   529 K    
页数 : 41 页
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品牌   NSC [ NATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
DC电气特性
0˚C
T
A
+ 70°C ,除非另有说明
参数
输入电容
在D2负载电容
(注6 )
(注6 )
(续)
条件
典型值
最大
7
1000
单位
pF
pF
AC电气特性
0˚C
T
A
+ 70°C ,除非另有说明
参数
指令周期时间(t
C
)
晶振,谐振器
的R / C振荡器
输入
t
格局
t
HOLD
输出传输延迟(注6 )
t
PD1
, t
PD0
SO , SK
所有其他
微丝
建立时间(T
UWS
)(注
6)
MICROWIRE保持时间(T
UWH
) (注6 )
MICROWIRE输出传输延迟
(t
UPD
)
输入脉冲宽度(注7 )
中断输入高电平时间
中断输入低电平时间
定时器1 , 2 , 3输入高电平时间
定时器1 , 2 , 3输入低电平时间
复位脉冲宽度
注2 :
电压变化的最大速率必须
& LT ;
0.5V/ms.
注3 :
电源电流运行2000次循环的方波输入CKI , CKO打开,输入于导轨和输出开后测得的。
注4 :
HALT模式将停止从长江基建振荡的RC和晶体结构。我测量
DD
HALT与设备没有采购或完成
吸收电流;带有L ,C和G0 -G5编程为低输出,不驱动负载;所有输出编程低,没有驱动负载;连接到V所有输入
CC
;
时钟监控器和比较器禁用。参数是指HALT通过设置g端口数据寄存器的第7位进入模式。第二部分将拉动长江基建HALT晶体中
时钟模式。
注5 :
销G6和RESET都设计有一个高电压输入网络。这些引脚允许输入电压V
CC
和引脚会有吸电流V
CC
偏置电压V
CC
(引脚没有电源电流时,在低于V的电压偏置
CC
) 。到V的有效电阻
CC
为750Ω (典型值) 。这两个引脚
不会闭锁。在引脚上的电压必须被限制到小于14V。
警告:在过量的14V的电压会损坏插针。此警告
不包括ESD瞬变。
注6 :
输出的传播延迟是参照其中的输出发生变化的指令周期的结束。
注7 :
参数特征值,未经测试。
注8 :
t
C
=指令周期时间。
条件
2.5V
V
CC
4V
4V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4V
4V
V
CC
5.5V
4V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4V
4V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4V
R
L
= 2.2K ,C
L
= 100 pF的
4V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4V
4V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4V
V
CC
4V
V
CC
4V
V
CC
4V
2.5
1.0
7.5
3.0
200
500
60
150
典型值
最大
DC
DC
DC
DC
单位
µs
µs
µs
µs
ns
ns
ns
ns
0.7
1.75
1
2.5
20
56
220
µs
µs
µs
µs
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
t
C
t
C
t
C
t
C
µs
5
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