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LM3670微型降压型DC -DC转换器,用于超低电压电路
十二月2004⏐
LM3670
微型降压型DC -DC转换器,用于超低
电压电路
概述
的LM3670降压型DC - DC转换器被用于优化
从单节锂离子电池供电的超低电压电路或
3节镍氢/镍镉电池。它提供高达350 mA的负载
目前,在输入电压范围为2.5V至5.5V 。那里
可用几种不同的固定电压输出选择
以及一个可调节输出电压的版本。
该器件提供卓越的功能和性能
移动电话和类似便携式应用的COM
复杂的电源管理系统。全自动智能
PWM低噪音和PFM低电流之间切换
模式提供了改进的系统控制。在全功率OP-
关合作,固定频率为1 MHz (典型值) 。 PWM模式驱动器
从负载
∼70
mA至最大350毫安,具有高达95 %的效率。
滞回PFM模式,通过reduc-延长电池寿命
15 μA (典型值)的静态电流在轻化
电流负载和系统待机。内部同步消遣
tification提供了高效率( 90〜95% (典型值)在载荷
1毫安和100mA之间) 。在关断模式(使能引脚
拉低)设备关闭,并降低了电池CON-
消耗0.1 μA (典型值) 。
该LM3670可在SOT23-5封装。高
开关频率 - 1兆赫(典型值) - 允许使用纤巧
表面贴装元件。只有三个外部surface-
贴装元件,电感器和两个陶瓷电容,
是必需的。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
V
OUT
= (指.7V分钟) , 1.2 , 1.5 , 1.6 , 1.8 , 1.875 , 2.5 , 3.3V
2.5V
V
IN
5.5V
15 μA典型静态电流
350毫安最大负载能力
1MHz的PWM固定开关频率(典型值)。
自动PFM / PWM模式切换
可提供固定输出电压以及一个
可调版本
SOT23-5封装
低压降操作 - 100%占空比模式
内部同步整流的高效率
内部软启动
0.1 μA典型关断电流
从单节锂离子电池或3节镍氢/镍镉电池工作
电池
只有三个微小的表面贴装的外部元件
要求(一个电感,两个陶瓷电容)
电流过载保护
应用
n
n
n
n
n
n
手机
手持式无线电
个人数字助理
掌上电脑
便携式仪器
电池供电设备
典型用途
20075801
图1: 1.8V - 固定输出电压 - 典型应用电路
©2004美国国家半导体公司
DS200758
www.national.com
LM3670
典型用途
(续)
20075830
图2: 1.2V - 可调输出电压 - 典型应用电路
连接图以及包装标志信息
SOT23-5封装
NS包装数XXXX
20075802
注意:
包标记会有所不同,从部分零件的实际物理位置。
图3.顶视图
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
名字
V
IN
GND
EN
FB
SW
描述
电源输入。连接到输入滤波电容(图
1).
接地引脚。
使能输入。
反馈的模拟输入。连接到输出滤波电容器(图
1).
交换节点连接到内部PFET开关和NFET同步
整流器。连接到电感器具有的饱和电流值超过了
mA(最大值) 750 。开关峰值电流限制规范。
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2
LM3670
订购信息
电压选项
(V)
3.3
订单号
(等级95 )
LM3670MF-3.3
LM3670MFX-3.3
LM3670MF-3.3
LM3670MFX-3.3
2.5
LM3670MF-2.5
LM3670MFX-2.5
LM3670MF-2.5
LM3670MFX-2.5
1.875
LM3670MF-1.875
LM3670MFX-1.875
LM3670MF-1.875
LM3670MFX-1.875
1.8 *
LM3670MF-1.8
LM3670MFX-1.8
LM3670MF-1.8
LM3670MFX-1.8
1.6
LM3670MF-1.6
LM3670MFX-1.6
LM3670MF-1.6
LM3670MFX-1.6
1.5
LM3670MF-1.5
LM3670MFX-1.5
LM3670MF-1.5
LM3670MFX-1.5
1.2
LM3670MF-1.2
LM3670MFX-1.2
LM3670MF-1.2
LM3670MFX-1.2
可调*
LM3670MF-ADJ
LM3670MFX-ADJ
LM3670MF-ADJ
LM3670MFX-ADJ
*发布。提供样品。
规格
NOPB
NOPB
包装标志
SDEB
供货方式
( # /卷)
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SDDB
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SEFB
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SDCB
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SDBB
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
S82B
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SCZB
1000
3000
1000
3000
NOPB
NOPB
SDFB
1000
3000
1000
3000
3
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LM3670
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
脚:电压GND
EN引脚:电压GND
FB , SW引脚:
结温(T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
(焊接, 10秒)
-0.2V至6.0V
-0.2V至6.0V
( GND - 0.2V )至
(V
IN
+ 0.2V)
-45 ° C至+ 125°C
-45℃到+ 150°C
260˚C
ESD额定值(注3 )
人体模型:
VIN , SW , FB , GND
EN
机器型号:
2.0kV
500V
200V
工作额定值
(注1,2 )
输入电压范围
推荐负载电流
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
2.5V至5.5V
0A到350毫安
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
热性能
结到环境
热阻( θ
JA
)
(SOT23-5)
250˚C/W
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于
在整个工作结温范围( -40℃
T
J
+ 125°C ) 。除非另有说明,否则V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.8V,
I
O
= 150毫安, EN = V
IN
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压范围
固定输出电压
2.5V
V
IN
5.5V
I
O
= 10毫安
2.5V
V
IN
5.5V
0毫安
I
O
350毫安
可调输出电压
2.5V
V
IN
5.5V
I
O
= 10毫安
2.5V
V
IN
5.5V
0毫安
I
O
350毫安
线路调整
负载调整率
V
REF
I
Q_SHDN
I
Q_PFM
内部参考电压
关断电源电流
直流偏置电流中V
IN
T
A
=85 C
无负载,设备无法切换
(V
OUT
强迫高于
编程输出电压)
o
电气特性
条件
2.5
-1.5
−4.5
-1.0
-4.0
典型值
最大
5.5
+3.0
+3.0
+2.5
+2.5
单位
V
%
%
%
%
%/V
% / mA的
V
2.5V
V
IN
5.5V
I
O
= 10毫安
150毫安
I
O
350毫安
0.26
0.0014
0.5
0.1
15
1
30
µA
µA
V
UVLO
R
DSON ( P)
R
DSON ( N)
I
LKG ( P)
I
LKG ( N)
I
LIM
η
最小V
IN
下面这
V
OUT
将被禁用
引脚对引脚电阻用于PFET
引脚对引脚电阻用于NFET
P沟道漏电流
N沟道漏电流
开关峰值电流限制
效率
(V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.8V)
I
负载
= 1毫安
I
负载
= 10毫安
I
负载
= 100毫安
I
负载
= 200毫安
I
负载
= 300毫安
I
负载
= 350毫安
V
IN
=V
GS
=3.6V
V
IN
=V
GS
=3.6V
V
DS
=5.5V
V
DS
=5.5V
400
2.4
360
250
0.1
0.1
620
91
94
94
94
92
90
690
660
1
1.5
750
V
mΩ
mΩ
µA
µA
mA
%
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4
LM3670
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于
在整个工作结温范围( -40℃
T
J
+ 125°C ) 。除非另有说明,否则V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 1.8V,
I
O
= 150毫安, EN = V
IN
(续)
符号
V
IH
V
IL
I
EN
F
OSC
参数
逻辑高输入
逻辑低电平输入
使能( EN )输入电流
内部振荡器频率
PWM模式
550
0.01
1000
条件
1.3
0.4
1
1300
典型值
最大
单位
V
V
µA
千赫
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件,请参阅
电气特性表。
注2 :
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
5
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