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LP2966双150毫安超低压差稳压器
2000年4月
LP2966
双150毫安超低压差稳压器
概述
双超低压差( LDO )稳压器的LP2966
从+ 2.70V至+ 7.0V输入电源。每路输出提供
150毫安在整个温度范围内。该IC工作在EX-
tremely低压降电压和静态电流,这
使得它非常适合于电池供电的便携式AP-
并发症。在LP2966每个LDO具有独立的关断模式
断功能。该LP2966提供低噪声perfor-
低接地引脚电流曼斯在一个非常小的
MSOP - 8封装(参考包装尺寸和连接
化图的详细信息, MSOP - 8封装) 。一
多种预设电压选项可用于各
输出。除了在所列出的电压组合
订购信息表,还有更多可应重
追求以最小的订单。在所有256个电压组合
是可能的。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
超低的压降
低接地引脚电流
& LT ;
在关断模式下1μA静态电流
每个LDO稳压器独立关断
输出电压精度
±
1%
保证150mA输出电流每路输出
低输出噪声
错误标志指示各输出状态
采用MSOP - 8表面贴装封装
低输出电容的要求( 1μF )
工作与低ESR陶瓷电容,在大多数
应用
n
过温/过电流保护
n
-40°C至+ 125°C的结温范围
关键的特定连接的阳离子
压差电压:
与负载电流线性地变化。通常
0.9毫伏电流1mA负载电流和135mV 150mA时负载电流
租。
接地引脚电流:
通常情况下,在300μA 1mA负载电流
和340μA在100mA负载电流(一个停机引脚
拉低) 。
关断模式:
小于1μA静态电流少的时候
这两个关断引脚被拉低。
错误标志:
开漏输出变为低电平时,对应
应的输出低于标称的10% 。
高精度输出电压:
多种输出电压选项
可从1.8V至5.0V与保证准确
活泼的
±
在室温下1%。
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
n
移动和无线应用
掌上电脑/笔记本电脑
GPS系统
平板显示器
邮政监管机构
USB应用
手持设备和万用表
无线数据终端
其它电池供电的应用
典型应用电路
DS100850-30
* SD1和SD2 ,必须通过一个上拉电阻被积极地终止。绑到V
IN
如果不使用。
** ERROR1和误差2是开漏输出。这些引脚必须连接,如果不使用接地。
#最小输出电容为1μF ,以确保稳定,在整个负载电流范围内。更多的电容提高了优异的动态性能,并提供了
额外的稳定裕度。
©2000美国国家半导体公司
DS100850
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LP2966双150毫安超低压差稳压器
框图
DS100850-31
接线图
DS100850-32
顶视图
小型SO- 8封装
8引脚小外形集成电路( SOIC )
封装代码: MSOP - 8
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
VIN
SD1
SD2
GND
输入电源引脚
低电平有效关断引脚输出1
低电平有效关断引脚输出2
功能
误差2错误标志输出2 - 正常情况下高阻抗,应连接,如果没有接地
使用。
ERROR1错误标志输出1 - 正常情况下高阻抗,应连接,如果没有接地
使用。
VOUT2
VOUT1
输出2
输出1
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2
LP2966双150毫安超低压差稳压器
订购信息
下面电压选项以及它们的组合都是可能的。
5.0V , 4.0V , 3.8V , 3.6V , 3.3V , 3.2V , 3.1V , 3.0V , 2.9V , 2.8V , 2.7V , 2.6V , 2.5V , 2.4V , 2.0V和1.8V
表1中。
输出电压1
5.0
5.0
3.6
3.6
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.0
3.0
2.8
2.8
2.8
2.8
2.5
2.5
1.8
1.8
1.8
1.8
输出电压2
5.0
5.0
3.6
3.6
3.6
3.6
3.3
3.3
2.5
2.5
3.0
3.0
3.0
3.0
2.8
2.8
2.5
2.5
3.3
3.3
1.8
1.8
订单号
LP2966IMM-5050
LP2966IMMX-5050
LP2966IMM-3636
LP2966IMMX-3636
LP2966IMM-3336
LP2966IMMX-3336
LP2966IMM-3333
LP2966IMMX-3333
LP2966IMM-3325
LP2966IMMX-3325
LP2966IMM-3030
LP2966IMMX-3030
LP2966IMM-2830
LP2966IMMX-2830
LP2966IMM-2828
LP2966IMMX-2828
LP2966IMM-2525
LP2966IMMX-2525
LP2966IMM-1833
LP2966IMMX-1833
LP2966IMM-1818
LP2966IMMX-1818
包装标志
LAFB
LAFB
LAEB
LAEB
LAHB
LAHB
LADB
LADB
LARB
LARB
LACB
LACB
LASB
LASB
LABB
LABB
LAAB
LAAB
LCFB
LCFB
LA9B
LA9B
提供如下:
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
中示出的电压的选择和组合
表1
是可用的。对于其他自定义的电压选项或组合
电压选项,请联系距您最近的美国国家半导体销售办事处。
3
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LP2966双150毫安超低压差稳压器
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
铅温度。 (焊接, 5秒)
功率耗散(注2 )
ESD额定值(注3 )
输入电源电压(生存)
关断输入电压(生存)
最大电压错误
引脚
I
OUT
(生存)
-65到+ 150°C
260˚C
内部限制
2kV
-0.3V至7.5V
-0.3V至(VIN + 0.3V )
10V
短路
保护
输出电压(生存) (注6 )
(注7 )
-0.3V至(VIN + 0.3V )
工作额定值
(注1 )
输入电源电压
关断输入电压
工作结
温度范围
最大电压
ERROR引脚
2.7V至7.0V
-0.3V至(VIN + 0.3V )
-40 ° C至+ 125°C
10V
电气特性
在标准字体限为T
j
= 25°C ,而在极限
黑体字
适用于整个工作结温
范围内。除非另有规定,V
IN
= V
O( NOM )
+ 1V , (注16 ) ,C
OUT
= 1μF ,我
OUT
= 1mA时, ç
IN
= 1μF ,V
SD1
= V
SD2
= V
IN
.
符号
V
o
(注13 )
参数
输出电压容差
条件
V
OUT
+ 1V
& LT ;
V
IN
& LT ;
7.0V
1mA
& LT ;
I
L
& LT ;
100mA
∆V
O
/∆V
IN
(注8)
(注13 )
∆V
O
/∆I
OUT
∆V
O2
/∆I
OUT1
V
IN
-V
OUT
典型值
(注4 )
0.0
0.0
LP2966IMM
(注5 )
−1
-3
−1.5
-3.5
输出电压线路
输出电压负载
法规(注9 )
输出电压交叉
法规(注10 )
输入输出电压差
(注12 )
1mA
& LT ;
I
L
& LT ;
100mA
(注9 )
1mA
& LT ;
I
L1
& LT ;
100mA
(注10 )
I
L
= 1毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
I
GND(1,0)
(注18 )
接地引脚电流(一
LDO开)
I
L
= 1毫安
V
SD2
0.1V, V
SD1
= V
IN
I
L
= 100毫安
V
SD2
0.1V, V
SD1
= V
IN
I
GND(1,1)
接地引脚电流(两个
LDO的开)
I
L
= 1毫安
I
L
= 100毫安
I
GND(0,0)
I
O( PK )
接地引脚电流在
关断模式
峰值输出电流
V
SD1
= V
SD2
0.1V
(注2 )
V
OUT
V
OUT ( NOM )
- 5%
(注2 ) , (注14 )
340
420
0.006
500
350
150
450
500
540
600
0.3
10
µA
mA
µA
340
0.1
最大
1
3
1.5
3.5
单位
%V
%V
mV / V的
0.1
0.0004
0.9
90
135
300
2.0
3.0
130
180
195
270
毫伏/毫安
毫伏/毫安
mV
µA
短路折返保护
I
FB
短路折返
膝关节
600
mA
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4
LP2966双150毫安超低压差稳压器
电气特性
(续)
在标准字体限为T
j
= 25°C ,而在极限
黑体字
适用于整个工作结温
范围内。除非另有规定,V
IN
= V
O( NOM )
+ 1V , (注16 ) ,C
OUT
= 1μF ,我
OUT
= 1mA时, ç
IN
= 1μF ,V
SD1
= V
SD2
= V
IN
.
符号
参数
条件
典型值
(注4 )
165
25
LP2966IMM
(注5 )
最大
单位
过温保护
促甲状腺激素(t)的
促甲状腺激素(H )
关断输入
V
SDT
T
DOFF
T
DON
I
SD
关断阈值
(注15 )
关断延迟(注17 )
导通延迟(注17 )
SD输入电流
输出=低
输出=高
I
L
= 100毫安
I
L
= 100毫安
V
SD
= V
IN
V
SD
= 0 V
错误标志比较
V
T
V
TH
V
ERR (星期六)
I
EF (泄漏)
I
( EFsink )
AC参数
PSRR
纹波抑制
V
IN
= V
OUT
+ 1V , F =
120Hz的,V
OUT
= 3.3V
V
IN
= V
OUT
+ 0.3V , F =
120Hz的,V
OUT
= 3.3V
ρn(1/f)
e
n
输出噪声密度
F = 120Hz的
输出噪声电压(有效值) BW = 10Hz的 - 100kHz时,
C
OUT
= 10µF
BW =为300Hz - 300kHz的,
C
OUT
= 10µF
60
40
1
150
100
μV ( RMS)
dB
µV/
Hz
阈值(输出变
高至低)
阈值迟滞
(注11 )
错误标志饱和
错误标志引脚漏
当前
错误标志引脚吸收电流
I
Fsink
= 100µA
0.015
1
1
0.1
V
nA
mA
10
(注11 )
5
2
8
%
5
16
%
0
V
IN
20
25
1
1
V
IN
- 0.1
0.1
V
微秒
微秒
nA
关断阈值
热关断
迟滞
˚C
˚C
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。该瓜尔
规格及担仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
在高温下,设备必须基于封装的热电阻降额。在表面贴装封装的器件必须在被降级
θ
jA
= 235℃ / W ,结到环境。请参考应用部分的进一步信息,最大电流的能力。该器件具有内部热亲
保护。
注3 :
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
注4 :
:典型值是在25℃和代表最可能的参数指标。
注5 :
:极限是100 %的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内,通过使用统计质量控制保证
( SQC )方法。这些限制是用来计算美国国家半导体的平均出厂质量水平( AOQL ) 。
注6 :
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的, LP2966输出必须是二极管钳位到地。
注7 :
输出PMOS结构包含在V之间的二极管
IN
和V
OUT
终端,它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
和V
OUT
将打开该二极管。
注8 :
输出电压线性调整率被定义为从标称值的输出电压的变化,由于变化的输入线电压。
注9 :
输出电压的负载调整率定义为从标称值的输出电压变化时,负载电流变化1mA至100mA电流。
注10 :
输出电压交叉调节被定义为百分比变化与标称值的输出电压在一个输出端,当负载电流
在另一输出在1mA变化到满负荷。这是在多输出调节器的重要参数。该规范
∆V
O1
/∆I
OUT2
等于试样
fication的
∆V
O2
/∆I
OUT1
.
注11 :
错误标志阈值和迟滞被指定为下面的稳压输出电压的百分比。
注12 :
电压差定义为输入,输出差分,当输出电压下降100mV的低于标称值。辍学电压specifi-
只有阳离子适用于输出电压高于2.7V 。对于低于2.7V的输出电压,辍学电压无非是输入到输出的差分,自
最小输入电压为2.7V 。
注13 :
输出电压容差规格还包括线性调整率和负载调整率。
5
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