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MM54HC640 MM74HC640反相八路三态收发器MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
1988年1月
MM54HC640 MM74HC640
反相八路三态收发器
MM54HC643 MM74HC643
真反相八路三态收发器
概述
这些三态双向缓冲器利用先进的sili-
骗子栅CMOS技术的,并且旨在为双向
数据总线之间的异步通信,他们
具有高驱动电流输出它使高速
即使在驱动大电容公交车,这些操作
电路具有低功耗和高噪声
通常与CMOS电路相关联的免疫力尚未有
速度媲美的低功率肖特基TTL电路
每个器件都有一个低电平有效使G和方向
控制输入​​DIR当DIR为高数据从A流向
输入到B输出时, DIR是从较低的数据流
在B输入到A输出的MM54HC640
MM74HC640反向传输数据从一个总线等
和MM54HC643 MM74HC643传输数据反转
从A路公交车到B总线和真实的数据从B总线
A总线
这些器件可驱动多达15个LS- TTL负载和所有
输入免受损害,由于静电放电所
二极管V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟13纳秒
宽电源电压范围2 - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74 HC )
用于连接到总线的三态输出导向
系统
高输出驱动6毫安(分钟)
连接图
双列直插式封装
双列直插式封装
TL ˚F 5344 - 1
TL ˚F 5344 - 2
顶视图
订单号MM54HC640或MM74HC640
顶视图
订单号MM54HC643或MM74HC643
真值表
控制
输入
G
L
L
H
DIR
L
H
X
640
B数据到总线
数据到B总线
隔离
手术
643
B数据到总线
数据到B总线
隔离
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不相干
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL ˚F 5344
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入上升下降时间
V
CC
e
2 0V
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
2
0
b
40
b
55
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压DIR和G引脚(V
IN
)
直流输出电压(V
IN
V
OUT
)
钳位二极管电流(I
CD
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
35毫安
g
70毫安
最大
6
V
CC
a
85
a
125
单位
V
V
C
C
ns
ns
ns
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
54HC
T
A
eb
40〜 85 (C T)
A
eb
55〜 125℃机组
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
6 0毫安
l
I
OUT
l
s
7 8毫安
I
IN
I
OZ
I
CC
输入漏
电流( G和DIR )
V
IN
e
V
CC
或GND
最大三态输出V
OUT
e
V
CC
或GND 6 0V
漏电流
启用摹
e
V
IH
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
6 0V
g
0 5
g
5 0
g
10
80
80
160
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
最大传播延迟
最大输出使能时间
最大输出禁止时间
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6纳秒
条件
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
45 pF的
R
L
e
1的kX
C
L
e
5 pF的
典型值
13
33
32
保证
极限
17
42
42
单位
ns
ns
ns
AC电气特性
V
CC
e
2 0V至6 0V
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
72
96
18
24
18
24
88
116
22
29
22
29
96
128
24
32
24
32
ns
ns
ns
ns
ns
ns
54HC
T
A
eb
55〜 125℃
单位
T
A
e
25 C
典型值
t
PHL
t
PLH
最大传播延迟
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
29
38
14
18
14
18
t
PZH
t
PZL
最大输出使能
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
C
L
e
50 pF的
C
L
e
150 pF的
2 0V
2 0V
4 5V
4 5V
6 0V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
70
80
35
41
31
36
47
33
31
20
6
5
120
12
5
15
10
20
10
20
10
20
184
216
46
54
41
47
172
43
41
60
12
10
224
260
56
65
50
57
208
52
50
75
15
13
240
284
60
71
54
62
224
56
54
90
18
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
pF
t
PHZ
t
PLZ
t
THL
t
TLH
最大输出禁止
时间
输出上升时间和下降时间
R
L
e
1的kX
C
L
e
50 pF的
C
L
e
50 pF的
C
PD
C
IN
C
IN OUT
功耗
电容(注5 )
最大输入电容
最大输入输出
电容A或B
G
e
V
IL
G
e
V
IH
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
逻辑图
’HC640
’HC643
TL ˚F 5344 - 5
TL ˚F 5344 - 6
4
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