NTE5576 [NTE]
Silicon Controlled Rectifier; 可控硅整流器
| 型号： | NTE5576 |
| 厂家： | 
NTE ELECTRONICS |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier |
| 文件： | 总2页 (文件大小：24K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
NTE5576 & NTE5578
Silicon Controlled Rectifier
Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, VDSM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +90°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A
RMS On–State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Continuous On–State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM
60% VRRM reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A
VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A
Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A2sec
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A2sec
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . 19A
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 18V
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Peak Gate Power (100µs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM
)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs
Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Peak On–State Voltage (ITM = 377A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V
Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V
Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79mΩ
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IGT . . 150mA
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), VGT . . . . . 3V
Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V
Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max Rating), RtnJC
DC and 180° Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W
120° Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28°C/W
Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, RthC–HS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.08°C/W
1.227 (31.18) Max
(Across Corners)
.875 (22.22) Dia
(Ceramic)
For No. 6 Screw
Cathode
.280 (7.11)
Dia Max
Gate
(White)
7.500
(190.5)
Max
Cathode
(Red)
6.260
(159.0)
Max
(Terminal 3)
(Terminals 1 & 2)
2.500
(63.5)
Max
1.031 (26.18)
Dia Max
.827
(27.0)
Max
Seating Plane
.500 (12.7) Max)
1/2–20 UNF
Anode
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