NTE582-6 [NTE]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 400V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | NTE582-6 |
| 厂家： | 
NTE ELECTRONICS |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 400V V(RRM), Silicon, 二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：58K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
NTE582−4, NTE582−6 & NTE582−10
Fast Recovery Silicon Diode, 2A
DO−15 Type Package
Features:
D Diffused Junction
D Low Forward Voltage Drop
D High Current Capability
D High Reliability
D High Surge Current Capability
Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified. Single
phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.)
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM
NTE582−4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE582−6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE582−10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM
NTE582−4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE582−6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE582−10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
DC Blocking Voltage, VR
NTE582−4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE582−6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE582−10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)
NTE582−4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
NTE582−6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V
NTE582−10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
Average Forward Rectified Current (TA = +55C, Note 1), IO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Non−Repetitive Peak Forward Surge Current, IFSM
(8.3ms Single half Sine−Wave Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Forward Voltage (IF = 2A), VFM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2V
Peak Reverse Current (At rated DC Blocking Voltage), IRM
TJ = +25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
TJ = +100C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A
Reverse Recovery Time (Note 2), trr
NTE582−4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150ns
NTE582−6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250ns
NTE582−10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500ns
Typical Junction Capacitance (Note 3), CJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30pF
Note 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
Note 2. Measured at IF = 500mA, IR = 1A, IRR = 250mA..
Note 3. Measured at 1MHz an Applied Reverse Voltage of 4.0VDC.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25C unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.)
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40C/W
Thermal Resistance, Junction−to−Lead (Note 1), RthJL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20C/W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +125C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150C
Note 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
Note 2. Measured at IF = 500mA, IR = 1A, IRR = 250mA..
Note 3. Measured at 1MHz an Applied Reverse Voltage of 4.0VDC.
1.000
(25.4)
Min
.300
(7.62)
Max
.034 (.864) Dia Max
.142 (3.6)
Dia Max
Color Band Denotes Cathode
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