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1517-150C  SDC1741518B  TLC1518D  1519-20C  1517-160F  1519-180C  ISL6151CBZA  MAX151ACNG  1519-160F  ISL6151CBZA-T  
RD38F5070MWU0B 恒忆无线闪存( W18 ) (Numonyx Wireless Flash Memory (W18))
.型号:   RD38F5070MWU0B
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描述: 恒忆无线闪存( W18 )
Numonyx Wireless Flash Memory (W18)
文件大小 :   1372 K    
页数 : 102 页
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品牌   NUMONYX [ NUMONYX B.V ]
购买 :   
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100%
恒忆™无线闪存( W18 )
数据表
产品特点
高性能的同时读 - 写/擦除
- 突发频率为66兆赫
(零等待状态)
- 60 ns的初始访问读取速度
- 11 ns的连拍模式读取速度
- 读20 ns的页模式速度
- 4-, 8-,16- ,并且连续字突发
读取模式
- 突发和页面模式读取的所有块,
在所有的分区边界
- 突发挂起功能
- 增强的工厂编程在3.1微秒/
安全
- 128位OTP保护寄存器:
64个不同的预编程的位+
64用户可编程位
- 绝对的写保护与V
PP
在地面
- 个人和瞬时块锁定/
与锁断功能解锁
质量和可靠性
- 温度范围: -40 ° C至+85°C
- 每座10万擦除周期
- 90纳米ETOX ™ IX过程
- 130纳米ETOX ™第八流程
架构
- 多4兆位分区
- 双操作: RWW或RWE
- 参数块大小= 4 - K字
- 主块大小= 32 , K字
- 顶部或底部的设备参数
•16位
WIDE
数据总线
软件
- 5微秒(典型值)编程和擦除挂起
等待时间
- 闪存数据集成(FDI )和通用
闪存接口( CFI )兼容
- 可编程等待信号极性
包装和电源
- 90纳米: 32和64兆位的VF BGA
- 130纳米: 32-,64-和128兆位的VF BGA
- 130纳米: 128兆位的QUAD +封装
- 56有源矩阵球, 0.75毫米球间距
— V
CC
= 1.70 V至1.95 V
— V
CCQ
( 90纳米) = 1.7 V至1.95 V
— V
CCQ
( 130纳米) = 1.7 V至2.24 V和1.35 V
1.80 V
— V
CCQ
( 130纳米)= 1.35 V至2.24 V
- 待机电流( 130纳米) : 8 μA (典型值)。
- 读电流: 8毫安( 4字突发,典型值)。
订单号: 290701-18
2007年11月
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