MS51OC2AE [NUVOTON]
8-bit microcontroller;
| 型号： | MS51OC2AE |
| 厂家： | 
NUVOTON |
| 描述： | 8-bit microcontroller |
| 文件： | 总61页 (文件大小：1626K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
1T 8051
8位微控制器
NuMicro® 家族
MS51系列
MS51FB9AE
MS51XB9AE
MS51XB9BE
规格书
The information described in this document is the exclusive intellectual property of
Nuvoton Technology Corporation and shall not be reproduced without permission from Nuvoton.
Nuvoton is providing this document only for reference purposes of NuMicro microcontroller based
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
目录
1 概述 ..................................................................................................................7
2 特性 ..................................................................................................................8
3 料号信息 .........................................................................................................11
3.1 封装类型........................................................................................................................ 11
3.2 MS51系列选型指南 ..................................................................................................... 11
3.3 MS51 命名规则............................................................................................................ 12
4 引脚配置 .........................................................................................................13
4.1 MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE引脚配置 ........................................... 13
4.1.1 TSSOP 20脚封装引脚信息............................................................................................13
4.1.2 QFN 20脚封装引脚信息.................................................................................................14
4.2 MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE引脚描述 ........................................... 16
5 功能框图 .........................................................................................................19
5.1 MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE框图 ................................................... 19
6 功能描述 .........................................................................................................20
6.1 内存架构........................................................................................................................ 20
6.2 系统管理........................................................................................................................ 21
6.2.1 时钟系统...........................................................................................................................21
6.3 Flash 存储控制............................................................................................................. 22
6.3.1 在应用编程 (IAP) ............................................................................................................22
6.3.2 在线电路编程 (ICP) ........................................................................................................22
6.3.3 片上调试 (OCD)..............................................................................................................22
6.3.4 96位序列号(UID).............................................................................................................22
6.4 I/O 端口结构和工作模式 ............................................................................................. 23
6.4.1 GPIO 模式 .......................................................................................................................23
6.5 定时器............................................................................................................................ 24
6.5.1 定时器/计数器 0 和 1......................................................................................................24
6.5.2 定时器 2 和输入捕获 ......................................................................................................24
6.5.3 定时器 3 ...........................................................................................................................24
6.6 看门狗定时器 (WDT)................................................................................................... 25
6.6.1 概述 ..................................................................................................................................25
6.7 自唤醒定时器 (WKT)................................................................................................... 26
6.7.1 概述 ..................................................................................................................................26
6.8 脉冲宽度调制 (PWM).................................................................................................. 27
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.9 串口 (UART0 & UART1)............................................................................................. 28
6.9.1 概述 ..................................................................................................................................28
6.10 I2C 总线(I2C).......................................................................................................... 29
6.10.1概述 ..................................................................................................................................29
6.11 串行外围总线(SPI)................................................................................................. 30
6.11.1概述 ..................................................................................................................................30
6.12 12位模数转换器(ADC) .......................................................................................... 31
6.12.1概述 ..................................................................................................................................31
7 应用电路 .........................................................................................................32
7.1 供电电路........................................................................................................................ 32
7.2 外设应用电路................................................................................................................ 33
8 电气特性 .........................................................................................................34
8.1 常规操作条件................................................................................................................ 34
8.2 DC 电气特性................................................................................................................. 35
8.2.1 电源电流特性...................................................................................................................35
8.2.2 低功耗模式下的唤醒时间...............................................................................................37
8.2.3 I/O DC 特性 .....................................................................................................................37
8.3 AC 电气特性................................................................................................................. 40
8.3.1 内部高速16MHz RC 振荡器 (HIRC).............................................................................40
8.3.2 外部 4~32 MHz 高速时钟信号输入特性 ......................................................................42
8.3.3 10 kHz内部低速 RC 振荡器 (LIRC)..............................................................................42
8.3.4 I/O AC 特性......................................................................................................................44
8.4 模拟参数特性................................................................................................................ 45
8.4.1 复位和电源控制特性.......................................................................................................45
8.4.2 12-位 SAR ADC ..............................................................................................................46
8.5 Flash DC 电气特性...................................................................................................... 48
8.6 绝对最大额定值............................................................................................................ 49
8.6.1 电压特性...........................................................................................................................49
8.6.2 电流特性...........................................................................................................................49
8.6.3 温度特性...........................................................................................................................50
8.6.4 EMC 特性.........................................................................................................................51
8.6.5 包装湿度敏感性(MSL)....................................................................................................52
8.6.6 焊接概要...........................................................................................................................53
9 封装定义 .........................................................................................................54
9.1 MS51FB9AE TSSOP20 (4.4 x 6.5 x 0.9 mm)......................................................... 55
9.2 MS51XB9AE QFN20 3.0 X 3.0 mm.......................................................................... 56
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
9.3 MS51XB9BE QFN20 3.0 X 3.0 mm.......................................................................... 57
10缩写词.............................................................................................................58
10.1 缩写词列表.............................................................................................................. 58
11版本历史 .........................................................................................................59
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
图集
图 4.1-1 TSSOP-20 封装引脚信息 ................................................................................................. 13
图 4.1-2 QFN-20 封装引脚信息...................................................................................................... 14
图 4.1-3 QFN-20 封装引脚信息...................................................................................................... 15
图 5.1-1 结构框图 ........................................................................................................................... 19
图 7.4-1 电源爬升/下降状态............................................................................................................ 45
图 7.6-1 焊接概要文件来自于 J-STD-020C.................................................................................... 53
图 8.1-1 TSSOP-20 封装定义......................................................................................................... 55
图 8.2-1 MS51XB9AE QFN-20 包装封装定义................................................................................ 56
图 8.3-1 MS51XB9BE QFN-20 封装定义 ....................................................................................... 57
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
表格集
表 7.1-1常规操作条件..................................................................................................................... 34
表 7.2-1 正常模式下的电流消耗 ..................................................................................................... 35
表 7.2-1空闲模式下的电流消耗 ...................................................................................................... 36
表 7.2-2 掉电模式下的电流消耗 ..................................................................................................... 36
表 7.2-3 掉电模式唤醒时间............................................................................................................. 37
表 7.2-4 I/O 输入特性 ..................................................................................................................... 37
表 7.2-5 I/O 输出特性 ..................................................................................................................... 38
表 7.2-6 nRESET 输入特性............................................................................................................ 39
表 7.3-1 16 MHz 内部高速RC 振荡器(HIRC) 特性......................................................................... 40
表 7.3-2 24MHz内部高速RC 振荡器(HIRC) 特性........................................................................... 41
表 7.3-4 外部4~24 MHz 高速时钟信号输入.................................................................................... 42
表 7.3-3 10 kHz内部低速 RC 振荡器(LIRC) 特性........................................................................... 43
表 7.3-5 I/O AC 特性 ...................................................................................................................... 44
表 7.4-1复位和电源控制单元.......................................................................................................... 45
表 7.4-2 BOD最小欠压检测脉冲宽度.............................................................................................. 46
表 7.4-3 ADC 特性......................................................................................................................... 47
表 7.5-1 Flash 特性 ........................................................................................................................ 48
表 7.6-1 电压特性 ........................................................................................................................... 49
表 7.6-2 电流特性 ........................................................................................................................... 49
表 7.6-3 温度特性 ........................................................................................................................... 50
表 7.6-4 EMC 特性 ......................................................................................................................... 51
表 7.6-5 包装湿度敏感性(MSL) ...................................................................................................... 52
表 7.6-6 焊接概要 ........................................................................................................................... 53
表 9.1-1 缩写词列表 ....................................................................................................................... 58
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
1
概述
MS51为带有Flash的增强型8位8051内核微控制器（1T工作模式），指令集与标准的80C51完全兼容并
具备更高效能。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE内嵌18K的Flash存储区，通常称作APROM，用于存放用户
程序代码。该Flash存储区支持在应用编程（IAP）功能，即可通过片内固件更新程序代码。IAP功能同
时提供用户可自行配置程序区域或数据存储区。IAP功能可以对数据存储区进行读写操作，同时读数据
也可以通过MOVC指令来实现。MS51有一个额外的存储区称作LDROM，该区域通常存放用于执行在系
统编程（ISP）的引导代码（boot code），LDROM的大小最多可配置到 4K 字节。为了方便烧写和校验
，整个flash区域支持并行烧录和ICP烧录。可通过加密位对Flash加密，保障程序代码无法被读出。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE提供丰富的特殊功能模块，包括：256字节SRAM，1K字节
XRAM。最多可达18个标准管脚。两组标准16位定时器/计数器：定时器0及1，一组带有3路管脚输入捕
获模式的16位定时器：定时器2，一组看门狗定时器（WDT），一组自唤醒定时器（WKT），一组带自
动重装载功能，可用于产生标准波特率的定时器：定时器3。两组标准串行口（UART），这两组串行口
具有帧错误侦测及自动地址识别功能。一组SPI，一组I2C，6 通道增强型PWM输出，8路12位ADC。上
述功能对应产生18个中断源，具有4级中断优先级配置。
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE支持3组时钟源输入，所有时钟源支持软件切换立即生效功
能（on-the-fly）。3组时钟源包括：外部时钟，10kHz内部RC振荡时钟和一个出厂时已校准到室温下精
度达±1%的16MHz内部高速时钟。MS51提供额外的电源监控管理模块，例如上电复位和4级低电压检
测，该模块用于保障芯片在上电及掉电时系统稳定工作。
MS51可运行在两种低功耗模式－空闲模式和掉电模式，可通过软件选择运行在哪种模式。空闲模式时
，芯片主时钟关闭，但部分功能模块仍然运行。掉电模式下芯片全部时钟关闭确保芯片功耗达到最低。
在正常工作模式下，也可选择主时钟除频方式工作，确保在功耗和性能之间灵活运用。高效能、丰富的
功能模块及配置，MS51可灵活用于各种应用场合，家电产品，甚至是马达控制等高端需求控制系统。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
2
特性
核心与系统
全静态8位1T 8051内核CMOS微控制器
指令集完全兼容 MCS-51
4级优先级中断配置
8051
双数据指针(DPTRs)
上电复位（POR）
欠压检测 (BOD)
低电压复位 (LVR)
上电复位门限 1.15V
4级电压选择支持欠压中断和复位功能
(4.4V / 3.7V / 2.7V / 2.2V)
电压门限 2.0V
96位唯一序列号(UID)
128位用户码(UCID)
安全
128字节加密保护代码空间
存储器 / 记忆体
16 KB应用代码空间(APROM) .
4/3/2/1 KB 加载代码空间(LDROM)
支持内嵌内存128字节页擦除，可作为Data Flash使用
128字节加密保护代码空间
Flash
通过安全加锁位保护整块内存不被外部读取
支持系统编程(ISP), 在应用编程(IAP) 更新内嵌内存
支持通过ICE/ICP接口的2线ICP更新
内嵌256KB SRAM
SRAM
内嵌额外 1 KB字节 RAM (XRAM)通过MOVX 指令读写
时钟
默认16 MHz高速内部RC振荡器 (HIRC) 校正精度±1% (25 °
C, 3.3 V), ±2% ( -20~105°C. 2.4 ~ 5.5 V)
内置时钟源
高速内部RC振荡器可配置为24 MHz
10kHz低速内部振荡器(LIRC) ±1%精度等级 (25 C, 3.3 V)
定时器
16位定时器
两组16位定时器/计数器0和1，与标准8051兼容
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
一组16位定时器2带有3路输入捕获功能，9个输入管脚可供选
择
一组16位自动重装载功能定时器3，可用于配置串行口UART
的波特率
一组6位看门狗定时器(WDT)
溢出时间间隔可选择 6.40 ms ~ 1.638s 由内部10 kHz独立时
钟作为时钟源
看门狗
可用作掉电模式或者空闲模式下的唤醒
看门狗溢出可触发中断或复位芯片
一组16位上计数自唤醒功能定时器(WKT)
内部10 kHz独立时钟作为时钟源
用于低功耗模式下自主唤醒
溢出可触发中断
WKT唤醒定时器
最多可至6路输出选择
支持最大时钟源频率达 24 MHz
支持每路独立输出模式输出
支持2对互补模式PWM输出
8位分辨率的死区插入
PWM
最大16位分辨率的周期
每路PWM管脚支持掩码功能和三态使能
支持屏蔽输出功能
支持刹车功能及ADC比较事件产生刹车
模拟接口
模拟输入电压范围: 0 ~ AVDD
12位分辨率和10位精度保证.
单端输入模式 8 个信道
.
1 个内部通道, 带隙电压 (VBG).
最快500 KSPS 采样率
模数转换 (ADC)
软件写 1 ADCS 位触发转换
外部管脚 (STADC) 触发转换
PWM 触发转换
通信接口
支持2路标准UART: UART0, UART1
全双工异步通信
UART
可发送或接收第9位.
UART0可通过软件配置TXD与RXD管脚对换位置
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
1 组I2C 设备
主机/从机 模式
主从机双向传输模式
7位地址模式
I2C
标准模式 (100 kbps快速模式 (400 kbps) 和快速加模式 (1
Mbps)
内建8位溢出定时器，当I2C总线中止且定时器溢出时，产生
I2C中断
单一地址识别
支持保持时间可更改
支持一组 SPI控制器
支持主机或从机模式操作
支持MSB或LSB传送顺序
从机模式最高可达 12 MHz
SPI
4种 I/O 模式:
–
–
–
–
准双向模式
推挽输出模式
开漏模式
高阻态输入
施密特触发输入 / TTL 模式可选
GPIO
每个GPIO均 可配置为边沿 或电平触发的中断源
̅̅̅̅̅̅̅ ̅̅̅̅̅̅̅
支持标准外部中断 INT0 及INT1.
支持高驱动力和高翻转速率的 I/O
I/O 管脚可配置内部上拉 / 下拉功能
最大 I/O 速度为 24 MHz
所有GPIO都可配置引脚中断功能及使能唤醒功能
ESD & EFT
ESD
EFT
HBM 达 8 kV
> ± 4.4 kV
达150 mA
Latch-up
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
3
料号信息
3.1
封装类型
MSOP10
TSSOP14
QFN20[3]
TSSOP20
TSSOP28
LQFP32
QFN33
MS51BA9AE
MS51DA9AE
MS51XB9AE
MS51XB9BE
MS51XC0AE
MS51FB9AE
MS51FC0AE
MS51EC0AE
MS51PC0AE
MS51TC0AE
料号
3.2 MS51系列选型指南
通讯接口
料号
MS51BA9AE
MS51DA9AE
MS51XB9AE
MS51XB9BE
MS51FB9AE
MS51EB0AE
MS51FC0AE
MS51XC0BE
MS51EC0AE
MS51PC0AE
MS51TC0AE
8
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
8
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
5
5
-
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5-ch
8-ch
MSOP10
TSSOP14
QFN20 [3]
QFN20 [3]
TSSOP20
TSSOP28
TSSOP20
QFN20
8
12
18
18
18
26
18
18
26
30
30
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
16
16
16
16
32
32
32
32
32
6
-
8-ch
6
-
8-ch
6
-
8-ch
11
11
8
3
2
2
3
3
3
15-ch
10-ch
10-ch
15-ch
15-ch
15-ch
11
12
12
TSSOP28
LQFP32
QFN33
注:
1. 1. LDROM 由 APROM 独立出 4/3/2/1KB Flash 区域，可用于进行 ISP 动作。
2. 2. ISO-7816 可配置为 UART2~4。
3. 3. QFN20有两种封装尺寸，具体尺寸差异请看章节錯誤! 找不到參照來源。。
4. 4. 本技术参考手册仅针对 MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE 进行具体描述。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
3.3 MS51 命名规则
MS
51
F
B
9
A
E
Flash
SRAM
内核
产品线
8051内核
封装
保留
温度范围
1T 8051
B: MSOP10 (3x3 mm)
D: TSSOP14 (4.4x5.0 mm)
E: TSSOP28 (4.4x9.7 mm)
F: TSSOP20 (4.4x6.5 mm)
O: SOP20 (300 mil)
A: 8 KB
0: 2 KB
E:-40 ~ 105°C
B: 16 KB
C: 32 KB
1: 4 KB
工业级
2: 8/12 KB
3: 16 KB
6: 32 KB
8: 64 KB
9: 1 KB
P: LQFP32 (7x7 mm)
T: QFN33 (4x4 mm)
U: SOP28 (300 mil)
A: 96 KB
X: QFN20 (3x3mm)
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
4
引脚配置
4.1 MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE引脚配置
用户可以在第四章找到引脚的配置信息或者使用 NuTool - PinConfig. NuTool - PinConfigure 包含所有
NuMicro® 家族芯片系列的所有型号, 帮助用户方便正确的配置GPIO的多功能引脚.
4.1.1
TSSOP 20脚封装引脚信息
相关料号: MS51FB9AE
1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
P0.4 / ADC_CH5 / STADC / PWM0_CH3 / IC3
P0.3 / PWM0_CH5 / IC5 / ADC_CH6
P0.2 / ICPCK / OCDCK / UART1_RXD / [SCL]
P0.1 / PWM0_CH4 / IC4 / SPI0_MISO
P0.0 / PWM0_CH3 / IC3 / SPI0_MOSI / T1
P1.0 / PWM0_CH2 / IC2 / SPI0_CLK
P1.1 / PWM0_CH1/ IC1 / ADC_CH7 /CLKO
P1.2 / PWM0_CH0 / IC0
PWM0_CH2 / IC6 / T0 / ADC_CH4 / P0.5
2
UART0_TXD / ADC_CH3 / P0.6
UART0_RXD / ADC_CH2 / P0.7
3
4
nRESET / P2.0
INT0 / OSCIN / ADC_CH1 / P3.0
INT1 / ADC_CH0 / P1.7
5
MS51FB9AE
6
7
VSS
8
[SDA] / UART1_TXD / ICPDA / OCDDA / P1.6
VDD
9
P1.3 / I2C0_SCL / [STADC]
10
PWM0_CH5 / IC7 / SPI0_SS / P1.5
P1.4 / I2C0_SDA / PWM0_BRAKE / PWM0_CH1
[ ] alternate function remapping , if the same alternate function is shown twice, it indicates an exclusive choice not a duplication of the function.
图 4.1-1 TSSOP-20 封装引脚信息
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
4.1.2
QFN 20脚封装引脚信息
MS51XB9AE 引脚信息
4.1.2.1
相关料号: MS51XB9AE
15 14 13 12 11
ADC_CH5 / STADC / PWM0_CH3 / IC3 / P0.4 16
INT0 / OSCIN / ADC_CH1 / P3.0 17
10 P1.4 / PWM0_CH1 / I2C0_SDA / PWM0_BRAKE
9
8
7
6
P1.2 / PWM0_CH0 / IC0
18
19
20
nRESET / P2.0
UART0_TXD / ADC_CH3 / P0.6
P1.1 / PWM0_CH1 / IC1 / ADC_CH7 /CLKO
P1.0 / PWM0_CH2 / IC2 / SPI0_CLK
P1.5 / PWM0_CH5 / IC7 / SPI0_SS
MS51XB9AE
PWM0_CH2 / IC6 / T0 / ADC_CH4 / P0.5
1
2
3
4
5
[ ] alternate function remapping , if the same alternate function is shown twice, it indicates an exclusive choice not a duplication of the function.
图 4.1-2 QFN-20 封装引脚信息
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
4.1.2.2
MS51XB9BE 引脚信息
相关料号: MS51XB9BE
15 14 13 12 11
PWM0_CH5 / IC5 / ADC_CH6 / P0.3
10
16
17
18
19
20
P1.2 / PWM0_CH0 / IC0
9
8
7
6
ADC_CH5 / STADC / PWM0_CH3 / IC3 / P0.4
PWM0_CH2 / IC6 / T0 / ADC_CH4 / P0.5
UART0_TXD / ADC_CH3 / P0.6
P1.3 / I2C0_SCL / [STADC]
P1.4 / PWM0_CH1 / I2C0_SDA / PWM0_BRAKE
P1.5 / PWM0_CH5 / IC7 / SPI0_SS
VDD
MS51XB9BE
UART0_RXD / ADC_CH2 / P0.7
1
2
3
4
5
[ ] alternate function remapping , if the same alternate function is shown twice, it indicates an exclusive choice not a duplication of the function.
图 4.1-3 QFN-20 封装引脚信息
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
4.2
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE引脚描述
引脚编号
符号
功能描述[1]
MS51FB9AE MS51XB9AE MS51XB9BE
9
7
5
3
6
4
VDD
VSS
电源: 电源正端
电源地: 电源负端
P0.0: 端口0管脚0
PWM0_CH3: PWM 输出通道3
SPI0_MOSI: SPI 主机输出/从机输入脚
IC3: 定时器输入捕获通道3
T1: 定时器/计数器1，外部计数输入脚或翻转输出脚
P0.1: 端口0管脚1
P0.0/
PWM0_CH3/
SPI0_MOSI/
IC3/
16
12
13
T1
P0.1/
PWM0_CH4/
IC4/
PWM4: PWM 输出通道4
17
18
19
13
14
15
14
15
16
IC4: 定时器输入捕获通道4
SPI0_MISO: SPI 主机输入/从机输出脚
P0.2: 端口0管脚2
SPI0_MISO
P0.2/
ICE_CLK: 仿真及ICP编程时钟输入脚.
UART1_RXD: 串口1数据输入脚
[I2C0_SCL] [3]: I2C 时钟脚
P0.3: 端口0管脚3
ICE_CLK/
UART1_RXD/
[I2C0_SCL]
P0.3/
PWM0_CH5/
IC5/
PWM0_CH5: PWM 输出通道5
IC5: 定时器输入捕获通道5
ADC_CH6: ADC输入通道6
P0.4: 端口0管脚4
ADC_CH6
PWM0_CH3: PWM 输出通道3
STADC: 外部启动ADC触发脚
ADC_CH5: ADC输入通道5
IC3: 定时器输入捕获通道3
P0.5: 端口0管脚5
P0.4/
PWM0_CH3/
IC3/
ADC_CH5/
STADC
20
16
17
PWM0_CH2: PWM 输出通道2
IC6: 定时器输入捕获通道6
T0: 定时器/计数器0，外部计数输入脚或翻转输出脚
ADC_CH4: ADC输入通道4
P0.6: 端口0管脚6
P0.5/
PWM0_CH2/
IC6/
T0/
ADC_CH4
1
20
19
18
19
2
P0.6/
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
引脚编号
符号
功能描述[1]
MS51FB9AE MS51XB9AE MS51XB9BE
UART0_TXD/
ADC_CH3
UART0_TXD : 串口0数据发送脚
ADC_CH3: ADC 输入通道3
P0.7: 端口0管脚7
P0.7/
3
1
7
20
12
UART0_RXD/
ADC_CH2
UART0_RXD: 串口0数据接收脚
ADC_CH2: ADC 输入通道2
P1.0: 端口1管脚0
P1.0/
PWM0_CH2/
IC2/
PWM2: PWM 输出通道2
IC2: 定时器输入捕获通道2
SPCLK: SPI 时钟脚
15
SPI0_CLK
P1.1: 端口1管脚1
PWM0_CH1: PWM 输出通道1
IC1: 定时器输入捕获通道1
ADC_CH7: ADC 输入通道7
CLKO: 系统时钟输出脚
P1.2: 端口1管脚2
P1.1/
PWM0_CH1/
IC1/
ADC_CH7/
CLKO
14
8
11
P1.2/
13
12
9
10
9
PWM0_CH0/
IC0
PWM0_CH0: PWM 输出通道0
IC0: 定时器输入捕获通道0
P1.3: 端口1管脚3
P1.3/
I2C0_SCL/
[STADC]
11
I2C0_SC: I2C 时钟脚
[STADC] [4]: 外部启动ADC触发脚
P1.4: 端口1管脚4
P1.4/
PWM0_CH1: PWM 输出通道1
I2C0_SDA: I2C 数据脚
PWM0_CH1/
I2C0_SDA/
PWM0_BRAKE
11
10
10
8
PWM0_BRAKE: 故障刹车输入脚
P1.5: 端口1管脚5
P1.5/
PWM0_CH5/
IC7/
PWM0_CH5: PWM 输出通道5
IC7: 定时器输入捕获通道7
SPI0_SS: SPI 从机选择输入脚
P1.6: 端口1管脚6
6
4
7
5
SPI0_SS
P1.6/
ICE_DAT /
UART1_TXD/
[I2C0_SDA]
8
ICE_DAT: ICP 编程数据输入输出脚
UART1_TXD: 串口1数据发送脚
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
引脚编号
符号
功能描述[1]
MS51FB9AE MS51XB9AE MS51XB9BE
[I2C0_SDA] [3]: I2C 数据脚
P1.7: 端口1管脚7
P1.7/
INT1/
̅̅̅̅̅̅̅
̅̅̅̅̅̅̅
6
4
2
3
1
INT1: 外部中断1输入
ADC_CH0
ADC_CH0: ADC 输入通道0
P2.0: 端口2管脚0， RPD (CONFIG0.2) 配置为0时可用
P2.0/
nRESET
nRESET: 复位脚为施密特触发输入，用以外部复位信号复位
芯片。 nRESET 内部带上拉电阻，外部只需接下拉电容，即
可稳定工作。
18
P3.0: 端口3管脚0，使用内部晶振时可用
P3.0/
INT0/
̅̅̅̅̅̅̅
INT0: 外部中断0输入
̅̅̅̅̅̅̅
5
17
12
OSCIN/
OSCIN: 使用 ECLK 模式，OSCIN为外部时钟输入脚。
ADC_CH1: ADC 输入通道1
ADC_CH1
注：
1. 所有管脚都可以配置为外部中断输入脚，该功能未列入管脚描述列表。详见章节16.管脚中断
2. UART0的 TXD 及 RXD 管脚可通过配置寄存器UART0PX (AUXR1.2)交换位置
3. [I2C]备用功能重分配选项，I2C管脚可通过配置寄存器 I2CPX (I2CON.0)转换位置
4. [STADC] 备用功能重分配选项。STADC 引脚可通过配置寄存器STADCPX(ADCCON1.6)转换位置
5. PIOx 寄存器决定哪一个管脚是PWM或GPIO功能
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
5
功能框图
MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE框图
5.1
Power-on Reset
and Brown-out
Detection
1T High
Performance
8051 Core
VDD
GND
nRESET[1]
Power
Management
16KB
APROM Flash
T0 (P0.5)
Timer 0/1
Memory
Access
T1 (P0.0)
Max. 4KB
LDROM Flash
Timer 2
with
8
IC0~IC7
Input Capture
Max. Bytes
Data Flash
Timer 3
(page: 128B)
Digital
Peripheral
128 Bytes
SPROM
Self Wake-up
Timer
256 Bytes
Internal RAM
Watchdog Timer
PWM
PWM0_CH0
6
1K Bytes
XRAM
~
PWM0_CH5
(Auxiliary RAM)
FB (P1.4)
UART0_TXD (P0.6 or P0.7)
UART0_RXD (P0.7 or P0.6)
UART1_TXD (P1.6)
Serial Ports
(UARTs)
8
8
UART1_RXD (P0.2)
P0[7:0]
P1[7:0]
P0
I2C0_SDA (P1.4 or P1.6)
I2C0_SCL (P1.3 or P0.2)
I2C
P1
P2[1]
SPI0_MOSI (P0.0)
SPI0_MISO (P0.1)
SPI0_SS (P1.5)
1
1
SPI
P20
P30
SPI0_CLK (P1.0)
P3[2]
INT0 (P3.0)
INT1 (P1.7)
External Interrupt
8
ADC_CH0 ~ADC_CH7
STADC (P1.3 or P0.4)
12-bit ADC
8
Same Port
any bit
Pin Interrupt
Analog
Peripheral
GPIO
System Clock
XIN[2]
10 kHz
Internal RC Oscillator
(LIRC)
System Clock
Source
16 MHz/ 24MHz
Internal RC Oscillator
(HIRC)
Clock Divider
图 5.1-1 结构框图
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6
功能描述
内存架构
6.1
标准的基于80C51微控制器将内存分成两个不同的部分，编程内存和数据内存。编程内存用来存储指令
代码。而数据内存用来存储编程执行过程中的数据或变量。
数据内存占用的地址空间独立于编程内存。在MS51中，有256字节内部RAM。对于需要更多内部RAM
的许多应用，MS51提供另外片上768字节RAM，叫做XRAM，通过MOVX指令访问。
整个嵌入的FLASH，作为编程内存的功能，被分成三块。应用ROM（APROM）通常存储用户代码，加
载ROM（LDROM）通常存储启动代码，CONFIG字节作用于硬件初始化。事实上, APROM 和 LDROM
功能相似，但是大小不一样，每一块由一页一页组成，每页大小是128字节。FLASH控制单元支持擦除
、编程和读模式。使用外部烧写器是通过指定的I/O口烧写，在应用编程（IAP）或在系统编程（ISP）
都可以执行这些模式。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.2
系统管理
6.2.1
时钟系统
MS51拥有多种时钟源可供选择，这样在应用中可以有多种选择，使系统性能发挥到最佳，并且功耗降
到最低。共有3种系统时钟源可供选择，包括:内部振荡器、来自 XIN 引脚的外部时钟。可以通过软件设
置选择。MS51内嵌2个内部RC振荡器一个10 kHz低速、一个 16MHz 高速RC振荡器，高速16MHz误差
在出厂时校准到±2%（全温度、全电压范围内）。CKDIV除频器可以灵活地调整MS51功耗与性能。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.3
Flash 存储控制
在应用编程 (IAP)
6.3.1
修改FLASH数据通常需要很长时间，不像RAM那样可以实时操作。而且擦除、编程或读取FLASH数据
需要遵循相当复杂的时序步骤。MS51提供方便FALSH编程方式，可以帮助用户通过IAP方式，重新编
程FLASH内容。IAP就是通过软件实现在线电擦除和编程的方法。
通过设置IAPEN（CHPCON.0受TA保护）使能IAP，并且设置IAPUEN寄存器的相应位，使能需要升级
的FLASH区域（CONFIG、LDROM、APROM），用户将16位操作地址写入IAPAH和IAPAL，数据写
入IAPFD，命令写入IAPCN。然后通过设置触发位IAPGO(IAPTRG.0)，去执行IAP。注意：IAPTRG也
受TA保护。此时，CPU保持程序计数器，内嵌IAP自动控制内部充电泵提高电压和信号时序。擦除和编
程时间是内部控制的，与工作电压和频率无关。通常页擦除时间是5ms，字节编程时间是23.5μs。IAP
动作完成后，程序计数器继续运行之后的指令，IAPGO位将自动清零。IAPFF (CHPCON.6)是IAP错误
标志，可以用来检查之前IAP操作成功与否。通过这些纯软件的设置，用户可以很方便对FLASH存储器
进行擦除、编程和校验。
6.3.2
在线电路编程 (ICP)
通过在线电路编程（ICP）编程Flash。如果产品在开发中，或在终端客户的产品需要固件升级，采用硬
件编程模式非常困难且不方便。采用ICP方式将很简单，且不需要将微控制器从板上拆下来。ICP方式
同样允许客户在量产电路板上编程设备，在设备装配完成后再编程，这样允许设备编程最新的固件或定
制化固件。
执行ICP功能，仅需要3个引脚 nRESET、ICPDA及 ICPCK。nRESET用于进入或退出ICP模式，ICPDA
为数据输入输出脚，ICPCK为编程时钟输入脚。用户需要在系统板上预留VDD、GND以及这三个脚。
新唐提供MS51的ICP工具Nu-Link，通过新唐ICP编程器，用户可轻松使用ICP。ICP编程器是Nuvoton
根据MCU的电气特性专门设计的，是很高效稳定的编程方式。
6.3.3
片上调试 (OCD)
MS51内嵌片上调试功能（OCD），这为软件开发者提供了低成本调试方法，并且MS51的每一种封装
都适用。OCD具有完整的调试过程控制流程，包括8个硬件断点、单步运行、全速运行和非侵入命令的
内存访问。OCD系统并不占用任何本地内存，也不和片上外设共享资源。
6.3.4
96位序列号(UID)
出厂前，每颗 MS51都会预烧一个96位的序列号，用以确保该芯片的唯一性，这个唯一代码被称为序列
号UID (Unique Code)。用户获得序列号的唯一方式是通过IAP指令读取。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.4
I/O 端口结构和工作模式
GPIO 模式
6.4.1
MS51最多有43个普通IO管脚，其中40个可位寻址的通用I/O引脚，分成5组 P0 到 P4 ，另外P5有7个普
通IO管脚，每一个端口有它的端口控制寄存器(Px 寄存器)。端口控制寄存器的写和读有不同的意思。写
端口控制寄存器设置输出锁存逻辑值，读获取端口引脚的逻辑状态。管脚有四种模式分别是准双向模式
（标准8051端口结构）、推挽输出、输入和开漏模式。每一个端口通过两个特殊功能寄存器PxM1 和
PxM2来选择端口Px的I/O模式。下表指示如何选择Px.n的I/O模式。注意任何复位之后，默认的配置是
高阻输入模式。
所有I/O引脚可以通过PxS寄存器里对应的位选择为TTL电平输入或施密特触发输入 。施密特触发输入有
更好的抗干扰能力。所有的I/O引脚可通过软件选择位控制，斜率输出能力。输出斜率控制寄存器是
PxSR。默认是慢斜率。.如果用户想要增加I/O引脚输出速率，设置PxSR的相应位，将斜率设置成高速
输出。.
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.5
定时器
定时器/计数器 0 和 1
6.5.1
MS51定时器/计数器0 和 1 是两个16位定时器/计数器。 每个都由两个8位的寄存器组成16计数寄存器.对
于定时器/计数器0，TH0为高8位寄存器、TL0为低8位寄存器。 同样定时器/计数器1也有两个8位寄存器
， TH1 和TL1。 TCON 和 TMOD 可以配置定时器/计数器0和1的模式。
ꢀ
通过TMOD中的C/T位来选择定时器或计数器功能。 每个定时器/计数器都有选择位，TMOD的第2位选
择定时器/计数器0功能，TMOD的第6位选择定时器/计数器1功能。
将它们设置为定时器后，定时器将对系统时钟周期计数。定时器0通过设置T0M(CKCON.3)位，定时器1
通过设置T1M(CKCON.4)位，来选择定时器时钟是标准的8051计数能力系统时钟(FSYS)的12分频或增
强型直接是系统时钟。在计数器模式下，每当检测到外部输入脚T0上的下降沿，计数寄存器的内容就会
加一。如果在一个时钟周期采样到高电平，在下一个时钟周期采样到低电平，那么T0或T1引脚就会确
认为一个由高到低的跳变
当有定时器溢出发生，定时器0和1能配置引脚自动翻转输出。同一个管脚可以用于T0和T1的输入计数
也可以用于定时器的翻转输出，这个功能通过CKCON寄存器的T0OE和T1OE控制位来分别使能定时器
ꢀ
0和定时器1。当打开这个功能，输出端口在第一个定时溢出之前输出逻辑1。为确保此模式功能，C/T位
应该被清除并且选择系统时钟作为定时器的时钟源。
注意：TH0(TH1)和TL0(TL1)是独立分开访问。需要特别注意，在模式0或模式1下时，当读/写
TH0(TH1)和TL0(TL1)之前，必须清除TR0(TR1)来停止计时。否则将产生不可预料的结果。
6.5.2
定时器 2 和输入捕获
定时器2是一个16位的向上计数器，由高8位寄存器(TH2)和低8位寄存器(TL2)组成。通过配置寄存器
̅̅̅̅̅
RCMP2H和RCMP2L，设置CM/RL2 (T2CON.0)后，定时器2能工作在比较模式和自动重载模式下。定
时器2具有3通道输入 捕获模块，可用于测量输入脉冲宽度或周期。3通道捕获结果分别存放在寄存器
C0H 及 C0L, C1H 及 C1L, C2H 及 C2L中。定时器2的时钟来自系统时钟的分频，总共具有8级分频，可
适用于更多应用需求。当TR2 (T2CON.2) 置 1，定时器使能；TR2置0时，定时器关闭。下列寄存器用
于控制定时器2功能。
6.5.3
定时器 3
定时器3结构描述
6.5.3.1
定时器3是一个16位自动重装载，向上计数定时器。用户可以通过配置T3PS[2:0] (T3CON[2:0])选择预
分频，并写入重载值到R3H 和R3L寄存器来决定它的溢出速率。用户可以设置TR3 (T3CON.3)来开始计
数。当计数跨过FFFFH，TF3 (T3CON.4)置为1，且R3H 和R3L寄存器的内容重载到内部16位计数器。
如果ET3 (EIE1.1)置为1，定时器3中断服务程序被执行。当进入中断服务程序，TF3会被硬件自动清零
。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.6
看门狗定时器 (WDT)
6.6.1
概述
MS51提供一个看门狗定时器(WDT)，它可以配置成一个超时复位定时器用于复位整个设备。一旦由于
外界干扰设备进入非正常状态或挂起，看门狗可以复位恢复系统。这有用于监测系统运行以提高系统可
靠性。对于容易受到噪声，电源干扰或静电放电干扰的系统，是十分有用的。看门狗也可以配置成通用
定时器，可以工作在空闲模式或掉电模式，用于周期中断服务作为事件定时器或连续系统监测。
WDTEN[3:0] (CONFIG4[7:4])初始化WDT工作在超时复位定时器或通用定时器模式。
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
6.7
自唤醒定时器 (WKT)
6.7.1
概述
MS51有一个专用的自唤醒定时器（WKT），用于低功耗模式下的周期唤醒芯片，也可用作通用定时器
。WKT保持计数在空闲或掉电模式。当WKT用作唤醒定时器时，WKT要在进入省电模式之前开启。
WKT能配置两种时钟源片内38.4kHz时钟源LIRC和32.768kHz外部时钟源LXT。注意系统时钟频率必须
大于WKT时钟两倍以上。如果WKT开始计数，在设备进入空闲或掉电模式下，选择的时钟源会也要保
持工作。注意选择的WKT时钟源不会连同WKT的配置自动使能，用户应该手动使能选择的时钟源并等
待它稳定确保操作的成功。
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6.8
脉冲宽度调制 (PWM)
PWM (脉冲宽度调制) 信号在控制方案中应用非常广泛。可用于电机驱动、风扇控制、背光调节、LED
光源调光或通过低通滤波器电路模拟一个简单的数模转换器的输出。
MS51包含三对（6个PWM通道）16位精度、可调周期和占空比的PWM输出，非常适合用于电机控制。
该模块架构适用于驱动单相或三相无刷直流电机(BLDC)，或三相交流感应电机。每个信道PWM输出可
配置为独立输出模式、互补模式或同步模式。当设定为互补模式时，通过插入可配置的死区时间，保护
MOS管同时导通。PWM波形可配置边沿对齐或中心对齐来选择中断响应位置。
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6.9
串口 (UART0 & UART1)
6.9.1
概述
MS51包含两个具备增强的自动地址识别和帧错误检测功能的全双工串口。由于两个串口的控制位是一
样的。一般来说，在以下内容中，没有对串口1介绍，只对串口0介绍。
每个串口都有一种同步工作模式：模式0。三种全双工异步模式(通用异步接收器和发送器), 模式1, 2, 和
3，这意味着收发可以同时连续进行。串口接收带有接收缓存，意味着在接收的前一个数据在被读取之
前，串口就能接收第二个数据。接收和发送都是对SBUF进行操作访问，写入SBUF数据将直接传到发
送寄存器，而读取SBUF是访问一个具有独立物理地址的接收寄存器。串口共有4种操作模式，任何一种
模式，任何以操作SBUF的指令都将开始一次传输。
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6.10 I2C 总线(I2C)
6.10.1 概述
MS51 提供了两个内部集成线路(I2C)总线作为一种串行通信方式，用在 MCU 与 EEPROM，LCD模块，
温度传感器等等之间控制。I2C 用两条线 (数据线SDA 和时钟线 SCL) 在设备间传输数据。
I2C 总线用作主机与从机之间双向数据传输。可以用于多主机系统，支持无中央主机及多主机系统，主
机与主机之间的总线仲载传输，同步时钟SCL的存在，允许设备间使用不同比特率的数据传输。支持四
种传输模式：主发，主收，从发，从收。I2C 总线仅支持 7位地址。支持广播呼叫，支持标准速率传输
(100kbps) 和快速传输 ( 400k bps) 。
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6.11 串行外围总线(SPI)
6.11.1 概述
MS51系列提供支持高速串行通信的SPI模块。SPI 为微控制与外设 EEPROM, LCD 驱动, D/A 转换之间
提供全双工、高速、同步传输的总线。可提供主机从机模式传输，速度可达到时钟频率FSYS/4，支持传
输完成标志位和“写”冲突标志位。在多主机系统中，SPI 支持主机模式错误用以防止主机冲突。
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6.12 12位模数转换器(ADC)
6.12.1 概述
MS51内嵌12位逐次逼近寄存器型(SAR)的模拟数字转换器(ADC)。模数转换模块负责将管脚上的模拟信
号转换为12位二进制数据。MS51支持8信道单端输入模式。内部带隙电压(band-gap voltage)为1.22V，
同时也可用作内部ADC输入端。所有模拟电路复用同一组采样电路和同一组采样保持电容。该组采样保
持电容为转换电路的输入端。然后转换器通过逐次逼近的方式得到有效结果并存放在ADC结果寄存器中
。
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7
应用电路
供电电路
7.1
EXT_PWR
10uF+0.1uF
MS51
Series
as close to the EXT_PWR as possible
VDD
VSS
EXT_VSS
0.1uF
as close to VDD as possible
图 7.1-1 NuMicro® MS51 供电电路
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
7.2
外设应用电路
DVCC
CS
SPI_SS
SPI_CLK
VDD
VSS
SPI
Device
DVCC
CLK
ICE / ICP
Interface
SPI_MISO
SPI_MOSI
MISO
MOSI
100K 100K
VDD
ICE_DAT
100 *
100 *
DVCC
ICE_CLK
nRESET
DVCC
VSS
MS51 Series
4.7K
4.7K
I2C
Device
CLK
DIO
VDD
VSS
I2C_SCL
I2C_SDA
DVCC
10K
nRESET
Reset
Circuit
10 uF
RS 232 Transceiver
RIN
UART_RXD
UART_TXD
ROUT
TIN
UART
TOUT
PC COM Port
*ICE/ICP interface ICE_DAT/ICE_CLK pin 100ohm resister is selectable only for filter the disturb of noise on the circuit.
图 7.2-1 NuMicro® MS51 外设应用电路
Oct. 07, 2020
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8
电气特性
8.1 常规操作条件
(VDD-VSS = 2.4 ~ 5.5V, TA = 25C, Fsys = 16 MHz 除非另有说明.)
符号
TA
参数
最小值
-40
典型值
最大值
105
单位
测试条件
温度
-
℃
VDD
操作电压
2.4
-
5.5
[*1]
V
AVDD
VDD
模拟操作电压
1.17
1.14
1.30
1.33
TA = 25 °C
VBG
Band-gap电压[2]
1.22
TA = -40°C ~105 °C,
注:
1. 建议从同一个源为VDD和AVDD供电。VDD和AVDD在通电和关机操作时，可以容忍0.3 V的最大差异。
2. 基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试，除非另有说明。
表 8.1-1 常规操作条件
Oct. 07, 2020
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8.2
DC 电气特性
8.2.1
电源电流特性
当前的功耗是由操作频率、设备软件配置、I/O引脚配置、I/O引脚切换速率、程序在内存中的位置等内
外参数和因素共同作用的结果。电流消耗按下列条件和表中所述进行测量，测试结果如下所示。
所有GPIO引脚均处于推挽模式，输出高。
DD的最大值= VDD =2.4 V ~ 5.5 V。，除非特别说明，测试环境温度TA的典型值= 25°C和
V
VDD =3.3。
VDD = AVDD
当外设使能为系统时钟Fsys。
程序在Flash中运行”while(1);。.
典型值[3]
最大值[4]
FHCLK
符号
条件
单位
T
= 25 °C
T
= -40 °C
T
= 25 °C
T = 105 °C
A
A
A
A
24 MHz(HIRC)[1]
@5.5V
3.6
24 MHz(HIRC)[1]
@3.3V
3.2
2.9
3.3
3.1
4.2
4.6
4.8
24 MHz(HIRC)[1]
@2.4V
正 常 运 行 模 式 ， 运 行 在
16 MHz (HIRC) [1]
@5.5V
mA
Flash，所有外设禁用
IDD_RUN
16 MHz (HIRC) [1]
@3.3V
3.4
3.9
4.6
16 MHz (HIRC) [1]
@2.4V
2.8
10 kHz (LIRC)[2]
0.30
0.32
0.46
2.33
注:
1. 该值基于 HIRC使能, LIRC使能的条件。
2.该值基于HIRC禁用, LIRC使能的条件。
3.LVR17 使能, POR 使能，BOD 使能.
4.基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试，除非另有说明.
表 8.2-1 正常模式下的电流消耗
Oct. 07, 2020
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
典型值[3]
最大值[4]
FHCLK
符号
条件
单位
T
= 25 °C
T
= 25 °C
T
= 85 °C
T = 105 °C
A
A
A
A
24 MHz(HIRC)[1]
@5.5V
2.8
24 MHz(HIRC)[1]
@3.3V
2.4
2.2
2.2
1.9
2.9
3.2
3.8
24 MHz(HIRC)[1]
@2.4V
IDD_IDLE
空闲模式，所有外设禁用
16 MHz (HIRC)[1]
@5.5V
mA
16 MHz (HIRC)[1]
@3.3V
2.5
0.5
2.6
0.9
3.2
2.3
16 MHz (HIRC)[1]
@2.4V
1.8
0.3
10 kHz (LIRC)[2]
注：
1. 该值基于 HIRC使能, LIRC使能的条件。
2.该值2. 基于HIRC禁用, LIRC使能的条件。
3.LVR17 使能, POR 使能，BOD 使能.
4.基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试，除非另有说明.
表 8.2-2 空闲模式下的电流消耗
典型值[1]
最大值[2]
Unit
符号
条件
T
= 25 °C
T
= -40 °C
T
= 25 °C T = 105 °C
A
A
A
A
掉电模式，所有外设禁用@5.5V
6.5
6
掉电模式，所有外设禁用@3.3V
6.2
9
55
IDD_PD
掉电模式，所有外设禁用@2.4V
5.8
7.5
180
µA
掉电模式，LVR使能，其余外设禁用
掉电模式，LVR使能，BOD使能，其余外设禁用
6.7
10[3]
197
57
165
292
注:
1. AVDD = VDD = 3.3V, LVR17 使能, POR禁用以及BOD禁用.
2. 基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试，除非另有说明。
3. 基于特性，在生产中测试。
表 8.2-3 掉电模式下的电流消耗
Oct. 07, 2020
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8.2.2
低功耗模式下的唤醒时间
符号
参数
典型值
最大值
单位
[1]
tWU_IDLE
从空闲模式唤醒
从掉电模式唤醒
时钟周期
5
-
6
Fsys = HIRC @16MHz
Fsys = HIRC @ 24MHz
30
30
µs
µs
[2][3]
tWU_NPD
注:
1.基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试，除非另有说明。
2.唤醒时间是从唤醒事件到应用程序代码读取第一个点的时间。
3.数据基于外部晶振起振稳定时间。
表 8.2-4 掉电模式唤醒时间
8.2.3
I/O DC 特性
8.2.3.1 引脚输入特性
符号
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
VIL
输入电压
0
-
-
0.3*VDD
V
V
V
输入低电压
VIL1
VSS-0.3
0.2VDD-0.1
(I/O 配置为TTL 输入模式)
VIH
输入高电压
0.7*VDD
-
-
VDD
输入高电压
[1]
VHY
0.2*VDD
-
V
(I/O配置为施密特输入或XIN
)
VSS < VIN < VDD
,
-1
-1
1
1
开漏模式或输入模式
[*2]
ILK
输入漏电流
A
VDD < VIN < 5.5 V,
开漏模式或输入模式
注:
1. 基于表征过程中的测试，而不是在生产中测试
2. 如果发生异常注入，泄漏可能会超过最大值
3. 为了维持高于 VDD +0.3 V 的电压，必须禁用内部上拉电阻。如果在相邻的引脚上注入正电流，泄漏可能会大于最大值
表 8.2-5 I/O 输入特性
Oct. 07, 2020
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
8.2.3.2 I/O 输出特性
符号
参数
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
VDD = 5.5 V
-7.4
-
-7.5
µA
VIN =(VDD-0.4) V
VDD = 3.3 V
-7.3
-7.3
-57.2
-9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-7.5
-7.5
-58.3
-9.6
-6.6
-4.9
-20
µA
µA
VIN =(VDD-0.4) V
拉电流（准双向模式,高电位）
VDD = 2.4 V
VIN =(VDD-0.4) V
VDD = 5.5 V
VIN = 2.4 V
µA
[1] [2]
ISR
VDD = 5.5 V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
VIN =(VDD-0.4) V
VDD = 3.3 V
-6
VIN =(VDD-0.4) V
拉电流（推挽模式,高电位）
VDD = 2.7 V
-4.2
-18
18
VIN =(VDD-0.4) V
VDD = 5.5 V
VIN = 2.4 V
VDD = 5.5 V
VIN = 0.4 V
20
VDD = 3.3 V
VIN = 0.4 V
[1] [2]
ISK
灌电流（推挽模式）
16
18
VDD = 2.4 V
VIN = 0.4 V
9.7
-
-
11
-
mA
pF
[1]
CIO
I/O 引脚电容
5
注:
1. 由表征结果保证，没有在生产中测试
2. ISR和ISK必须始终符合最大电流和I / O的总和,CPU和外设不得超过ΣIDD和ΣISS
。
表 8.2-6 I/O 输出特性
Oct. 07, 2020
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8.2.3.3 nRESET 输入特性
符号
VILR
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
负向阈值电压, nRESET
正向阈值电压, nRESET
-
0.7*VDD
45
-
0.3*VDD
V
V
VIHR
-
-
-
-
60
65
-
VDD = 5.5 V
VDD = 2.4 V
[1]
RRST
nRESET 脚内部上拉电阻
KΩ
45
正常运行模式和空闲模式
掉电模式
-
1.5
-
[1]
nRESET 脚输入滤波脉冲时间
tFR
µs
10
25
注:
1. 由表征结果保证，没有在生产中测试
2. 建议加一个10 kΩ 电阻和 10uF电容在nRESET引脚上来保持复位信号稳定
表 8.2-7 nRESET 输入特性
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8.3 AC 电气特性
8.3.1
内部高速16MHz RC 振荡器 (HIRC)
16MHz RC 振荡器 (HIRC)
8.3.1.1
16 MHz RC 振荡器在生产中经过校准
符号
参数
最小值 典型值 最大值
单位
测试条件
2.4
-
-
5.5
-
VDD
操作电压
V
TA = 25 °C,
VDD = 3.3
振荡器频率
16[1]
MHz
%
TA = 25 °C,
VDD = 3.3V
-1[3]
-2[4]
-
-
1[3]
FHRC
TA = -20C ~ +105 °C,
2[4]
%
频率精度
VDD = 2.4 ~ 5.5V
TA = -40C ~ -20 °C,
-4[4]
4[4]
550
5
%
µA
µs
VDD = 2.4 ~ 5.5V
[2]
IHRC
操作电流
稳定时间
-
-
490
3
TA = -40C ~ +105 °C,
[3]
TS
VDD = 2.4 ~ 5.5V
注:
1.由表征结果保证，没有在生产中测试.
2.设计保证，没有在生产中测试
表 8.3-1 16 MHz 内部高速 RC 振荡器(HIRC) 特性
Oct. 07, 2020
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8.3.1.2
24MHz RC 振荡器 (HIRC)
24 MHz RC 振荡器在生产中经过校准
符号
参数
最小值 典型值 最大值
单位
测试条件
2.4
-
-
5.5
-
VDD
操作电压
V
TA = 25 °C,
VDD = 3.3
振荡器频率
24[1]
MHz
%
TA = 25 °C,
VDD = 3.3V
-1[3]
-2[4]
-
-
1[3]
FHRC
频率精度
操作电流
TA = -20C ~ +85 °C,
2[4]
%
VDD = 2.4 ~ 5.5V
TA = -40C ~ +105 °C,
-4[4]
4[4]
550
5
%
µA
µs
VDD = 2.4 ~ 5.5V
[2]
IHRC
准备时间
操作电压
-
-
490
3
TA = -40C ~ +105 °C,
[3]
TS
VDD = 2.4 ~ 5.5V
注:
1.保证产品特性，经生产检验
2.需要重新载入HIRC预设值
3.保证产品特性，不经生产检验
4.用户可对38.4 kHz的RC低速振荡器进行校准。
5.保证设计，不在产品测试。
表 8.3-2 24MHz 内部高速 RC 振荡器(HIRC) 特性
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8.3.2
外部 4~32 MHz 高速时钟信号输入特性
对于时钟输入模式，关闭HXT振荡器，XT1_IN是接收外部时钟的标准输入引脚。外部时钟信号必须遵
守下表。这些特性是使用波形发生器产生的波形进行测试的结果。
符号
fHXT_ext
tCHCX
参数
最小值 [*1] 典型值 最大值 [*1]
单位
MHz
ns
测试条件
外部时钟频率
4
8
8
-
-
-
24
-
时钟高电平时间
时钟低电平时间
tCLCX
-
ns
低 (10%) 到高电平 (90%) 上升
时间
tCLCH
时钟上升沿时间
时钟下降沿时间
-
-
-
-
10
10
ns
ns
高 (90%) 到低电平 (10%) 下降
时间
tCHCL
DuE_HXT
VIH
占空比
40
0.7*VDD
VSS
-
-
-
60
VDD
%
V
输入高电压
输入低电压
VIL
0.3*VDD
V
External
clock source
XT1_IN
tCLCL
tCLCH
tCLCX
90%
10%
VIH
VIL
tCHCL
tCHCX
注:
1. 保证产品特性，不经生产检验
表 8.3-3 外部 4~24 MHz 高速时钟信号输入
10 kHz内部低速 RC 振荡器 (LIRC)
8.3.3
最小值 典型值 最大值
单位
符号
参数
测试条件
2.4
-
-
5.5
-
VDD
操作电压
V
振荡器频率
10
kHz
TA = 25 °C,
VDD = 5V
-10[1]
-35[2]
-
-
10[1]
35[2]
%
%
FLRC
频率精度
TA=-40~105°C
没有软件调整精度功能
[3]
ILRC
操作电流
准备时间
-
-
0.85
500
1
-
µA
VDD = 3.3V
TS
μs
TA=-40~105°C
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最小值 典型值 最大值
单位
符号
参数
测试条件
注:
1. 保证产品特性，经生产检验
2. 保证产品特性，不经生产检验
3. 用户可对38.4 kHz的RC低速振荡器进行校准。
4. 保证设计
表 8.3-4 10 kHz 内部低速 RC 振荡器(LIRC) 特性
Oct. 07, 2020
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8.3.4
I/O AC 特性
符号
参数
典型值
4.6
2.9
6.6
4.3
8.5
8.0
4.0
2.1
4.9
3.0
9.5
5.4
5.6
3.4
8.1
5.1
15.1
9.6
4.8
2.1
6.4
3.0
12.7
5.4
最大值[*1]
5.1
单位
测试条件[*2]
CL = 30 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 10 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 30 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 10 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 30 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 10 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 30 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 10 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 30 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 10 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 30 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 10 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 30 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 10 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 30 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 10 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 30 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 10 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 30 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 10 pF, VDD >= 5.5 V
CL = 30 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 10 pF, VDD >= 3.3 V
CL = 30 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 10 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 30 pF, VDD >= 2.4 V
CL = 10 pF, VDD >= 2.4 V
3.3
8
普通输出模式[5]输出高 (90%)到低电平 (10%) 下
降时间
tf(IO)out
tf(IO)out
tr(IO)out
ns
5
12.5
10.7
4.3
2.5
5.8
高速输出模式[6]高 (90%)到低电平 (10%) 下降时
间
ns
3.7
13.8
7.4
6.1
3.7
9.4
普通输出[5]模式低 (10%) 到高电平 (90%) 上升时
间
ns
5.8
20.3
12.4
5.2
2.5
7.4
高速输出模式[6]低 (10%) 到高电平 (90%) 上升时
间
tr(IO)out
ns
3.7
16.9
7.4
[*3]
I/O 最快输出频率
fmax(IO)out
24
24
MHz
注：
1.保证产品特性，不经生产检验
2.CL是一种模拟PCB和器件负载的外部电容负载。
ꢁ
3.最大频率是通过该公式计算得出 푓푚푎푥
=
.
)
푟
3 × (푡 +푡
ꢂ
4. I/O动态电流消耗定义为IDꢃO = 푉퐷퐷 × 푓 × (퐶퐼푂 ꢄ 퐶퐿)
퐼푂
5. PxSR.n 设定值为0，为普通输出模式
6. PxSR.n 设定值为2，为高速输出模式
表 8.3-5 I/O AC 特性
Oct. 07, 2020
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8.4
模拟参数特性
8.4.1
复位和电源控制特性
下表参数来源于环境温度下的试验。
符号
参数
最小值
典型值
最大值
20
单位
测试条件
AVDD = 5.5V
[*1]
IPOR
µA
POR操作电流
LVR操作电流
BOD操作电流
POR复位电压
LVR复位电压
10
0.5
-
[*1]
ILVR
AVDD = 5.5V
-
1
[*1]
IBOD
AVDD = 5.5V
0.5
1.15
2.9
1.3
VPOR
VLVR
VBOD
V
-
-
1
1.7
4.25
3.55
2.60
2.10
60
2.0
4.4
3.7
2.7
2.2
-
2.4
4.55
3.85
2.80
2.35
80
BOV[1:0] = [0,0]
BOV[1:0] = [0,1]
BOV[1:0] = [1,0]
BOV[1:0] = [1,1]
-
BOD欠压检测电压
[*1]
[1]
TLVR_SU
µs
LVR启动时间
LVR反应时间
TLVR_RE
0.4
180
180
2.5
-
-
-
-
4
Fsys = HIRC@16MHz
Fsys = LIRC
350
320
5
[1]
[1]
TBOD_SU
TBOD_RE
注:
Fsys = HIRC@16MHz
Fsys = HIRC@16MHz
BOD启动时间
BOD 反应时间
1. 保证产品特性，不经生产检验
2. 适用于特定的应用场合.
表 8.4-1 复位和电源控制单元
VDD
RVDDR
RVDDF
VBOD
VLVR
VPOR
Time
图 8.4-1 电源爬升/下降状态
BODFLT
(BODCON1.1)
BOD 工作模式
系统时钟源
任意时钟源
最小电压检测脉冲宽度
0
正常工作模式
(LPBOD[1:0] = [0,0])
Typ. 1μs
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BODFLT
(BODCON1.1)
BOD 工作模式
系统时钟源
任意时钟源
任意时钟源
任意时钟源
最小电压检测脉冲宽度
低功耗模式 1
(LPBOD[1:0] = [0,1])
16 (1/FLIRC
64 (1/FLIRC
)
低功耗模式 2
(LPBOD[1:0] = [1,0])
)
低功耗模式 3
(LPBOD[1:0] = [1,1])
256 (1/ FLIRC
)
1
正常工作模式: 32 (1/FSYS
空闲模式: 32 (1/FSYS
低功耗模式: 2 (1/FLIRC
)
HIRC/ECLK
)
)
正常工作模式
(LPBOD[1:0] = [0,0])
LIRC
2 (1/FLIRC)
低功耗模式 1
(LPBOD[1:0] = [0,1])
任意时钟源
18 (1/FLIRC
66 (1/FLIRC
)
)
低功耗模式 2
(LPBOD[1:0] = [1,0])
任意时钟源
任意时钟源
低功耗模式 3
(LPBOD[1:0] = [1,1])
258 (1/ FLIRC
)
表 8.4-2 BOD 最小欠压检测脉冲宽度
8.4.2
12-位 SAR ADC
符号
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
温度
TA
-40
-
105
℃
AVDD
VREF
VIN
模拟操作电压
参考电压
2.7
2.7
0
-
-
-
5.5
V
V
V
AVDD = VDD
VREF = AVDD
AVDD
VREF
ADC 通道输入电压
AVDD = VDD =VREF = 5.5 V
FADC = 500 kHz
[*1]
IADC
操作电流 (AVDD + VREF 电流)
-
-
418
µA
TCONV = 17 * TADC
NR
分辨率
12
Bit
[1]
FADC
ADC 时钟频率
-
500
-
kHz
1/TADC
4 * ADCAQT 10
TSMP
=
采样时间
TSMP
1
-
38
1/FADC
F
ADC
TCONV
TEN
转换时间
1
20
-3
-
-
-
-
-
128
-
1/FADC
使能准备时间
积分非线性误差
微分非线性误差
增益误差
μs
INL[*1]
DNL[*1]
+3
LSB VREF = AVDD =VDD
LSB VREF = AVDD=VDD
LSB VREF = AVDD=VDD
-2
+4
[*1]
EG
-3.5
+0.4
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符号
参数
最小值 典型值 最大值 单位
测试条件
[*1]
EO
偏移误差
绝对误差
-2
-7
-
+2.8
+7
LSB VREF = AVDD=VDD
T
[*1]
EA
LSB VREF = AVDD=VDD
注:
1.该表是设计保证，产品中没有测量
表 8.4-3 ADC 特性
EF (Full scale error) = EO + EG
Gain Error Offset Error
EG
EO
4095
4094
4093
4092
Ideal transfer curve
7
6
5
4
3
2
1
ADC
output
code
Actual transfer curve
DNL
1 LSB
4095
Analog input voltage
(LSB)
Offset Error
EO
注: INL是校准后的转移曲线与理想转移曲线的过渡点之间的峰值差。校准传输曲线是指校准了实际传输
曲线的偏移量和增益误差。
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8.5 Flash DC 电气特性
料件送到客户手中时，Flash内容已被擦除。
符号
参数
最小值
典型值
最大值
单位
V
测试条件
[1]
电源
VFLA
TERASE
TPROG
IDD1
1.62
1.8
5
1.98
页擦除时间
编辑时间
读电流
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ms
µs
10
4
TA = 25℃
mA
mA
mA
编辑电流
擦除电流
IDD2
4
IDD3
12
擦写次数
NENDUR
100,000
50
-
-
-
-
cycles[2]
year
TJ = -40℃~125℃
100 kcycle[3] TA = 55℃
100 kcycle[3] TA = 85℃
100 kcycle[3] TA = 105℃
-
-
-
数据保存
TRET
25
year
10
year
注:
1.
VFLA 来自芯片LDO输出电压.
2. 编程/擦除周期数
3. 设计保证
表 8.5-1 Flash 特性
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8.6 绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能对设备造成永久性损伤。极限值仅为额定值，不能用于设备的功能操作。接触
绝对最大额定值可能会影响设备的可靠性，并不能保证正常运行。
8.6.1
电压特性
符号
描述
最小值
最大值
6.5
50
单位
V
[*1]
VDD-VSS
直流电源电压
-0.3
ΔVDD
|VDD –AVDD
ΔVSS
不同电源引脚的变化
-
mV
mV
mV
mV
V
V
DD 和 AVDD 允许电压差
不同地引脚的变化
SS 和 AVSS允许电压差
I/O输入电压为5v公差
|
-
50
-
50
V
|VSS - AVSS
|
-
50
VIN
VSS-0.3
5.5
注:
1. 所有电源 (VDD, AVDD) 和地 (VSS, AVSS) 引脚必须连接外部电源.
表 8.6-1 电压特性
8.6.2
电流特性
符号
描述
最小值
最大值
200
200
22
单位
[*1]
ΣIDD
V
V
DD 最大输入电流
SS 最大输出电流
-
-
-
-
-
-
ΣISS
单一管脚最大灌电流
mA
单一管脚最大流出电流
所有管脚最大灌电流总和[*2]
所有管脚最大输出电流总和[*2]
10
IIO
100
100
注:
1. 最大允许电流是器件最大功耗的功能。
2. 这个电流消耗必须正确地分布在所有I/Os和控制引脚上。总输出电流不能灌在两个连续的电源插脚之间。
3. 阳性注入由VIN>AVDD引起，阴性注入由VIN<VSS引起。绝对不能超过IINJ(PIN)。建议在模拟输入引脚和电压供应引脚之
间连接一个过电压保护二极管。 commended to connect an overvoltage protection diode between the analog input pin
and the voltage supply pin.
表 8.6-2 电流特性
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8.6.3
温度特性
平均结温计算公式如下:
T
T
+ (P
x
)
J
=
A
D
θJA
TA = 环境温度 (℃)
θJA = 环境热阻(℃/Watt)
PD =内部和I/O功耗的总和
符号
描述
最小值
典型值
最大值
105
单位
T
A
-40
环境温度
结温度
-
-
-
T
J
-40
-65
-
125
℃
T
存储温度
150
ST
热阻
℃
/Watt
68
38
-
-
20-pin QFN(3x3 mm)
[*1]
θJA
-
热阻
℃/Watt
20-pin TSSOP(4.4x6.5 mm)
注:
1. 根据JESD51-2集成电路热测试方法确定环境条件
表 8.6-3 温度特性
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8.6.4
EMC 特性
8.6.4.1 静电放电 (ESD)
对于Nuvoton单片机产品，内置ESD保护电路，避免了典型的ESD可能造成的任何损坏。
8.6.4.2 静态 latchup
需要两个互补的静态测试来评估latchup
演示:
每个电源引脚上都加有过电压保护
对每个输入、输出和可配置的I/O引脚进行电流注入
8.6.4.3 电气快速瞬变 (EFT)
在某些应用电路中，组成部分会在配电系统上产生快速、窄高频瞬变脉冲。
电感负载:
– 继电器、开关器
– 断电时的重型电机等.
国际电子委员会(IEC)在IEC 61000-4-4中定义了电子产品的快速瞬态脉冲要求。
符号
描述
最小值
-8000
-1000
-400
典型值
最大值
+8000
+1000
+400
+4
单位
[*1]
VHBM
静电放电，人体模式
-
-
-
-
V
[*2]
VCDM
静电放电、充电设备模式
锁存引脚电流[*3]
LU[*3]
mA
kV
[*4] [*5]
-4
VEFT
注:
快速瞬变电压脉冲
1. 根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001标准确定，静电放电灵敏度测试-人体模型(HBM) -器件级
2. 根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-002静电放电灵敏度(ESD)测试标准确定。
3. 按JEDEC EIA/JESD78标准测定。
4. 根据IEC61000 -4-4电快速瞬变/突发抗扰性试验确定。
5. 演示科是4A级。
表 8.6-4 EMC 特性
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8.6.5
包装湿度敏感性(MSL)
所有的Nuvoton表面贴装芯片都有一个湿度等级分类。信息也显示在包装袋上。
MSL
封装
20-pin QFN(3x3 mm) [*1]
MSL 3
MSL 3
20-pin TSSOP(4.4x6.5 mm) [*1]
注:
1. 根据IPC/JEDEC J-STD-020确定
表 8.6-5 包装湿度敏感性(MSL)
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8.6.6
焊接概要
图 8.6-1 焊接概要文件来自于 J-STD-020C
特性
Pb Free 包装
平均加速率 (217℃ to peak)
预热温度 150℃ ~200℃
3℃/sec. max
60 sec. to 120 sec.
60 sec. to 150 sec.
> 30 sec.
温度保持在 217℃
5℃温度峰值的时间
峰值温度范围
260℃
缓降率
6℃/sec ax.
8 min. max
25℃温度峰值的时间
注:
1. 根据J-STD-020C确定
表 8.6-6 焊接概要
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
9
封装定义
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
9.1
MS51FB9AE TSSOP20 (4.4 x 6.5 x 0.9 mm)
图 9.1-1 TSSOP-20 封装定义
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
9.2
MS51XB9AE QFN20 3.0 X 3.0 mm
图 9.2-1 MS51XB9AE QFN-20 包装封装定义
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
9.3
MS51XB9BE QFN20 3.0 X 3.0 mm
图 9.3-1 MS51XB9BE QFN-20 封装定义
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
10 缩写词
10.1 缩写词列表
缩写
ADC
BOD
GPIO
Fsys
HIRC
IAP
描述
Analog-to-Digital Converter
Brown-out Detection
General-Purpose Input/Output
Frequency of system clock
12 MHz Internal High Speed RC Oscillator
In Application Programming
In Circuit Programming
ICP
ISP
In System Programming
LDO
LIRC
LVR
Low Dropout Regulator
10 kHz internal low speed RC oscillator (LIRC)
Low Voltage $eset
PDMA
POR
PWM
SPI
Peripheral Direct Memory Access
Power On Reset
Pulse Width Modulation
Serial Peripheral Interface
Universal Asynchronous Receiver/Transmitter
Unique Customer ID
UART
UCID
WKT
WDT
Wakeup Timer
Watchdog Timer
表 10.1-1 缩写词列表
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MS51FB9AE / MS51XB9AE / MS51XB9BE
11 版本历史
日期
版本
描述
章节
2019.4.8
1.00
1.01
初始版本。
章节7.2.3
章节7.3
增加TTL模式输入低电压范围。
移除HIRC及LIRC误差曲线图。
2019.9.3
章节3.2
新增MS51EB0AE 相关内容。
章节4.1.2
章节7.3.1
章节7.4.1
章节9.3
修改MS51XB9BE引脚图。
修改频率精度范围。
2020.10.7
1.02
修改BOD最大值2.30至2.35。
修改MS51XB9BE QFN20 脚封装定义，新增Lead Length L1參數。
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Important Notice
Nuvoton Products are neither intended nor warranted for usage in systems or equipment, any
malfunction or failure of which may cause loss of human life, bodily injury or severe property
damage. Such applications are deemed, “Insecure Usage”.
Insecure usage includes, but is not limited to: equipment for surgical implementation, atomic
energy control instruments, airplane or spaceship instruments, the control or operation of
dynamic, brake or safety systems designed for vehicular use, traffic signal instruments, all types
of safety devices, and other applications intended to support or sustain life.
All Insecure Usage shall be made at customer’s risk, and in the event that third parties lay claims
to Nuvoton as a result of customer’s Insecure Usage, customer shall indemnify the damages
and liabilities thus incurred by Nuvoton.
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