MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
分立半导体
数据表
BAP63-03
硅PIN二极管
产品speci fi cation
取代2001年的5月18日的数据
2004年2月11日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
特点
高速开关的射频信号
低电容二极管
低二极管正向电阻
非常低的串联电感
对于申请到3 GHz 。
应用
RF衰减器和开关。
描述
在SOD323小SMD塑料包装平面PIN二极管。
顶视图
BAP63-03
钉扎
1
2
描述
阴极
阳极
1
2
sym006
标识代码:
D2.
标记栏显示的阴极。
Fig.1简化外形( SOD323 )和符号。
订购信息
TYPE
BAP63-03
名字
描述
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOD323
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
90
°C
条件
−65
−65
分钟。
马克斯。
50
100
500
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
2004年2月11日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向漏电流
二极管电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 35 V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
I
F
= 0.5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
|s
21
|
2
隔离
V
R
= 0; F = 900兆赫
V
R
= 0; F = 1800兆赫
V
R
= 0; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 0.5毫安; F = 900兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 0.5毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 1毫安; F = 900兆赫
I
F
= 1毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 1毫安; F = 2450 MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 10毫安; F = 900兆赫
I
F
= 10毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 10毫安; F = 2450MHz的
|s
21
|
2
插入损耗
I
F
= 100毫安; F = 900兆赫
I
F
= 100毫安; F = 1800兆赫
I
F
= 100毫安; F = 2450 MHz的
τ
L
载流子寿命
0.4
0.35
0.27
2.5
1.95
1.17
15.4
10.1
7.8
0.21
0.28
0.38
0.18
0.26
0.35
0.13
0.20
0.30
0.10
0.18
0.28
典型值。
0.95
BAP63-03
马克斯。
1.1
10
0.32
3.5
3
1.8
1.5
V
单位
nA
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
ns
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的;注1 0.9
从我开机时,
F
= 10 mA至310
I
R
= 6毫安; ř
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 3毫安
1.5
L
S
串联电感
nH
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
热特性
符号
R
日( J- S)
参数
热阻结到焊接点
价值
120
单位
K / W
2004年2月11日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
图形数据
MGW126
BAP63-03
手册, halfpage
10
手册, halfpage
500
MGW130
rD
(Ω)
Cd
(fF)
400
300
1
200
100
10
−1
10
−1
1
10
I F (毫安)
10
2
0
0
4
8
12
16
VR ( V)
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
20
T
j
= 25
°C;
F = 100兆赫。
Fig.2
正向电阻为正向功能
电流;典型值。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
手册, halfpage
2
0
MGW131
MGW132
|
s 21
|
手册, halfpage
2
(1)
(2)
0
( dB)的
−0.1
|
s 21
|
( dB)的
−10
(3)
−0.2
(4)
−20
−0.3
−30
−0.4
−0.5
0
1
2
F(千兆赫)
3
−40
0
1
2
F(千兆赫)
3
(1) I
F
= 100 mA的电流。
(2) I
F
= 10 mA的电流。
(3) I
F
= 1毫安。
(4) I
F
= 0.5毫安。
二极管零偏压并串联插入一个50
带状线电路。
T
AMB
= 25
°C.
二极管串联插入一个50
带状线电路与经由偏置
分析三通网络。
T
AMB
= 25
°C.
Fig.4
插入损耗( | S
21
|
2
)在导通状态的二极管的
作为频率的函数;典型值。
Fig.5
隔离( | S
21
|
2
)在关断状态的所述二极管的
频率的函数;典型值。
2004年2月11日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅PIN二极管
包装外形
塑料表面贴装封装; 2引线
BAP63-03
SOD323
D
A
E
X
H
D
v
M
A
Q
1
2
b
p
A
A
1
(1)
c
L
p
细节X
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.8
A
1
最大
0.05
b
p
0.40
0.25
c
0.25
0.10
D
1.8
1.6
E
1.35
1.15
H
D
2.7
2.3
L
p
0.45
0.15
Q
0.25
0.15
v
0.2
1.标记栏表示阴极
概要
VERSION
SOD323
参考文献:
IEC
JEDEC
JEITA
SC-76
欧洲
投影
发行日期
99-09-13
03-12-17
2004年2月11日
5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

BAP63-03,115

BAP63-03 - Silicon PIN diode SOD 2-Pin
0 PHILIPS

BAP63-03_00

Silicon PIN diode
26 PHILIPS

BAP63-05

Silicon PIN diode
59 PHILIPS

BAP63-05W

Silicon PIN diode
22 PHILIPS

BAP63-05W

Silicon PIN diode
26 PHILIPS

BAP63-05W

RF Manual 16th edition
暂无信息
6 PHILIPS