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AZ23C3V6-V-G  AZ23C3V6  AZ23C3V0  TMS99532A  AZ23C3V3-V-G  TMS99531  AZ23C3V0-V-G  AZ23C3V3  TMSDVC5409APGE16G4  
BAP64-02 硅PIN二极管 (Silicon PIN diode)
.型号:   BAP64-02
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描述: 硅PIN二极管
Silicon PIN diode
文件大小 :   165 K    
页数 : 2 页
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品牌   PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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100%
硅PIN二极管
特点
·高电压,电流控制
· RF电阻RF衰减器和开关
·低电容二极管
·低二极管正向电阻
·极低的串联电感
·对于申请到3 GHz 。
应用
· RF衰减器和开关。
描述
在SOD523超小型塑料SMD封装平面PIN二极管。
BAP64 - 02
1
2
SOD523 SC- 79
1
阴极
2
阳极
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
连续反向电压
连续正向电流
总功耗
储存温度
结温
条件
分钟。
-65
-65
马克斯。
175
100
715
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
I
T
s
=90°C
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
-50毫安
V
R
=175V
V
R
=20V
V
R
= 0; F = 1 MHz的
V
R
= 1V ; F = 1 MHz的
V
R
= 20V; F = 1 MHz的
r
D
二极管的正向电阻
I
F
= 0.5毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 1毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 10毫安; F = 100 MHz的;注1
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的;注1
τ
L
载流子寿命
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 6毫安; ř
L
= 100
Ω;
测量我
R
-3毫安
L
S
典型值。
0.95
0.48
0.35
0.23
20
10
2
0.7
1.55
马克斯。
1.1
10
1
0.35
40
20
3.8
1.35
单位
V
µA
µA
pF
pF
pF
µs
串联电感
0.6
nH
1.保证在AQL基础:检查水平S4 , AQL 1.0 。
热特性
符号
R
第j个-S
参数
从结热阻焊接点
价值
85
单位
K / W
S26–1/2
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