MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
BAP70-05
硅PIN二极管
牧师03 - 2007年4月5日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在共阴极CON组fi guration两个平面PIN二极管在SOT23小型塑料SMD
封装。
1.2产品特点
I
高电压;电流控制
I
低电容二极管
I
低串联电感
1.3应用
I
RF衰减器和开关
2.管脚信息
表1中。
1
2
3
离散钉扎
描述
阳极(a1)的
阳极(a2)的
共阴极
1
2
sym027
简化的轮廓
3
符号
3
2
1
3.订购信息
表2中。
订购信息
名字
BAP70-05
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
型号封装
4.标记
表3中。
BAP70-05
记号
标识代码
8Kp
类型编号
恩智浦半导体
BAP70-05
硅PIN二极管
5.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
R
I
F
P
合计
T
英镑
T
j
参数
反向电压
正向电流
总功耗
储存温度
结温
条件
连续电压
连续电流
T
sp
= 90
°C
-
-
-
−65
−65
最大
50
100
250
+150
+150
单位
V
mA
mW
°C
°C
6.热特性
表5 。
符号
R
日(J -SP )
热特性
参数
热阻结
焊锡点
条件
典型值
220
单位
K / W
7.特点
表6 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压
反向电流
二极管电容
条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 50 V
SEE
图1 ;
F = 1兆赫;
V
R
= 0 V
V
R
= 1 V
V
R
= 20 V
r
D
二极管的正向电阻
SEE
图2 ;
F = 100 MHz的;
I
F
- 0.5毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
τ
L
载流子寿命
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 6毫安; ř
L
= 100
Ω;
在测
I
R
= 3毫安
I
F
= 100毫安; F = 100 MHz的
-
-
-
-
-
77
40
5.4
1.4
1.25
100
50
7
1.9
-
µs
-
-
-
600
430
250
-
-
300
fF
fF
fF
-
-
典型值
0.95
-
最大
1.1
100
单位
V
nA
L
S
串联电感
-
1.4
-
nH
BAP70-05_3
© NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年4月5日
2 7
恩智浦半导体
BAP70-05
硅PIN二极管
600
C
d
(fF)
400
001aaa519
10
3
r
D
(Ω)
mce007
10
2
200
10
0
0
5
10
15
V
R
(V)
20
1
10
−1
1
10
I
F
(MA )
10
2
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
F = 100 MHz的;吨
j
= 25
°C.
图1.二极管电容反向的函数
电压;典型值
图2.二极管的正向电阻的函数
正向电流;典型值
BAP70-05_3
© NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年4月5日
3 7
恩智浦半导体
BAP70-05
硅PIN二极管
8封装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
图3.封装外形SOT23
BAP70-05_3
© NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年4月5日
4 7
恩智浦半导体
BAP70-05
硅PIN二极管
9.缩写
表7中。
缩写
SMD
RF
缩略语
描述
P型,本征, N型
表面贴装器件
无线电频率
10.修订历史记录
表8 。
修订历史
发布日期
20070405
数据表状态
产品数据表
产品数据表
变更通知
-
-
SUPERSEDES
BAP70-05_2
BAP70-05_1
文档ID
BAP70-05_3
莫迪科幻阳离子:
BAP70-05_2
莫迪科幻阳离子:
表6:
改变了我
R
最大值为20 nA至100 nA的
这个数据表格式已重新设计,以符合新的身份
恩智浦半导体的指导方针。
法律文本已适应了新的公司名称在适当情况下。
图2取代
产品数据表
-
-
20061221
BAP70-05_1
(9397 750 12811)
20040405
BAP70-05_3
© NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2007年4月5日
5 7
相关元器件产品Datasheet PDF文档

BAP70AM

RF Manual 7th edition
暂无信息
34 NXP

BAP70AM

Silicon PIN diode array
48 NXP

BAP70AM

RF Manual 16th edition
暂无信息
40 PHILIPS

BAP70AM

Silicon PIN diode array
20 PHILIPS

BAP70Q

RF Manual 16th edition
350 PHILIPS

BAP794

DIODY TYRYSTORY
暂无信息
23 icpdf_datashe